温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于半导体器件刻蚀的技术领域，尤其涉及一种在半导体表面一次形成具有不同深度沟槽的方法，经过在被刻蚀材料表面的指定位置形成具有斜坡结构的第一掩膜材料和第二掩膜材料后，通过光刻工艺在第二掩膜材料上形成光刻胶层及按设计形成系列窗口；通过此系...
该专利属于芯众享（成都）微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯众享（成都）微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。