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本实用新型公开了一种高密封电力半导体功率器件。其技术要点是：上压板、半导体芯片、下底板，所述半导体芯片位于上压板与下底板之间，所述上压板、半导体芯片外设有白胶层，所述白胶层外侧设有密封套，本实用新型能够提高二极管芯片的密封效果，在后续使用高...
该专利属于缙云县亿芯电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过缙云县亿芯电子有限公司授权不得商用。

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