图像传感器制造技术

一种图像传感器，包括第一结构和在竖直方向上堆叠在第一结构上的第二结构，第一结构包括分别与第一浮置扩散区域和第二浮置扩散区域电连接的第一像素焊盘和第二像素焊盘以及在第一像素焊盘与第二像素焊盘之间贯穿并且与第一接地结构电连接的第一耦合抑制线，第二结构包括分别与第一源极跟随器栅极和第二源极跟随器栅极电连接的第三像素焊盘和第四像素焊盘以及在第三像素焊盘与第四像素焊盘之间贯穿并且与第二接地结构电连接的第二耦合抑制线。抑制线。抑制线。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并要求于2022年1月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2022
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0013622的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。


[0003]本专利技术构思涉及图像传感器，并且更具体地涉及互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。

技术介绍

[0004]图像传感器是将光学图像转换为电信号的装置，并且可以用在诸如智能电话或平板电脑的便携式电子设备的相机中。为了减小便携式电子设备的尺寸并且改善相机的性能，已经开发了堆叠式图像传感器。堆叠式图像传感器可以实现图像传感器的平面面积的减小、图像传感器的分辨率的提高以及图像传感器的信号处理速度的提高。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思提供了抑制相邻的像素焊盘之间的耦合的堆叠式图像传感器。
[0006]根据本专利技术构思的一方面，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括第一结构和第二结构，所述第二结构在竖直方向上堆叠在所述第一结构上。所述第一结构包括：第一衬底，所述第一衬底包括第一像素区域和围绕所述第一像素区域的第一接地区域；第一光电转换单元和第二光电转换单元，所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元位于所述第一像素区域中；第一浮置扩散区域和第二浮置扩散区域，所述第一浮置扩散区域和所述第二浮置扩散区域位于所述第一像素区域中；第一层间绝缘层，所述第一层间绝缘层位于所述第一衬底上；第一接地结构，所述第一接地结构位于所述第一层间绝缘层在所述第一接地区域上的部分中；第一像素焊盘和第二像素焊盘，所述第一像素焊盘和所述第二像素焊盘位于所述第一层间绝缘层在所述第一像素区域上的部分上并且分别与所述第一浮置扩散区域和所述第二浮置扩散区域电连接；以及第一耦合抑制线，所述第一耦合抑制线在所述第一层间绝缘层在所述第一像素区域和所述第一接地区域上的部分上沿第一水平方向延伸，在所述第一像素焊盘与所述第二像素焊盘之间贯穿，并且与所述第一接地结构电连接。所述第二结构包括：第二衬底，所述第二衬底包括第二像素区域和围绕所述第二像素区域的第二接地区域；第一源极跟随器栅极和第二源极跟随器栅极，所述第一源极跟随器栅极和所述第二源极跟随器栅极位于所述第二像素区域上；第二层间绝缘层，所述第二层间绝缘层位于所述第二衬底上；第二接地结构，所述第二接地结构位于所述第二层间绝缘层在所述第二接地区域上的部分中；第三像素焊盘和第四像素焊盘，所述第三像素焊盘和所述第四像素焊盘位于所述第二层间绝缘层在所述第二像素区域上的部分上，并且分别与所述第一源极跟随器栅极和所述第二源极跟随器栅极电连接；以及第二耦合抑制线，所述第二耦合抑制线在所述第二层间绝缘层的在所述第二像素区域和所述第二接地区域
上的部分上沿所述第一水平方向延伸，在所述第三像素焊盘与所述第四像素焊盘之间贯穿，并且与所述第二接地结构电连接，并且所述第一像素焊盘和所述第二像素焊盘分别与所述第三像素焊盘和所述第四像素焊盘接触。
[0007]根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：第一衬底，所述第一衬底包括像素区域和围绕所述像素区域的接地区域；第一光电转换单元和第二光电转换单元，所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元位于所述像素区域中；第一浮置扩散区域和第二浮置扩散区域，所述第一浮置扩散区域和所述第二浮置扩散区域位于所述像素区域中；第一层间绝缘层，所述第一层间绝缘层位于所述第一衬底上；接地结构，所述接地结构位于所述第一层间绝缘层在所述接地区域上的部分中；第一像素焊盘和第二像素焊盘，所述第一像素焊盘和所述第二像素焊盘位于所述第一层间绝缘层在所述像素区域上的部分上并且分别与所述第一浮置扩散区域和所述第二浮置扩散区域电连接；第一耦合抑制线，所述第一耦合抑制线在所述第一层间绝缘层的在所述像素区域和所述接地区域上的部分上沿水平方向延伸，在所述第一像素焊盘与所述第二像素焊盘之间贯穿，并且与所述接地结构电连接；第三像素焊盘和第四像素焊盘，所述第三像素焊盘和所述第四像素焊盘分别与所述第一像素焊盘和所述第二像素焊盘接触；第二耦合抑制线，所述第二耦合抑制线与所述第一耦合抑制线接触，在所述水平方向上延伸，并且在所述第三像素焊盘与所述第四像素焊盘之间贯穿；第二层间绝缘层，所述第二层间绝缘层位于所述第三像素焊盘和所述第四像素焊盘以及所述第二耦合抑制线上；第一源极跟随器栅极和第二源极跟随器栅极，所述第一源极跟随器栅极和所述第二源极跟随器栅极位于所述第二层间绝缘层上并且分别与所述第三像素焊盘和所述第四像素焊盘电连接；以及第二衬底，所述第二衬底位于所述第二层间绝缘层上。
[0008]根据本专利技术构思的又一方面，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括第一结构和第二结构，所述第二结构在竖直方向上堆叠在所述第一结构上。所述第一结构包括：第一衬底；第一光电转换单元和第二光电转换单元，所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元位于所述第一衬底中；第一浮置扩散区域和第二浮置扩散区域，所述第一浮置扩散区域和所述第二浮置扩散区域位于所述第一衬底中；第一层间绝缘层，所述第一层间绝缘层位于所述第一衬底上；第一像素焊盘和第二像素焊盘，所述第一像素焊盘和所述第二像素焊盘位于所述第一层间绝缘层上并且分别与所述第一浮置扩散区域和所述第二浮置扩散区域电连接；以及第一耦合抑制线，所述第一耦合抑制线在所述第一层间绝缘层上沿第一水平方向延伸并且在所述第一像素焊盘与所述第二像素焊盘之间贯穿；所述第二结构包括：第二衬底，所述第二衬底包括像素区域和围绕所述像素区域的接地区域；第一源极跟随器栅极和第二源极跟随器栅极，所述第一源极跟随器栅极和所述第二源极跟随器栅极位于所述像素区域上；第二层间绝缘层，所述第二层间绝缘层位于所述第二衬底上；接地结构，所述接地结构位于所述第二层间绝缘层在所述接地区域上的部分中；第三像素焊盘和第四像素焊盘，所述第三像素焊盘和所述第四像素焊盘位于所述第二层间绝缘层在所述像素区域上的部分上并且分别与所述第一源极跟随器栅极和所述第二源极跟随器栅极电连接；以及第二耦合抑制线，所述第二耦合抑制线在所述第二层间绝缘层的在所述像素区域和所述接地区域上的部分上沿水平方向延伸，在所述第三像素焊盘与所述第四像素焊盘之间贯穿，并且与所述接地结构电连接，所述第一像素焊盘和所述第二像素焊盘分别与所述
第三像素焊盘和述第四像素焊盘接触，并且所述第一耦合抑制线与所述第二耦合抑制线接触。
附图说明
[0009]根据以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本专利技术构思的实施例，在附图中：
[0010]图1是在
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Z方向上观察的根据本专利技术构思的一些示例实施例的图像传感器中包括的第一结构的平面图；
[0011]图2是在+Z方向上观察的根据本专利技术构思的一些示例实施例的图像传感器中包括的第二结构的平面图；
[0012]图3是在+Z方向上观察的根据本专利技术构思的一些示例实施例的图像传感器中包括的第三结构的平面图；
[0013]图4是示出沿着图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：第一结构和第二结构，所述第二结构在竖直方向上堆叠在所述第一结构上，所述第一结构包括：第一衬底，所述第一衬底包括第一像素区域和围绕所述第一像素区域的第一接地区域；第一光电转换单元和第二光电转换单元，所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元位于所述第一像素区域中；第一浮置扩散区域和第二浮置扩散区域，所述第一浮置扩散区域和所述第二浮置扩散区域位于所述第一像素区域中；第一层间绝缘层，所述第一层间绝缘层位于所述第一衬底上；第一接地结构，所述第一接地结构位于所述第一层间绝缘层在所述第一接地区域上的部分中；第一像素焊盘和第二像素焊盘，所述第一像素焊盘和所述第二像素焊盘位于所述第一层间绝缘层在所述第一像素区域上的部分上并且分别与所述第一浮置扩散区域和所述第二浮置扩散区域电连接；以及第一耦合抑制线，所述第一耦合抑制线在所述第一层间绝缘层的在所述第一像素区域和所述第一接地区域上的部分上沿第一水平方向延伸，在所述第一像素焊盘与所述第二像素焊盘之间贯穿，并且与所述第一接地结构电连接，所述第二结构包括：第二衬底，所述第二衬底包括第二像素区域和围绕所述第二像素区域的第二接地区域；第一源极跟随器栅极和第二源极跟随器栅极，所述第一源极跟随器栅极和所述第二源极跟随器栅极位于所述第二像素区域上；第二层间绝缘层，所述第二层间绝缘层位于所述第二衬底上；第二接地结构，所述第二接地结构位于所述第二层间绝缘层在所述第二接地区域上的部分中；第三像素焊盘和第四像素焊盘，所述第三像素焊盘和所述第四像素焊盘位于所述第二层间绝缘层在所述第二像素区域上的部分上，并且分别与所述第一源极跟随器栅极和所述第二源极跟随器栅极电连接；以及第二耦合抑制线，所述第二耦合抑制线在所述第二层间绝缘层的在所述第二像素区域和所述第二接地区域上的部分上沿所述第一水平方向延伸，在所述第三像素焊盘与所述第四像素焊盘之间贯穿，并且与所述第二接地结构电连接，并且所述第一像素焊盘和所述第二像素焊盘分别与所述第三像素焊盘和所述第四像素焊盘接触。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一结构还包括第一接地通路，所述第一接地通路位于所述第一层间绝缘层在所述第一接地区域上的部分中并且将所述第一耦合抑制线与所述第一接地结构电连接，并且所述第二结构还包括第二接地通路，所述第二接地通路位于所述第二层间绝缘层在所述第二接地区域上的部分中并且将所述第二耦合抑制线与所述第二接地结构电连接。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一结构还包括第一接地线，所述第一接地线在所述第一层间绝缘层的在所述第一接地区域上的部分上沿第二水平方向延伸以与所述第一耦合抑制线相交，并且与所述第一接地结构电连接，并且所述第二结构还包括第二接地线，所述第二接地线在所述第二层间绝缘层的在所述第二接地区域上的部分上沿所述第二水平方向延伸以与所述第二耦合抑制线相交，并且与所述第二接地结构电连接。4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述第一接地线与所述第二接地线接触。5.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述第一水平方向垂直于所述第二水平方向。6.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述第一结构还包括位于所述第一接地线和所述第一耦合抑制线的交叉点处的第一接地焊盘，并且所述第二结构还包括位于所述第二接地线和所述第二耦合抑制线的交叉点处的第二接地焊盘。7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，所述第一结构还包括在所述第一接地焊盘与所述第一接地结构之间在所述竖直方向上延伸的第一接地通路，并且所述第二结构还包括在所述第二接地焊盘与所述第二接地结构之间在所述竖直方向上延伸的第二接地通路。8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第二结构还包括位于所述第二像素区域上的选择栅极。9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一结构还包括位于所述第一像素区域上的转移栅极，并且所述第二结构还包括位于所述第二像素区域上的复位栅极。10.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，在平面图中，所述第一接地结构围绕所述第一层间绝缘层在所述第一像素区域上的部分，并且所述第二接地结构围绕所述第二层间绝缘层在所述第二像素区域上的部分。11.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，在平面图中，所述第一接地结构和所述第二接地结构均具有环形形状。12.根据权利要求11所述的图像传感器，其中，在平面图中，所述第一接地结构和所述第二接地结构均具有四边形环形形状。13.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一耦合抑制线与所述第二耦合抑制线接触。14.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一衬底还包括围绕所述第一接地区域的第一外围区域，所述第一结构还包括位于所述第一层间绝缘层在所述第一外围区域上的部分上的第一外围焊盘，所述第二衬底还包括围绕所述第二接地区域的第二外围区域，并且
所述第二结构还包括位于所述第二层间绝缘层在所述第二外围区域上的部分上的第二外围焊盘。15.根据权利要求14所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：权杜原，金净惠，金东炫，蒋玟澔，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：