一种提高SiC芯片可靠性的封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种提高SiC芯片可靠性的封装结构，包括底板，所述底板顶面固定安装有外壳，所述外壳顶部固定安装有盖板，所述底板顶面设置有DBC基板，所述DBC基板表面设置有多个SiC芯片，所述外壳内侧设置有导热件，所述外壳外侧开设有多个散热槽，所述散热槽一侧开设有通孔，所述散热槽内部固定安装有散热件。本实用新型专利技术能够提升封装后的SiC芯片散热性能，防止因高温导致SiC芯片出现损坏，提升了芯片的可靠性。的可靠性。的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种提高SiC芯片可靠性的封装结构


[0001]本技术涉及封装结构
，具体为一种提高SiC芯片可靠性的封装结构。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)是第三代化合物半导体材料，可用于制作大功率电子器件，碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料。
[0003]传统SiC功率器件封装技术是将SiC芯片下表面焊接在DBC基板上，并通过DBC基板与封装外壳之间的焊料层传导进行散热，然而仅通过SiC与DBC基板之间的焊料层进行导热，其散热传输效率较低，易导致SiC芯片高温出现故障，使得SiC芯片的可靠性降低。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种提高SiC芯片可靠性的封装结构，以解决上述
技术介绍
提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种提高SiC芯片可靠性的封装结构，包括底板，所述底板顶面固定安装有外壳，所述外壳顶部固定安装有盖板，所述底板顶面设置有DBC基板，所述DBC基板表面设置有多个SiC芯片，所述外壳内侧设置有导热件，所述外壳外侧开设有多个散热槽，所述散热槽一侧开设有通孔，所述散热槽内部固定安装有散热件。
[0006]优选的，所述DBC基板通过焊接料固定在底板顶面，所述SiC芯片通过焊接料固定在DBC基板顶面。
[0007]优选的，所述导热件包括导热垫，所述导热垫一侧设置有连接部，所述连接部一侧与外壳内壁固定。
[0008]优选的，所述底板顶面固定安装有多个垫块，所述垫块与导热垫之间固定。
[0009]优选的，所述散热件具体为散热片，所述散热片共有多个，所述散热片固定安装在散热槽内部。
[0010]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0011]1.该提高SiC芯片可靠性的封装结构，在SiC芯片工作时产生的高温由DBC基板传导至底板进行散热，并且一部分热能通过导热垫和连接部传导至外壳进行散热，经由多种散热途径，能够有效防止SiC芯片因高温导致的故障，提升SiC芯片的可靠性。
[0012]2.该提高SiC芯片可靠性的封装结构，外壳的热能通过多个散热片快速散出，并且散热槽和通孔能够更加有利于散热片与空气接触，从而提升外壳的散热效率，提升整个封装结构的散热效率。
附图说明
[0013]图1为本技术整体结构示意图；
[0014]图2为本技术外壳内部结构示意图；
[0015]图3为本技术A放大结构示意图；
[0016]图4为本技术B放大结构示意图。
[0017]图中：1、底板；2、外壳；3、盖板；4、DBC基板；5、SiC芯片；6、导热垫；7、散热片；8、垫块；9、连接部；10、散热槽；11、通孔。
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0019]实施例一
[0020]请参照图1
‑
4所示，本技术提供一种提高SiC芯片可靠性的封装结构，包括底板1，底板1顶面固定安装有外壳2，外壳2顶部固定安装有盖板3，底板1顶面设置有DBC基板4，DBC基板4表面设置有多个SiC芯片5，外壳2内侧设置有导热件，外壳2外侧开设有多个散热槽10，散热槽10一侧开设有通孔11，散热槽10内部固定安装有散热件。
[0021]具体的，在SiC芯片5工作时产生的热由DBC基板4传导至底板1进行散热，并且一部分热能通过导热件传导至外壳2进行散热，外壳2的热能通过散热件快速导出，并且散热槽10和通孔11能够更加有利于散热件与空气接触，从而提升外壳2和SiC芯片5的散热效率。
[0022]其中：DBC基板4通过焊接料固定在底板1顶面，SiC芯片5通过焊接料固定在DBC基板4顶面，SiC芯片5与DBC基板4之间通过焊料导热，并且DBC基板4与底板1之间也通过焊料导热，能够起到散热效果。
[0023]其中：导热件包括导热垫6，导热垫6一侧设置有连接部9，连接部9一侧与外壳2内壁固定，底板1顶面固定安装有多个垫块8，垫块8与导热垫6之间固定，封装时，将导热垫6置于多个SiC芯片5的表面，并将导热垫6固定于垫块8顶面，垫块8对导热垫6起到支撑效果，将连接部9与外壳2的内壁之间固定，有利于SiC芯片5与外壳2之间的导热效果。
[0024]其中：散热件具体为散热片7，散热片7共有多个，散热片7固定安装在散热槽10内部，散热片7通过与外部空气接触进行快速散热，相较于传统散热方式，散热效率提高较多。
[0025]工作原理：本技术为一种提高SiC芯片可靠性的封装结构，封装时，将导热垫6置于多个SiC芯片5的表面，并将导热垫6固定于垫块8顶面，垫块8对导热垫6起到支撑效果，将连接部9与外壳2的内壁之间固定；
[0026]在SiC芯片5工作时产生的热由DBC基板4传导至底板1进行散热，并且一部分热能通过导热垫6和连接部9传导至外壳2进行散热，外壳2的热能通过多个散热片7快速导出，并且散热槽10和通孔11能够更加有利于散热片7与空气接触，从而提升外壳2的散热效率，从而加快SiC芯片5的散热效率，防止SiC芯片5因高温出现故障甚至损毁，提升了SiC芯片的可靠性。
[0027]本说明中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。
[0028]尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应
包含在本技术的保护范围之内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高SiC芯片可靠性的封装结构，包括底板(1)，其特征在于：所述底板(1)顶面固定安装有外壳(2)，所述外壳(2)顶部固定安装有盖板(3)，所述底板(1)顶面设置有DBC基板(4)，所述DBC基板(4)表面设置有多个SiC芯片(5)，所述外壳(2)内侧设置有导热件，所述外壳(2)外侧开设有多个散热槽(10)，所述散热槽(10)一侧开设有通孔(11)，所述散热槽(10)内部固定安装有散热件。2.根据权利要求1所述的一种提高SiC芯片可靠性的封装结构，其特征在于：所述DBC基板(4)通过焊接料固定在底板(1)顶面，所述SiC芯片(5)通过焊接...

【专利技术属性】
技术研发人员：李翔，吴文杰，刘毅，肖延兵，
申请(专利权)人：芯众享成都微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：