具有粘合构件的半导体封装件制造技术

一种半导体封装件包括：封装衬底；顺序地层叠在封装衬底上的第一半导体芯片和第二半导体芯片，第一半导体芯片和第二半导体芯片按照偏移层叠结构的形式设置，并且第二半导体芯片包括在第一水平方向上进一步突出超过第一半导体芯片的侧表面的外伸部；粘合构件，其设置在第二半导体芯片的下表面上，粘合构件包括延伸至比第一半导体芯片的上表面更低的水平的延伸部。延伸部接触第一半导体芯片的侧表面，并且在竖直方向上与外伸部的至少一部分交叠。叠。叠。

【技术实现步骤摘要】
具有粘合构件的半导体封装件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年9月17日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请No.10
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2021
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0124718的优先权，其公开内容整体以引用方式并入本文。


[0003]本公开的示例性实施例涉及一种具有粘合构件的半导体封装件。

技术介绍

[0004]根据半导体装置朝着小型化的趋势，正在对多芯片半导体封装件进行研究。多芯片半导体封装件包括多个半导体芯片层叠的结构。

技术实现思路

[0005]本公开的示例性实施例提供一种具有粘合构件的半导体封装件。
[0006]根据本公开的示例性实施例的半导体封装件可包括：封装衬底，其包括上焊盘；第一半导体芯片和第二半导体芯片，第一半导体芯片和第二半导体芯片顺序地层叠在封装衬底上，第一半导体芯片和第二半导体芯片以偏移层叠结构的形式设置，并且第二半导体芯片包括在第一水平方向上进一步突出超过第一半导体芯片的侧表面的外伸部；接合引线，其将第一半导体芯片和第二半导体芯片连接到上焊盘；粘合构件，其设置在第二半导体芯片的下表面上，粘合构件包括延伸至比第一半导体芯片的上表面更低的水平的延伸部；以及密封剂，其覆盖封装衬底、第一半导体芯片和第二半导体芯片。延伸部可接触第一半导体芯片的侧表面，并且可在竖直方向上与外伸部的至少一部分交叠。
[0007]根据本公开的示例性实施例的半导体封装件可包括：封装衬底，其包括上焊盘；第一半导体芯片至第四半导体芯片，第一半导体芯片至第四半导体芯片顺序地层叠在封装衬底上，第一半导体芯片至第四半导体芯片按照偏移层叠结构的形式设置，并且第二半导体芯片至第四半导体芯片中的每一个包括在第一水平方向上进一步突出超过设置在其正下方的半导体芯片的侧表面的外伸部；接合引线，其将第一半导体芯片至第四半导体芯片连接到上焊盘；粘合构件，其分别设置在第二半导体芯片至第四半导体芯片的下表面上，粘合构件分别包括延伸部；以及密封剂，其覆盖封装衬底和第一半导体芯片至第四半导体芯片。最下延伸部可接触第一半导体芯片的侧表面，并且可在竖直方向上与第二半导体芯片的外伸部的至少一部分交叠。
[0008]根据本公开的示例性实施例的半导体封装件可包括：封装衬底，其包括上焊盘和外连接端子，上焊盘设置在封装衬底的上表面上，并且外连接端子设置在封装衬底的下表面上；第一半导体芯片和第二半导体芯片，第一半导体芯片和第二半导体芯片顺序地层叠在封装衬底上，第一半导体芯片和第二半导体芯片按照偏移层叠结构的形式设置，并且第二半导体芯片包括在第一水平方向上进一步突出超过第一半导体芯片的侧表面的外伸部；接合引线，其将第一半导体芯片和第二半导体芯片连接到上焊盘；粘合构件，其设置在第二
半导体芯片的下表面上，粘合构件包括延伸至比第一半导体芯片的上表面更低的水平的延伸部；以及密封剂，其覆盖封装衬底、第一半导体芯片和第二半导体芯片。第一半导体芯片可包括顺序地层叠在第一半导体衬底上的器件层、下绝缘层、上绝缘层和保护层。延伸部可接触器件层、下绝缘层、上绝缘层和保护层，并且可在竖直方向上与外伸部的至少一部分交叠。
附图说明
[0009]图1是根据本公开的示例性实施例的半导体封装件的竖直横截面图。
[0010]图2是图1的一部分的放大图。
[0011]图3是图2的一部分的放大图。
[0012]图4是图1所示的半导体封装件的平面图。
[0013]图5是图4所示的半导体封装件的竖直横截面图。
[0014]图6是根据本公开的示例性实施例的半导体封装件的平面图。
[0015]图7是图6所示的半导体封装件的竖直横截面图。
[0016]图8至图10是根据本公开的示例性实施例的半导体封装件的竖直横截面图。
[0017]图11是根据本公开的示例性实施例的半导体封装件的竖直横截面图。
[0018]图12是图11所示的半导体封装件的平面图。
[0019]图13是根据本公开的示例性实施例的半导体封装件的平面图。
[0020]图14是根据本公开的示例性实施例的半导体封装件的竖直横截面图。
[0021]图15是图14所示的半导体封装件的平面图。
[0022]图16是根据本公开的示例性实施例的半导体封装件的竖直横截面图。
[0023]图17是根据本公开的示例性实施例的半导体封装件的竖直横截面图。
[0024]图18是图17所示的半导体封装件的平面图。
[0025]图19和图20分别是根据本公开的示例性实施例的半导体封装件的竖直横截面图。
具体实施方式
[0026]示例实施例将从以下结合附图的简要描述更清楚地理解。相似的标号始终表示相似的元件。附图表示如本文所描述的非限制性示例实施例。
[0027]图1是根据本公开的示例性实施例的半导体封装件的竖直横截面图。
[0028]参照图1，半导体封装件100a可包括封装衬底102、第一半导体芯片110、粘合构件140、第二半导体芯片210、粘合构件240和密封剂M。
[0029]封装衬底102可包括上焊盘103和上焊盘104、下焊盘105、布线106和外连接端子107。在实施例中，封装衬底102可以是印刷电路板，并且可包括诸如酚醛树脂、环氧树脂、预浸料等的绝缘材料。在另一实施例中，封装衬底102可以是重分布层，在重分布层中，绝缘材料和导电材料层叠。上焊盘103和上焊盘104以及下焊盘105可通过在封装衬底102的基础上形成金属层，然后将金属层图案化来形成。尽管未示出，但是阻焊层可设置在封装衬底102的上表面和下表面上，并且可部分地覆盖上焊盘103和上焊盘104以及下焊盘105。
[0030]半导体封装件100a还可包括第一接合引线W1和第二接合引线W2，其分别将上焊盘103和104连接到第一半导体芯片110和第二半导体芯片210。上焊盘103和104可设置在封装
衬底102的上表面上，并且可分别电连接至第一半导体芯片110和第二半导体芯片210。下焊盘105可设置在封装衬底102的下表面上，并且上焊盘103和104可通过布线106电连接至对应下焊盘105。外连接端子107可设置在下焊盘105下方。
[0031]上焊盘103和104和下焊盘105可包括诸如铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、铅(Pd)、铂(Pt)、金(Au)和银(Ag)的金属。布线106可包括铜(Cu)、铝(Al)、钨(W)、镍(Ni)、钛(Ti)、氮化钛(T iN)、钽(Ta)、氮化钽(TaN)、金(Au)或其组合。外连接端子107可以是焊料凸块。
[0032]第一半导体芯片110和第二半导体芯片210可顺序地安装在封装衬底102上。尽管在图1中示出两个半导体芯片层叠，但本公开的示例性实施例不限于此。第一半导体芯片110和第二半导体芯片210可包括诸如DRAM的易失性存储器芯片或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，包括：封装衬底，其包括上焊盘；第一半导体芯片和第二半导体芯片，所述第一半导体芯片和第二半导体芯片顺序地层叠在所述封装衬底上，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片按照偏移层叠结构的形式设置，并且所述第二半导体芯片包括在第一水平方向上进一步突出超过所述第一半导体芯片的侧表面的外伸部；接合引线，其将所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片连接到所述上焊盘；粘合构件，其设置在所述第二半导体芯片的下表面上，所述粘合构件包括延伸至比所述第一半导体芯片的上表面更低的水平的延伸部；以及密封剂，其覆盖所述封装衬底、所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片，其中，所述延伸部接触所述第一半导体芯片的所述侧表面，并且在竖直方向上与所述外伸部的至少一部分交叠。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：所述第一半导体芯片包括设置在所述第一半导体芯片的上部的上绝缘层以及在所述上绝缘层上的保护层；并且所述延伸部接触所述第一半导体芯片的所述上绝缘层和所述保护层。3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述延伸部插置在所述密封剂和所述上绝缘层之间以及所述密封剂和所述保护层之间。4.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中：所述第一半导体芯片还包括第一半导体衬底、位于所述第一半导体衬底上的器件层以及位于所述器件层和所述上绝缘层之间的下绝缘层；并且所述延伸部还接触所述器件层和所述下绝缘层。5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述延伸部还接触所述第一半导体衬底。6.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述保护层的水平长度小于所述第一半导体衬底的水平长度。7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，在平面图中，所述延伸部在所述第一水平方向上以及在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上沿着所述第一半导体芯片的外侧表面延伸。8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述延伸部在所述第二水平方向上的侧表面中的至少一个侧表面为圆形，并且进一步突出超过所述第二半导体芯片在所述第二水平方向上的侧表面。9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上彼此偏移；并且在平面图中，所述延伸部在所述第一水平方向和所述第二水平方向上沿着所述第一半导体芯片的外侧表面延伸。10.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，所述延伸部在所述第二水平方向上的侧表面之一为圆形，并且进一步突出超过所述第二半导体芯片在所述第二水平方向上的侧
表面。11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，在横截面图中，所述延伸部的侧表面为凹形。12.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：所述粘合构件的设置在所述第一半导体芯片的上表面和所述第二半导体芯片的下表面之间的部分具有第一厚度；并且所述粘合构件在所述第一水平方向上的端部具有大于所述第一厚度的第二厚度。13.根据权利要求12所述的半导体封装件，其中，所述第二厚度小于所述延伸部的最大厚度。14.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述延伸部在所述竖直方向上与所述外伸部完全交叠。15.一种半导体封装件，包括：封装衬底，其包括上焊盘；第一半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴柱永，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：