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本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成光刻胶层，所述光刻胶层经过旋涂、软烘、曝光、曝光后烘焙和显影处理，所述半导体衬底上具有显影后的副产物；旋转处理所述半导体衬底，以去除部分所述副产物；冲...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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