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本申请涉及一种半导体电容器结构及其制备方法。该半导体电容器结构的制备方法包括：提供衬底；自衬底的上表面于衬底内形成沟槽；至少于沟槽的底部及侧壁形成电容介质层；于沟槽内形成导电层；于衬底的下表面形成底层电极。本申请提供的半导体电容器结构的制备...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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