半导体结构及半导体结构的制造方法技术

本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制造方法。半导体结构包括：衬底，衬底上包括多个间隔分布的下电极柱；介质层，介质层至少部分覆盖下电极柱的侧壁；第一上电极，第一上电极覆盖在介质层的表面；第一支撑层，第一支撑层位于多个下电极柱、介质层和第一上电极的上方，第一支撑层至少暴露部分第一上电极的外围区域。通过在下电极柱的顶端形成第一支撑层，且第一支撑层可以连接多个下电极柱、介质层以及第一上电极，从而可以使得第一支撑层形成对多个下电极柱的支撑，避免下电极柱出现倾倒，从而可以保证下电极柱的质量，以此改善半导体结构的性能。以此改善半导体结构的性能。以此改善半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及半导体结构的制造方法


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的制造方法。

技术介绍

[0002]相关技术中，随着半导体结构尺寸的微缩，对于电容器的要求也越来越高，为了保证足够的存储能力，需要使得电容器的高度足够高，从而会出现电容器倾倒的问题。
[0003]公开内容
[0004]本公开提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法，以改善半导体结构的性能。
[0005]根据本公开的第一个方面，提供了一种半导体结构，包括：
[0006]衬底，衬底上包括多个间隔分布的下电极柱；
[0007]介质层，介质层至少部分覆盖下电极柱的侧壁；
[0008]第一上电极，第一上电极覆盖在介质层的表面；
[0009]第一支撑层，第一支撑层位于多个下电极柱、介质层和第一上电极的上方，第一支撑层至少暴露部分第一上电极的外围区域。
[0010]在本公开的一些实施例中，半导体结构还包括：
[0011]第二上电极，第二上电极覆盖第一支撑层的上表面及未覆盖第一支撑层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上包括多个间隔分布的下电极柱；介质层，所述介质层至少部分覆盖所述下电极柱的侧壁；第一上电极，所述第一上电极覆盖在所述介质层的表面；第一支撑层，所述第一支撑层位于多个所述下电极柱、所述介质层和所述第一上电极的上方，所述第一支撑层至少暴露部分所述第一上电极的外围区域。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第二上电极，所述第二上电极覆盖所述第一支撑层的上表面及未覆盖所述第一支撑层的所述第一上电极外围区域的上表面；其中，所述第二上电极与所述第一上电极电连接。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第二支撑层，所述第二支撑层至少包覆所述下电极柱的上端的部分侧壁。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一支撑层与所述第一上电极相连；其中，所述第二支撑层与所述第一支撑层相连。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一支撑层至少部分暴露所述第一上电极。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一上电极的外周部至少部分位于所述第一支撑层的外侧。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括多个间隔分布的接触垫，所述下电极柱与所述接触垫一一对应。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括位于所述接触垫之间的隔离结构，所述介质层还覆盖所述隔离结构上表面。9.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成多个间隔分布的下电极柱；在多个所述下电极柱之间形成介质层和第一上电极，所述介质层至少部分覆盖所述下电极柱的侧壁，所述第一上电极覆盖在所述介质层的表面；在多个所述下电极柱、所述介质层和所述第一上电极的上方形成第一初始支撑层，去除部分所述第一初始支撑层形成第一支撑层；其中，所述第一支撑层至少暴露部分所述第一上电极的外围区域。10.根据权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成多个间隔分布的下电极柱，包括：在所述衬底上形成叠层结构；在所述叠层结构中形成多个通孔，所述通孔贯穿所述叠层结构，以暴露所述衬底表面；在所述通孔内填充第一导电材料形成初始下电极柱，去除所述叠层结构，在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张魁，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：