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本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制造方法。半导体结构包括：衬底，衬底上包括多个间隔分布的下电极柱；介质层，介质层至少部分覆盖下电极柱的侧壁；第一上电极，第一上电极覆盖在介质层的表面；第一支撑层，第一支撑层位于多个...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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