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本发明涉及半导体领域，提供一种纵向栅氧结构的LDMOSFET器件及制造方法。LDMOSFET器件包括：半导体衬底、阱区、体区、漂移区、源区以及漏区，还包括：纵向设置于漂移区与体区之间的纵向栅氧结构，纵向栅氧结构包括纵向栅以及包覆于纵向栅的氧...
该专利属于北京芯可鉴科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京芯可鉴科技有限公司授权不得商用。

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