高密封电力半导体功率器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高密封电力半导体功率器件。其技术要点是：上压板、半导体芯片、下底板，所述半导体芯片位于上压板与下底板之间，所述上压板、半导体芯片外设有白胶层，所述白胶层外侧设有密封套，本实用新型专利技术能够提高二极管芯片的密封效果，在后续使用高密封电力半导体功率器件制造电子模块时，不需要进行密封处理，提高封装效率。提高封装效率。提高封装效率。

【技术实现步骤摘要】
高密封电力半导体功率器件


[0001]本技术涉及二极管、可控硅领域，更具体的说是涉及一种高密封电力半导体功率器件。

技术介绍

[0002]电力半导体功率器件用在单、三相二极管整流桥，单、三相二极管整流模块，可控硅整流模块，可控硅二极管混合模块，超快恢复二极管整流模块。现有的电力半导体功率器件由上压板、半导体芯片、下底板组成，并在下底板与上压板之间涂抹白胶进行密封隔离。
[0003]然而白胶在固化后存在少量气孔，因此在电力半导体功率器件在安装后，需要对电力半导体功率器件进行密封处理，以保证电力半导体功率器件内部半导体芯片处于稳定的工作状态，提高成品的稳定性，以及使用寿命。然而将电力半导体功率器件焊接后再进行密封的操作不便，导致模块生产效率低。

技术实现思路

[0004]针对现有技术存在的不足，本技术的目的在于提供一种密封性能高的高密封电力半导体功率器件。
[0005]为实现上述目的，本技术提供了如下技术方案：高密封电力半导体功率器件，包括有上压板、半导体芯片、下底板，所述半导体芯片位于上压板与下底板之间，所述上压板、半导体芯片外设有白胶层，所述白胶层外侧设有密封套，所述密封套完全包裹白胶层，将白胶层与外界隔离。
[0006]作为本技术的进一步改进，所述密封套由环氧树脂制成。
[0007]作为本技术的进一步改进，所述下底板的边缘设有下固定缺口，所述密封套上设有下固定块，所述下固定块一一对应的嵌入下固定缺口内。
[0008]作为本技术的进一步改进，所述下固定缺口的内侧大，外侧小。
[0009]作为本技术的进一步改进，所述上压板的直径小于下底板的直径，所述密封套上设有密封环，所述密封环包裹上压板的侧边。
[0010]作为本技术的进一步改进，所述密封环、下固定块与密封套一体成型。
[0011]作为本技术的进一步改进，所述白胶层位于上压板与下底板之间，所述上压板的下侧边缘设有上定位槽，所述下底板的上侧边缘设有下定位槽，所述密封套内设有抵触环，所述抵触环位于上定位槽与下定位槽之间。
[0012]作为本技术的进一步改进，所述密封套上侧设有包裹环，所述包裹环包裹上压板外侧。
[0013]本技术的有益效果，电力半导体功率器件的密封效果好，在后续使用高密封电力半导体功率器件制造电子模块时，不需要进行密封处理，提高封装效率。
附图说明
[0014]图1为圆形二极管芯片的一种立体结构示意图；
[0015]图2为圆形可控硅芯片的俯视平面结构示意图；
[0016]图3为下底板的平面结构示意图；
[0017]图4为密封套的一种结构示意图；
[0018]图5为本技术理想状态下的的一种剖视结构示意图；
[0019]图6为本技术实际生产过中的另一种剖视结构示意图(白胶层在重力作用下，外侧面倾斜)；
[0020]图7为现有的二极管芯片的剖视结构示意图。
[0021]标记说明：1、上压板；2、半导体芯片；3、下底板；31、下固定缺口；4、白胶层；5、密封套；51、密封环；52、下固定块。
具体实施方式
[0022]下面将结合附图所给出的实施例对本技术做进一步的详述。
[0023]参照图1一图7所示，本实施例的高密封电力半导体功率器件，包括有上压板1、半导体芯片2、下底板3，所述半导体芯片2位于上压板1与下底板3之间，所述上压板1、半导体芯片2外设有白胶层4，所述白胶层4外侧设有密封套5，所述密封套5完全包裹白胶层4，将白胶层4与外界隔离。
[0024]电力半导体功率器件内部的半导体芯片可以是二极管芯片，也可以是可控硅芯片，区别在于二极管芯片仅有两极，通过上压板1和下底板3连接；可控硅芯片多一个控制极，控制极从上压板1穿出。电力半导体功率器件的尺寸规格与国标、行标要求一致，在此不做过多说明。
[0025]通过上述技术方案，在半导体芯片通过白胶密封后，再在白胶外侧设置密封套5，将白胶层4完全包裹在内，避免白胶层4与外部空气直接接触，提高半导体芯片封装后的密封效果。在后续使用高密封电力半导体功率器件制造电子模块时，不需要进行密封处理，提高封装效率。
[0026]作为改进的一种具体实施方式，所述密封套5由环氧树脂制成。
[0027]通过上述技术方案，环氧树脂具有良好的粘连强度和耐腐蚀、耐化学性能，并且环氧树脂加工方便。粘连强度高，使得环氧树脂与白胶、上压板1、下底板3的连接处连接紧密，密封效果好。
[0028]作为改进的一种具体实施方式，所述下底板3的边缘设有下固定缺口31，所述密封套5上设有下固定块52，所述下固定块52一一对应的嵌入下固定缺口31内。
[0029]通过上述技术方案，密封套5通过下固定块52与下固定缺口31相连，进而提高密封套5与下底板3之间的连接强度，扩大密封套5的受力面，扩大密封套5的受力角度，使得密封套5的位置稳定，始终密封白胶层4。
[0030]作为改进的一种具体实施方式，所述下固定缺口31的内侧大，外侧小。
[0031]通过上述技术方案，下固定缺口31的内侧大，外侧小，下固定块52与下固定缺口31的形状一致，进一步提高连接后密封套5与下底板3之间的结构强度。
[0032]作为改进的一种具体实施方式，所述上压板1的直径小于下底板3的直径，所述密
封套5上设有密封环51，所述密封环51包裹上压板1的侧边。
[0033]通过上述技术方案，密封套5上设有密封环51，所述密封环51包裹上压板1的侧边，密封套5通过密封环51与上压板1相连，进而提高密封套5与上压板1之间的连接强度，扩大密封套5的受力面，增加了密封套5的受力角度，使得密封套5的位置稳定，始终密封白胶层4。
[0034]作为改进的一种具体实施方式，所述密封环51、下固定块52与密封套5一体成型。
[0035]通过上述技术方案，密封环51、下固定块52与密封套5一体成型，提高结构强度，进而保证密封效果。
[0036]以上所述仅是本技术的优选实施方式，本技术的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本技术思路下的技术方案均属于本技术的保护范围。应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.高密封电力半导体功率器件，包括有上压板(1)、半导体芯片(2)、下底板(3)，所述半导体芯片(2)位于上压板(1)与下底板(3)之间，所述上压板(1)、半导体芯片(2)外设有白胶层(4)，其特征在于：所述白胶层(4)外侧设有密封套(5)，所述密封套(5)完全包裹白胶层(4)，将白胶层(4)与外界隔离。2.根据权利要求1所述的高密封电力半导体功率器件，其特征在于：所述密封套(5)由环氧树脂制成。3.根据权利要求1或2所述的高密封电力半导体功率器件，其特征在于：所述下底板(3)的边缘设有下固定缺口(31)，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈勇虎，施勇，
申请(专利权)人：缙云县亿芯电子有限公司，
类型：新型
国别省市：