半导体结构及其形成方法技术

本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法，该形成方法包括：提供衬底，衬底包括待掺杂区；在衬底表面依次形成保护层、阻挡层以及光阻层；保护层的电子密度小于光阻层的电子密度，阻挡层的电子密度大于光阻层的电子密度；以保护层为蚀刻停止层对阻挡层和光阻层进行蚀刻，以形成露出保护层的表面的半导体图案，半导体图案在衬底上的正投影与待掺杂区至少部分重合；通过半导体图案对待掺杂区进行离子注入，以形成掺杂区。本公开的形成方法可降低半导体图案的形貌发生异常的概率，提高产品良率。提高产品良率。提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]存储器因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点，被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。随着产品尺寸的减小，在制程过程中，需要在其有源区内注入更深的能量来维持可存储的电子数量。
[0003]在进行离子注入的过程中，常以光阻层作为阻挡层，为了保证阻挡效果，需要较高厚度的光阻层，但由于光阻层厚度较大，在其内形成的开口易发生形貌异常，导致通过开口进行离子注入形成的掺杂区的结构发生异常，产品良率较低。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本公开提供一半导体结构及其形成方法，可降低半导体图案的形貌发生异常的概率，提高产品良率。
[0006]根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括待掺杂区；在所述衬底表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括待掺杂区；在所述衬底表面依次形成保护层、阻挡层以及光阻层；所述保护层的电子密度小于所述光阻层的电子密度，所述阻挡层的电子密度大于所述光阻层的电子密度；以所述保护层为蚀刻停止层对所述阻挡层和所述光阻层进行蚀刻，以形成露出所述保护层的表面的半导体图案，所述半导体图案在所述衬底上的正投影与所述待掺杂区至少部分重合；通过所述半导体图案对所述待掺杂区进行离子注入，以形成掺杂区。2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的电子密度大于或等于9.0g/cm3。3.根据权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于，所述光阻层的材料为光刻胶，所述阻挡层的材料为钨和/或硅化钨。4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述保护层、所述阻挡层以及所述光阻层的总厚度小于所述掺杂区内离子注入的深度。5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述掺杂区内离子注入深度大于或等于2微米。6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述光阻层的厚度小于或等于1微米，所述阻挡层的厚度小于或等于1微米。7.根据权利要求1
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6任一项所述的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度小于或等于0.1微米。8.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为多...

【专利技术属性】
技术研发人员：曺奎锡，金正起，全钟声，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：