一种铁电电容器及其制造方法技术

本申请提供一种铁电电容器及其制造方法，在基底上形成第一电极层，在第一电极层上形成介质层，介质层的材料为掺锆的氧化铪，介质层中锆的摩尔数占铪和锆的摩尔总数的比例范围为0.65

【技术实现步骤摘要】
一种铁电电容器及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种铁电电容器及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着新能源生产和处理技术的发展，大功率电力储能系统成为先进储能技术的关键，大功率电力储能系统可以包括电化学电容器和静电电容器，一般情况下，电化学电容器单位质量的储能约比静电电容器大2～3个数量级，但是由于电化学电容器的充放电速率较慢，可实现的功率密度比静电电容器小3～5个数量级。实际上，由于静电电容器极高的放电速度，其功率密度要高得多(高达108W/kg)，表明其适合于高功率传输或吸收的储能应用。
[0003]HfO2基铁电材料适用于存储应用，如铁电随机存取存储器(FeRAM)和铁电场效应晶体管(FeFET)，此外，HfO2基铁电材料除了内存应用，还可以用于能量存储，作为静电电容器中的电介质材料，如何制备具有高储能效率的HfO2基铁电电容器是本领域技术人员的重要研究项目。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请的目的在于提供一种铁电电容器及其制造方法，得到高储能效率的铁电电容存储器。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铁电电容器的制造方法，其特征在于，包括：在基底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成介质层，所述介质层的材料为掺锆的氧化铪，所述介质层中锆的摩尔数占铪和锆的摩尔总数的比例范围为0.65
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0.75，所述介质层的厚度范围为5
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7nm；在所述介质层上形成第二电极层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底的材料为聚酰亚胺，所述方法还包括：在所述基底和所述第一电极层之间形成缓冲层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述介质层上形成第二电极层，包括：在所述介质层上形成图案化的光刻胶层；在所述光刻胶层上以及在暴露出的所述介质层上形成导体材料；利用有机溶液溶解所述光刻胶层，以去除所述光刻胶层以及所述光刻胶层上的导体材料，形成位于介质层上的第二电极层。4.根据权利要求1
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3任一项所述的方法，其特征在于，所述介质层中铪和锆的摩尔比为3：7。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述第一电极层上形成介质层，包括：在所述第一电极层上形成依次交叠的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗庆，陈煜婷，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：