深槽衬底图形化的制备方法技术

本发明专利技术属于微机电系统的技术领域，具体涉及深槽衬底图形化的制备方法。所述的深槽衬底图形化的制备方法，包括以下步骤：提供一种衬底；衬底上形成一种硬掩膜；在所述硬掩膜层上形成一种光刻胶层并曝光、显影，暴露部分硬掩膜层；在暴露的所述部分硬掩膜层进行刻蚀，暴露部分衬底层；在暴露的衬底层干法刻蚀或者湿法刻蚀，形成高深宽比深槽；采用喷涂工艺，在带有深槽图形的衬底上形成均匀涂布的光刻胶，并对光刻胶进行图形化；对衬底层进行刻蚀或者金属沉积剥离，在深槽中形成所需要的图形。本发明专利技术提出的深槽衬底图形化的制备方法，在图形化工艺中，完成均匀的、高质量的涂胶和有效的侧壁保护，解决了器件短路或侧壁存有残留金属的问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
深槽衬底图形化的制备方法


[0001]本专利技术属于微机电系统的
，具体涉及深槽衬底图形化的制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，各类技术稳健地向着智能化方向迈进，大力地推动了微机电系统的快速发展，但是在硅平面形成图形的技术已经不满足需要，设计上对三维立体结构的要求越来越高，这就对涂胶提出了更高的要求。例如在芯片上叠层封装的技术，也称为3D封装技术，旨在不改变平面面积的前提下，在同一个封装体内封装多个芯片的封装技术。硅通孔技术(TSV)作为3D封装技术重要组成工艺，越来越受人们重。硅通孔技术是在芯片与芯片之间、晶片与晶片之间做成垂直联接，从而使芯片之间相互连通的技术。这和以往封装技术中的凸点叠加技术不同，硅通孔技术能在三维方向上使得堆积密度最大，体积最小，从而提高了芯片运行速度且降低了芯片功耗。
[0003]在芯片工艺的制造过程中，部分工艺需要进行双层台阶刻蚀，即在原有的台阶上界面及下界面同时进行刻蚀，且二次刻蚀过程中不能对原有刻蚀侧壁进行破坏。现有工艺过程中，如果需要保护深槽的侧壁，在上下方向上光刻胶无法完成涂覆保护，而传统本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种深槽衬底图形化的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1：提供一种衬底；步骤S2：衬底上形成一种硬掩膜；步骤S3：在所述硬掩膜层上形成一种光刻胶层并曝光、显影，暴露部分硬掩膜层；步骤S4：在暴露的所述部分硬掩膜层进行刻蚀，暴露部分衬底层；步骤S5：在暴露的衬底层干法刻蚀或者湿法刻蚀，形成高深宽比深槽；步骤S6：采用喷涂工艺，在带有深槽图形的衬底上形成均匀涂布的光刻胶，并对光刻胶进行图形化；步骤S7：对衬底层进行刻蚀或者金属沉积剥离，在深槽中形成所需要的图形。2.根据权利要求1所述的深槽衬底图形化的制备方法，其特征在于：步骤S1中所述的衬底为干法刻蚀、湿法腐蚀的衬底片。3.根据权利要求1所述的深槽衬底图形化的制备方法，其特征在于：步骤S2中所述衬底与硬掩膜层的刻蚀选择比为(80
‑
100):1，硬掩膜为SiO2硬掩膜。4.根据权利要求1所述的深槽衬底图形化的制备方法，其特征在于：步骤S3中所述的光刻胶层的厚度为2.5
‑
2.8μm，与硬掩膜层的厚度选择比为(1
‑
1.3):1。5.根据权利要求1所述的深槽衬底图形化的制备方法，其特征在于：步骤S5中所述的干法刻蚀为对衬底片上暴露的衬底结构进行深感应耦合等离子体干法刻蚀，完成衬底片表面结构层的深刻蚀；刻蚀包括循环进行的钝化步骤、预刻蚀步骤和刻蚀步骤，所述预刻蚀步骤的刻蚀时间为1.1s
‑
2s，所述刻蚀步骤的刻蚀时...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙伟杨，曹玉莲，季安，
申请(专利权)人：山东中科际联光电集成技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：