图像传感器制造技术

提供了一种图像传感器，该图像传感器包括第一像素和与第一像素相邻设置的第二像素。像素分离结构设置在第一像素和第二像素之间。后抗反射层设置在第一像素、第二像素和像素分离结构上。栅栏结构设置在后抗反射层上并定位成在平面图中与像素分离结构叠置。栅栏结构包括阻挡金属层和栅栏。阻挡金属层的高度小于栅栏的高度。阻挡金属层的宽度小于栅栏的宽度。阻挡金属层的宽度小于栅栏的宽度。阻挡金属层的宽度小于栅栏的宽度。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器
[0001]本申请要求于2022年1月28日在韩国知识产权局提交的第10
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2022
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0013619号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。


[0002]本专利技术构思涉及一种图像传感器，并且更具体地，涉及一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。

技术介绍

[0003]图像传感器是捕获图像并将图像转换为电信号的电子设备。图像传感器可以是例如可以应用于诸如数码相机、移动电话相机和便携式摄像机以及安装在汽车、安全设备和机器人上的相机的消费电子设备的CMOS图像传感器。
[0004]随着图像传感器的尺寸不断减小，像素的尺寸也在减小。然而，具有相对小尺寸的图像传感器仍应有效地减少像素之间的串扰并提供提高的灵敏度。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思的实施例提供了一种能够减少像素之间的串扰并提高灵敏度的图像传感器。
[0006]根据本专利技术构思的一个方面，图像传感器包括第一像素和与第一像素相邻设置的第二像素。像素分离结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：第一像素；第二像素，与第一像素相邻设置；像素分离结构，设置在第一像素和第二像素之间；后抗反射层，设置在第一像素、第二像素和像素分离结构上；以及栅栏结构，设置在后抗反射层上并且定位成在平面图中与像素分离结构叠置，其中，栅栏结构包括阻挡金属层和栅栏，阻挡金属层的高度小于栅栏的高度，并且阻挡金属层的宽度小于栅栏的宽度。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第一像素和第二像素包括至少一个光电转换元件。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，像素分离结构包括导电层和绝缘衬垫，其中，阻挡金属层是防止擦伤缺陷的金属层。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，栅栏在图像传感器的厚度方向上与后抗反射层间隔开。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，栅栏是绝缘体栅栏或空气栅栏。6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中：栅栏设置成与后抗反射层直接接触；并且阻挡金属层埋入栅栏中。7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中：阻挡金属层是平面上完全地围绕栅栏中的第一像素和第二像素的外围的连接型图案；或者阻挡金属层是平面上部分地围绕栅栏中的第一像素和第二像素的外周的分离型图案。8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，阻挡金属层是平面上以点形式围绕栅栏中的第一像素和第二像素的外周的点型图案。9.一种图像传感器，所述图像传感器包括：第一像素；第二像素，与第一像素相邻设置；像素分离结构，设置在第一像素和第二像素之间；后抗反射层，设置在第一像素、第二像素和像素分离结构上；栅栏结构，设置在后抗反射层上并且定位成在平面图中与像素分离结构叠置；以及滤色器，在后抗反射层上设置在栅栏结构的两侧处，其中，栅栏结构包括设置在后抗反射层上的阻挡金属层和设置在阻挡金属层上的栅栏，其中，阻挡金属层的高度小于栅栏的高度，阻挡金属层的宽度小于栅栏的宽度，并且滤色器埋入在栅栏的下部中从栅栏的两个侧壁向内凹陷的底切部分中。10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，滤色器在栅栏的下部的底切部分中直接接触阻挡金属层。11.根据权利要求9所述的图像传...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳制亨，林夏珍，全宅洙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：