纵向栅氧结构的LDMOSFET器件及制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体领域，提供一种纵向栅氧结构的LDMOSFET器件及制造方法。LDMOSFET器件包括：半导体衬底、阱区、体区、漂移区、源区以及漏区，还包括：纵向设置于漂移区与体区之间的纵向栅氧结构，纵向栅氧结构包括纵向栅以及包覆于纵向栅的氧化层，氧化层、漂移区以及体区构成场板结构。氧化层包括第一氧化层、第二氧化层以及第三氧化层，第一氧化层与体区相接，作为纵向栅与体区之间的栅氧化层；第二氧化层与阱区相接，作为纵向栅与阱区之间的场板隔离介质层；第三氧化层与漂移区相接，作为纵向栅与漂移区之间的场板隔离介质层。本发明专利技术通过纵向栅氧结构提高器件的击穿电压，同时减少漂移区的横向面积，从而减少芯片面积。从而减少芯片面积。从而减少芯片面积。

【技术实现步骤摘要】
纵向栅氧结构的LDMOSFET器件及制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，具体地涉及一种纵向栅氧结构的LDMOSFET器件、一种纵向栅氧结构的LDMOSFET器件的制造方法以及一种功率芯片。

技术介绍

[0002]横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（Lateral Double
‑
diffused MOSFET，简称LDMOSFET）具有耐压高、功耗低、大电流驱动能力等特点，广泛采用于电源管理电路中。
[0003]LDMOSFET器件通常具有横向的漂移区以及漂移区上方的栅极结构，并且在漂移区表面设置场板结构，以降低器件的表面电场，提高击穿电压。漂移区的长度与击穿电压相关，击穿电压越高，漂移区的长度越长，因此漂移区通常会占LDMOSFET一半的表面尺寸，尤其是高压LDMOSFET，漂移区所占的表面尺寸更大，导致整个芯片面积增大，成本增加。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种纵向栅氧结构的LDMOSFET器件及制造方法，以提高器件的击穿电压，同时减少LDMOSFET芯片的面积。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纵向栅氧结构的LDMOSFET器件，包括半导体衬底、阱区、体区、漂移区、源区以及漏区，其特征在于，还包括：纵向设置于漂移区与体区之间的纵向栅氧结构，所述纵向栅氧结构的底部与阱区相接；所述纵向栅氧结构包括纵向栅以及包覆于纵向栅的氧化层，所述包覆于纵向栅的氧化层、所述漂移区以及所述体区构成场板结构；所述包覆于纵向栅的氧化层包括第一氧化层、第二氧化层以及第三氧化层；所述第一氧化层与所述体区相接，作为所述纵向栅与所述体区之间的栅氧化层；所述第二氧化层与所述阱区相接，作为所述纵向栅与所述阱区之间的场板隔离介质层；所述第三氧化层与所述漂移区相接，作为所述纵向栅与所述漂移区之间的场板隔离介质层。2.根据权利要求1所述的纵向栅氧结构的LDMOSFET器件，其特征在于，所述第三氧化层的厚度大于所述第二氧化层的厚度，所述第二氧化层的厚度大于所述第一氧化层的厚度。3.根据权利要求1所述的纵向栅氧结构的LDMOSFET器件，其特征在于，所述源区设置于所述体区表面，所述漏区设置于所述漂移区表面。4.一种纵向栅氧结构的LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成阱区、漂移区和体区；在体区与漂移区相接的位置形成纵向的深沟槽，使得深沟槽的底部与阱区相接；在深沟槽内填充氧化物，对填充的氧化物进行刻蚀，形成深沟槽侧壁和底部的氧化层；在具有氧化层的深沟槽内填充多晶硅，形成纵向栅氧结构；在体区表面形成源区，在漂移区表面形成漏区。5.根据权利要求4所述的纵向栅氧结构的LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述在半导体衬底上形成阱区、漂移区和体区，包括：采用P型硅衬底作为半导体衬底，在P型硅衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：余山，陈燕宁，刘芳，朱松超，王凯，吴波，邓永锋，鹿祥宾，郁文，张东，
申请(专利权)人：北京芯可鉴科技有限公司，
类型：发明
国别省市：