光学器件及其形成方法技术

公开了具有隔离结构的光学器件及其制造方法。光学器件包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的衬底、设置在衬底中的第一辐射感测器件和第二辐射感测器件、设置在衬底中并且位于所述第一辐射感测器件和所述第二辐射感测器件之间的第一隔离结构。第一隔离结构具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。光学器件还包括设置在衬底中并且位于第一隔离结构的第一表面上的第二隔离结构。第二隔离结构包括金属结构和围绕金属结构的介电层。第二隔离结构在衬底的第一表面上方垂直地延伸。隔离结构在衬底的第一表面上方垂直地延伸。隔离结构在衬底的第一表面上方垂直地延伸。

【技术实现步骤摘要】
光学器件及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例涉及光学器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]图像传感器用于感测入射的可见或不可见辐射，例如可见光和红外光。互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)和电荷耦合器件(CCD)传感器用于各种应用，诸如数码相机、手机、平板电脑和护目镜。这些图像传感器利用像素阵列来吸收(例如，感测)入射辐射并将其转换为电信号。图像传感器的实例是背照式(BSI)图像传感器，它检测来自BSI图像传感器衬底“背侧”的辐射。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一些实施例提供了一种光学器件，该光学器件包括：衬底，衬底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一辐射感测器件和第二辐射感测器件，设置在衬底中；第一隔离结构，设置在衬底中并且位于第一辐射感测器件和第二辐射感测器件之间，第一隔离结构包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；以及第二隔离结构，设置在衬底中并且位于第一隔离结构的第一表面上，第二隔离结构包括：金属结构；以及介电层，围绕金属结构；其中，第二隔离结构在衬底的第一表面上方垂直地延伸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学器件，包括：衬底，所述衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一辐射感测器件和第二辐射感测器件，设置在所述衬底中；第一隔离结构，设置在所述衬底中并且位于所述第一辐射感测器件和所述第二辐射感测器件之间，所述第一隔离结构包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；以及第二隔离结构，设置在所述衬底中并且位于所述第一隔离结构的所述第一表面上，所述第二隔离结构包括：金属结构；以及介电层，围绕所述金属结构；其中，所述第二隔离结构在所述衬底的所述第一表面上方垂直地延伸。2.根据权利要求1所述的光学器件，其中，所述第一隔离结构的所述第二表面与所述衬底的所述第二表面基本上共面。3.根据权利要求1所述的光学器件，其中，所述第二隔离结构的高度大于所述第一隔离结构的高度。4.根据权利要求1所述的光学器件，其中，所述第一隔离结构的宽度大于所述第二隔离结构的宽度。5.根据权利要求1所述的光学器件，其中，所述第二隔离结构在所述衬底的所述第一表面上方垂直地延伸约80nm至约130nm的距离。6.根据权利要求1所述的光学器件，其中，所述介电层与所述第一隔离结构的所述第一表面物理接触。7.根据权利要求1所述的光学器件，其中，所述介电层包括：氧化物层，围绕所述金属结构；以及高k介电层，围绕...

【专利技术属性】
技术研发人员：何承颖，林冠华，周耕宇，许凯钧，林颂恩，王文德，刘人诚，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：