光检测设备制造技术

本发明专利技术涉及光检测设备。光检测设备可包括：片上透镜；第一芯片，包括：第一半导体基板，包括第一雪崩光电二极管，第一雪崩光电二极管包括：阱区域；第一、第二和第三半导体区域；以及第一布线层，包括第一和第二布线；和第二芯片，堆叠在第一芯片上，第二芯片包括：第二半导体基板，包括电路；以及第二布线层，包括第三和第四布线，其中，在横截面图中，阱区域的一部分位于片上透镜和第一半导体区域之间，第一半导体区域位于阱区域的一部分和第二半导体区域之间，其中，第二半导体区域电连接至第一布线，第三半导体区域电连接至第二布线，第一布线直接接合至第三布线，并且，第二布线直接接合至第四布线。第四布线。第四布线。

【技术实现步骤摘要】
光检测设备
[0001]本申请是申请日为2017年10月18日、专利技术名称为“传感器”的申请号为201780004411.X的专利申请的分案申请。


[0002]本技术涉及光电探测器，例如，涉及一种适合应用于雪崩光电二极管的光电探测器。

技术介绍

[0003]雪崩光电二极管(APD)具有盖革模式(Geiger mode)和线性模式，在盖革模式中，雪崩光电二极管在低于击穿电压的偏置电压下工作，而在线性模式中，它在击穿电压附近以稍高的偏置电压工作。盖革模式下的雪崩光电二极管也被称为单光子雪崩光电二极管(SPAD)。
[0004]SPAD是一种能够通过如下处理以像素为基础检测单个光子的设备，在该处理中，通过光电转换产生的载流子在以像素为基础设置的高电场PN结区域中被倍增。
[0005]在专利文献1中，为了提高SPAD像素的灵敏度，提出了一种用于形成高电场区域的层被嵌入并且被偏压耗尽的技术。在专利文献2中，提出了一种通过具有像素之间的隔离的结构来实现减少由于高电场区域中的光发射而对相邻像素的串扰的技术。/>[0006][引本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光检测设备，其包括：片上透镜；第一芯片，所述第一芯片包括：第一半导体基板，所述第一半导体基板包括第一雪崩光电二极管，其中，所述第一雪崩光电二极管包括：阱区域；第一导电类型的第一半导体区域；第二导电类型的第二半导体区域；所述第一导电类型的第三半导体区域，其中，所述第二半导体区域和所述第三半导体区域位于所述第一半导体基板的与光接收表面相反的表面处；以及第一布线层，所述第一布线层包括第一布线和第二布线；和第二芯片，所述第二芯片堆叠在所述第一芯片上，所述第二芯片包括：第二半导体基板，所述第二半导体基板包括电路；以及第二布线层，所述第二布线层包括第三布线和第四布线，其中，在横截面图中，所述阱区域的一部分位于所述片上透镜和所述第一半导体区域之间，其中，在所述横截面图中，所述第一半导体区域位于所述阱区域的所述一部分和所述第二半导体区域之间，其中，所述第二半导体区域电连接至所述第一布线，其中，所述第三半导体区域电连接至所述第二布线，其中，所述第一布线直接接合至所述第三布线，并且其中，所述第二布线直接接合至所述第四布线。2.根据权利要求1所述的光检测设备，其中，在平面图中，所述第三半导体区域围绕所述第二半导体区域。3.根据权利要求1所述的光检测设备，其中，所述第三半导体区域位于沟槽和所述第二半导体区域之间。4.根据权利要求1所述的光检测设备，其中，所述第三布线电连接至包括在所述电路中的晶体管。5.根据权利要求1所述的光检测设备，其中，所述阱区域的第二部分位于所述第二半导体区域和所述第三半导体区域之间。6.根据权利要求1所述的光检测设备，其中，所述第一导...

【专利技术属性】
技术研发人员：大竹悠介，松本晃，山元纯平，内藤隆诚，中沟正彦，若野寿史，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：