高密封电力半导体功率器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高密封电力半导体功率器件。其技术要点是：上压板、半导体芯片、下底板，所述半导体芯片位于上压板与下底板之间，所述上压板、半导体芯片外设有白胶层，所述白胶层外侧设有密封套，本实用新型专利技术能够提高二极管芯片的密封效果，在后续使用高密封电力半导体功率器件制造电子模块时，不需要进行密封处理，提高封装效率。提高封装效率。提高封装效率。

【技术实现步骤摘要】
高密封电力半导体功率器件


[0001]本技术涉及二极管、可控硅领域，更具体的说是涉及一种高密封电力半导体功率器件。

技术介绍

[0002]电力半导体功率器件用在单、三相二极管整流桥，单、三相二极管整流模块，可控硅整流模块，可控硅二极管混合模块，超快恢复二极管整流模块。现有的电力半导体功率器件由上压板、半导体芯片、下底板组成，并在下底板与上压板之间涂抹白胶进行密封隔离。
[0003]然而白胶在固化后存在少量气孔，因此在电力半导体功率器件在安装后，需要对电力半导体功率器件进行密封处理，以保证电力半导体功率器件内部半导体芯片处于稳定的工作状态，提高成品的稳定性，以及使用寿命。然而将电力半导体功率器件焊接后再进行密封的操作不便，导致模块生产效率低。

技术实现思路

[0004]针对现有技术存在的不足，本技术的目的在于提供一种密封性能高的高密封电力半导体功率器件。
[0005]为实现上述目的，本技术提供了如下技术方案：高密封电力半导体功率器件，包括有上压板、半导体芯片、下底板，所述半导体芯片位于上压板与下底板之间，所述上压板、半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.高密封电力半导体功率器件，包括有上压板(1)、半导体芯片(2)、下底板(3)，所述半导体芯片(2)位于上压板(1)与下底板(3)之间，所述上压板(1)、半导体芯片(2)外设有白胶层(4)，其特征在于：所述白胶层(4)外侧设有密封套(5)，所述密封套(5)完全包裹白胶层(4)，将白胶层(4)与外界隔离。2.根据权利要求1所述的高密封电力半导体功率器件，其特征在于：所述密封套(5)由环氧树脂制成。3.根据权利要求1或2所述的高密封电力半导体功率器件，其特征在于：所述下底板(3)的边缘设有下固定缺口(31)，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈勇虎，施勇，
申请(专利权)人：缙云县亿芯电子有限公司，
类型：新型
国别省市：