半导体电容器结构及其制备方法技术

本申请涉及一种半导体电容器结构及其制备方法。该半导体电容器结构的制备方法包括：提供衬底；自衬底的上表面于衬底内形成沟槽；至少于沟槽的底部及侧壁形成电容介质层；于沟槽内形成导电层；于衬底的下表面形成底层电极。本申请提供的半导体电容器结构的制备方法可以提高单位衬底面积上的电容密度，从而提高了半导体电容器结构的性能表现。了半导体电容器结构的性能表现。了半导体电容器结构的性能表现。

【技术实现步骤摘要】
半导体电容器结构及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体领域，特别是涉及一种半导体电容器结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]传统的半导体电容器结构是通过于衬底上形成平面型的金属层
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绝缘层
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金属层(MIM)结构，并通过增加金属层间的正对面积，以提高半导体电容器结构的电容值。
[0003]然而，随着半导体行业关键尺寸的持续微缩，半导体设计及制造环节也越来越重视如何在单位衬底面积上尽可能多的布置半导体器件并提升半导体器件的性能表现。这给MIM型半导体电容器结构带来了巨大挑战：持续微缩的尺寸限制了金属层间的正对面积，进而限制了电容值的进一步提升。
[0004]因此，如何对半导体电容器结构及其制备方法进行改进，以提高单位衬底面积上的电容密度是亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种半导体电容器结构及其制备方法，可以提高单位衬底面积上的电容密度，从而提高了半导体电容器结构的性能表现。
[0006]一方面，本申请一些实施例提供了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体电容器结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；自所述衬底的上表面于所述衬底内形成沟槽；至少于所述沟槽的底部及侧壁形成电容介质层；于所述沟槽内形成导电层；于所述衬底的下表面形成底层电极。2.根据权利要求1所述的半导体电容器结构的制备方法，其特征在于，所述自所述衬底的上表面于所述衬底内形成沟槽，包括：于所述衬底的上表面形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层内具有开口，所述开口定义出所述沟槽的形状及位置；基于所述图形化掩膜层刻蚀所述衬底，以于所述衬底内形成所述沟槽；其中，所述电容介质层还覆盖所述开口的侧壁及所述图形化掩膜层的上表面。3.根据权利要求2所述的半导体电容器结构的制备方法，其特征在于，所述基于所述图形化掩膜层刻蚀所述衬底，以于所述衬底内形成所述沟槽，包括：基于所述图形化掩膜层对所述衬底进行干法刻蚀，以于所述衬底内形成初始沟槽；基于采用干法刻蚀工艺刻蚀所述衬底，并对所述初始沟槽的底部进行抽离处理，以形成底部为圆弧形的所述沟槽。4.根据权利要求3所述的半导体电容器结构的制备方法，其特征在于，于所述衬底内形成所述沟槽之后，至少于所述沟槽的底部及侧壁形成电容介质层之前，还包括：于所述沟槽的侧壁、所述沟槽的底部、所述开口的侧壁及所述图形化掩膜层的上表面形成牺牲层；去除所述牺牲层。5.根据权利要求3所述的半导体电容器结构的制备方法，其特征在于，所述导电层的上表面低于所述图形化掩膜层的上表面；所述导电层包括多晶硅层；于所述沟槽内形成导电层之后，于所述衬底的背面形成底层电极之前，还包括：于所述导电层的表面及所述电容介质层的表面形成阻挡层；于所述阻挡层的上表面形成顶层电极。6.根据权利要求5所述的半导体电容器结构的制备方法，其特征在于，所述于所述阻挡层的上表面形成顶层电极之后，还包括：对所得结构进行退火处理。7.根据权利要求1所述的半导体电容器结构的制备方法，其特征在于，所述于所述衬底的背面形成底层电极之后，还包括：于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：左月，陆金，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：