【技术实现步骤摘要】
图像传感器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年1月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2022
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0013202的优先权，该申请中的公开内容以引用其全部的方式并入本文。
[0003]示例实施例涉及一种图像传感器。更具体地，示例实施例涉及包括像素划分结构的图像传感器。
技术介绍
[0004]在包括像素划分结构的图像传感器中，电子可以在像素划分结构和光感测元件之间的边界处流动以产生暗电流。负偏压可以被施加到像素划分结构中包括的核心，使得电子的流动可以被杂质区捕获以减少暗电流。像素划分结构中包括的核心可以包括多晶硅；然而，多晶硅可能具有高的光吸收率，使得图像传感器中的光效率可能降低。
技术实现思路
[0005]示例实施例提供了一种具有改进的特性的图像传感器。
[0006]根据本公开的一方面，一种图像传感器包括：像素划分结构，其沿竖直方向延伸穿过衬底，竖直方向基本上垂直于衬底的上表面，像素划分结构限定其中分别...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：像素划分结构，其在竖直方向上延伸穿过衬底，所述竖直方向垂直于所述衬底的上表面，所述像素划分结构限定其中分别形成有单位像素的单位像素区；光感测元件，其位于所述单位像素区中的每一个中；平坦化层，其位于所述衬底上；滤色器阵列层，其位于所述平坦化层上，所述滤色器阵列层包括滤色器；以及微透镜，其位于所述滤色器阵列层上，其中，所述像素划分结构包括：在所述竖直方向上延伸的核心；以及位于所述核心的侧壁上的侧向图案结构，并且其中，所述侧向图案结构包括：位于所述核心的下部的侧壁上的第一侧向图案；位于所述第一侧向图案上的空气间隔件；以及第二侧向图案，其位于所述第一侧向图案的外侧壁上和所述空气间隔件的外侧壁上。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一侧向图案包括氮化物，并且所述第二侧向图案包括氧化物。3.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括所述空气间隔件上的第三侧向图案。4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述第三侧向图案包括与所述平坦化层的材料相同的材料。5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，所述平坦化层包括在所述竖直方向上顺序堆叠的第一层、第二层、第三层、第四层和第五层，并且其中，所述第三侧向图案包括与所述第一层的材料相同的材料。6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，所述第三侧向图案包括金属氧化物。7.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述第三侧向图案包括折射率低于所述第一侧向图案中包括的材料的折射率的材料。8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述核心包括：第一填充图案，其包括掺杂有p型杂质或n型杂质的多晶硅；以及第二填充图案，其位于由所述第一填充图案形成的空间中，其中，所述第二填充图案的侧壁被所述第一填充图案覆盖，并且所述第二填充图案包括多晶硅。9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述核心和所述侧向图案结构形成第一填充图案结构，并且其中，所述像素划分结构还包括位于所述第一填充图案结构下方的第二填充图案结构。10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述第二填充图案结构的宽度大于所述第一填充图案结构的宽度。11.一种图像传感器，包括：像素划分结构，其在竖直方向上延伸穿过衬底，所述竖直方向垂直于所述衬底的上表面，所述像素划分结构限定其中分别形成有单位像素的单位像素区；
光感测元件，其位于所述单位像素区中的每一个中；平坦化层，其位于所述衬底上；滤色器阵列层，其位于所述平坦化层上，所述滤色器阵列层包括滤色器；以及微透镜，其位于所述滤色器阵列层上，其中，所述像素划分结构包括：在所述竖直方向上延伸并包括多晶硅的核心；以及位于所述核心的侧壁上的侧向图案结构，并且其中，所述侧向图案结构包括：位于所述核心的侧壁上的空气间隔件；以及位于所述空气间隔件的外侧壁上的第一侧向图案，所述第一侧向图案包括氧化物。12.根据权利要求11所述的图像传感器，还包括所述空气间隔件上的第二侧向图案。13.根据权利要求12所述的图像传感器，其中，所述第二侧向图案包括与所述平坦化层的材料相同的材...
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