一种半导体器件的形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的形成方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成光刻胶层，所述光刻胶层经过旋涂、软烘、曝光、曝光后烘焙和显影处理，所述半导体衬底上具有显影后的副产物；旋转处理所述半导体衬底，以去除部分所述副产物；冲洗处理所述半导体衬底，以去除剩余所述副产物，并形成图形化的光刻胶层，其中，图形化的所述光刻胶层具有尺寸大于预设尺寸的开口。本发明专利技术通过增加步骤旋转处理半导体衬底，以去除部分副产物，以在冲洗工艺之前先行清除一部分的副产物，减小了冲洗处理工艺的负担，这样有利于完全清除掉显影后的副产物，从而解决显影工艺所产生的大量副产物造成的单个巨大通孔附近的正常开孔缩小或消失的问题。孔缩小或消失的问题。孔缩小或消失的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体器件的形成方法。

技术介绍

[0002]当前，在半导体器件的焊盘设计时，可能会出现单个巨大通孔以形成焊垫，该单个巨大通孔的尺寸例如大于60μm*60μm，其远大于当前常规的通孔尺寸(即0.3μm*0.3μm)。
[0003]在单个巨大通孔的光刻工艺中，由于光刻胶材料的批次不同，使得有些活化能低的光刻胶不稳定，在光刻工艺时很容易受到来自周围环境和光刻时曝光后烘焙(PEB)工艺的影响。而单个巨大通孔的尺寸大，显影工艺所产生的大量副产物无法在显影后的冲洗工艺中被完全去除，使得单个巨大通孔附近的正常开孔缩小或消失的问题，这些问题使得焊垫消失或不符合设计规格等一系列的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于，提供一种半导体器件的形成方法，可以解决显影工艺所产生的大量副产物造成的单个巨大通孔附近的正常开孔缩小或消失的问题。
[0005]为了解决上述问题，本专利技术提供一种半导体器件的形成方法，包括以下步骤：
[0006本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成光刻胶层，所述光刻胶层经过旋涂、软烘、曝光、曝光后烘焙和显影处理，所述半导体衬底上具有显影后的副产物；步骤S2：旋转处理所述半导体衬底，以去除部分所述副产物；步骤S3：冲洗处理所述半导体衬底，以去除剩余所述副产物，并形成图形化的光刻胶层，其中，图形化的所述光刻胶层具有尺寸大于预设尺寸的开口。2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，步骤S2中，旋转处理所述半导体衬底的工艺时间为7秒～9秒，旋转速率约为2000转/分钟。3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述开口的尺寸大于或等于10μm*10μm。4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述开口的尺寸大于或等于60μm*60μm。5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底和光刻胶层之间还形成有底部抗反射涂...

【专利技术属性】
技术研发人员：李超，陆向宇，王卓斌，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：