一种支撑柱及加热盘组件制造技术

本发明专利技术涉及半导体制造设备技术领域，更具体的说，涉及一种用于加热盘的支撑柱以及用于半导体设备中的加热盘组件。本发明专利技术提供了一种用于加热盘的支撑柱，匹配安装在加热盘表面的配合孔内，用于支撑晶圆；所述支撑柱，包括外支撑衬套和内支撑柱：所述外支撑衬套与内支撑柱之间采用可拆卸方式配合连接。本发明专利技术提供的用于加热盘的支撑柱以及加热盘组件，可以调整支撑柱的总体高度，保证晶圆表面的平面度，使得晶圆在薄膜沉积工艺中的受热更加均匀，进而保证整个薄膜沉积的均匀性。证整个薄膜沉积的均匀性。证整个薄膜沉积的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种支撑柱及加热盘组件


[0001]本专利技术涉及半导体制造设备
，更具体的说，涉及一种用于加热盘的支撑柱以及用于半导体设备中的加热盘组件。

技术介绍

[0002]薄膜沉积技术用于制造微电子器件的薄膜，在基板衬底上形成沉积物，常见的薄膜沉积技术包括物理气相沉积、化学气相沉积等技术。
[0003]在薄膜沉积设备中，加热盘用于对晶圆进行加热，以实现相应的薄膜沉积工艺。
[0004]图1和图2分别揭示了现有技术的薄膜沉积设备的加热盘及陶瓷柱安装示意图及放大示意图，如图1和图2所示，现有技术中通常在加热盘110的多个配合孔，配合孔上安装有多组陶瓷柱120。
[0005]陶瓷柱120用于支撑晶圆的表面，可以有效防止晶圆变形，使晶圆受热更加均匀，进而保证薄膜沉积的均匀性。
[0006]图3揭示了现有技术的薄膜沉积设备的陶瓷柱的示意图，如图3所示，现有技术中所使用陶瓷柱120为一次成型结构，多组陶瓷柱120的高度会有所差别，从而使得晶圆距离加热盘110表面的高度也会有所差别，造成晶圆表面温度差异，进而影响薄膜沉积效果。
[0007]另一方面，为了防止陶瓷柱120从加热盘110的配合孔中跳出，如图3所示，陶瓷柱120的圆周对称铣扁，这就造成了在薄膜沉积工艺过程中有杂质容易落入陶瓷柱120的扁平面与加热盘110的配合孔之间的缝隙，造成陶瓷柱120无法取出，更换困难。

技术实现思路

[0008]本专利技术的目的是提供一种支撑柱及对应的加热盘组件，解决现有技术的加热盘支撑晶圆时存在高度差导致晶圆受热不均匀的问题。
[0009]本专利技术的另一个目的是提供一种支撑柱及对应的加热盘组件，解决现有技术中用于加热盘的支撑柱难以进行更换的问题。
[0010]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种用于加热盘的支撑柱，所述支撑柱，匹配安装在加热盘表面的配合孔内，用于支撑晶圆；
[0011]所述支撑柱，包括外支撑衬套和内支撑柱：
[0012]所述外支撑衬套，用于匹配安装在加热盘表面的配合孔内；
[0013]所述内支撑柱，用于支撑晶圆；
[0014]所述外支撑衬套与内支撑柱之间采用可拆卸方式配合连接。
[0015]在一实施例中，所述外支撑衬套与内支撑柱之间采用螺纹连接。
[0016]在一实施例中，所述外支撑衬套的外侧设置有轴肩法兰，用于覆盖加热盘配合孔。
[0017]在一实施例中，所述轴肩法兰的外径大于加热盘配合孔的内径。
[0018]在一实施例中，所述轴肩法兰的圆周对称加工两个扁平面。
[0019]在一实施例中，所述内支撑柱设置有中心孔：
[0020]所述中心孔，为通孔结构，将内支撑柱上下的气流导通。
[0021]在一实施例中，所述外支撑衬套与内支撑柱为陶瓷材料。
[0022]在一实施例中，所述可拆卸连接方式包括卡扣连接和铰链连接。
[0023]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种用于半导体设备中的加热盘组件，其特征在于，包括加热盘和若干支撑柱：
[0024]所述加热盘表面设置有若干配合孔；
[0025]所述支撑柱，采用上述的支撑柱，匹配安装在配合孔内，用于支撑晶圆。
[0026]在一实施例中，所述配合孔为沉头孔。
[0027]本专利技术提供的一种用于加热盘的支撑柱以及加热盘组件，可以调整支撑柱的总体高度，保证晶圆表面的平面度，使得晶圆在薄膜沉积工艺中的受热更加均匀，进而保证整个薄膜沉积的均匀性。
[0028]本专利技术提出的一种用于加热盘的支撑柱以及加热盘组件，具体具有以下
[0029]有益效果：
[0030]1)通过外支撑衬套和内支撑柱之间的可拆卸连接，可调整支撑柱的总体高度，保证晶圆表面的平面度；
[0031]2)通过外支撑衬套的轴肩法兰将配合孔覆盖，可以防止杂质落入配合孔与陶瓷柱之间的间隙；
[0032]3)通过在内支撑柱设置中心孔，保证支撑柱上下通气，平衡压差，避免支撑柱跳出。
附图说明
[0033]本专利技术上述的以及其他的特征、性质和优势将通过下面结合附图和实施例的描述而变的更加明显，在附图中相同的附图标记始终表示相同的特征，其中：
[0034]图1揭示了现有技术的薄膜沉积设备的加热盘及陶瓷柱安装示意图；
[0035]图2揭示了现有技术的薄膜沉积设备的加热盘及陶瓷柱放大示意图；
[0036]图3揭示了现有技术的薄膜沉积设备的陶瓷柱的示意图；
[0037]图4a揭示了根据本专利技术一实施例的用于加热盘的陶瓷柱的立体示意图；
[0038]图4b揭示了根据本专利技术一实施例的用于加热盘的陶瓷柱的截面示意图；
[0039]图5揭示了现有技术的薄膜沉积设备的加热盘及陶瓷柱安装间隙示意图；
[0040]图6揭示了根据本专利技术一实施例的用于加热盘的陶瓷柱安装示意图；
[0041]图7揭示了根据本专利技术一实施例的用于半导体设备中的加热盘组件示意图。
[0042]图中各附图标记的含义如下：
[0043]110加热盘；
[0044]120陶瓷柱；
[0045]210加热盘；
[0046]220陶瓷柱；
[0047]221外陶瓷衬套；
[0048]222内陶瓷柱；
[0049]223轴肩法兰；
[0050]2231扁平面；
[0051]224中心孔。
具体实施方式
[0052]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释专利技术，并不用于限定专利技术。
[0053]在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本专利技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0054]需要说明的是，下述实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，虽图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
[0055]本专利技术提出的一种用于加热盘的支撑柱，匹配安装在加热盘表面的配合孔内，用于支撑晶圆；
[0056]所述支撑柱，包括外支撑衬套和内支撑柱：
[0057]所述外支撑衬套与内支撑柱之间采用可拆卸方式配合连接。
[0058]支撑柱的材料一般可以为陶瓷材料，但是本专利技术的支撑柱并不限制于其他材料。
[0059]图4a揭示了根据本专利技术一实施例的用于加热盘的陶瓷柱的立体示意图，图4b揭示了根据本专利技术一实施例的用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于加热盘的支撑柱，其特征在于，所述支撑柱，包括外支撑衬套和内支撑柱：所述外支撑衬套，用于匹配安装在加热盘表面的配合孔内；所述内支撑柱，用于支撑晶圆；所述外支撑衬套与内支撑柱之间采用可拆卸方式配合连接。2.根据权利要求1所述的用于加热盘的支撑柱，其特征在于，所述外支撑衬套与内支撑柱之间采用螺纹连接。3.根据权利要求1所述的用于加热盘的支撑柱，其特征在于，所述外支撑衬套的外侧设置有轴肩法兰，用于覆盖加热盘配合孔。4.根据权利要求3所述的用于加热盘的支撑柱，其特征在于，所述轴肩法兰的外径大于加热盘配合孔的内径。5.根据权利要求3所述的用于加热盘的支撑柱，其特征在于，所述轴肩法兰的圆周对称设置两个扁平面。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱晓亮，杨华龙，吴凤丽，张启辉，高鹏飞，赵坤，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：