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本发明涉及光检测设备。光检测设备可包括：片上透镜；第一芯片，包括：第一半导体基板，包括第一雪崩光电二极管，第一雪崩光电二极管包括：阱区域；第一、第二和第三半导体区域；以及第一布线层，包括第一和第二布线；和第二芯片，堆叠在第一芯片上，第二芯片...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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