一种提高离子注入层均匀性的方法技术

本申请实施例提供一种提高离子注入层均匀性的方法，通过调整离子注入设备的离子束与晶圆的夹角，来避免离子束与晶圆的晶格原子之间的间隙平行，从而可避免离子注入时产生沟道现象，确保了被注入的离子能够到达晶圆中的深度均匀，提高了晶圆离子注入层的均匀性。提高了晶圆离子注入层的均匀性。提高了晶圆离子注入层的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种提高离子注入层均匀性的方法


[0001]本申请涉及半导体生产
，尤其涉及一种提高离子注入层均匀性的方法。

技术介绍

[0002]铌酸锂和钽酸锂材料由于具有居里温度高、自发极化强、机电耦合系数高、优异的电光效应等有优点，从而被应用于非线性光学、铁电、压电、电光等领域，尤其在薄膜体声波器件、滤波器、调制器等领域受到越来越广泛的关注和应用。铌酸锂晶体或钽酸锂晶体中的晶格原子规则地排列在空间中，当离子沿晶体的主晶轴方向被注入时，所注入的离子可能与晶格原子发生碰撞，若发生碰撞，离子运动偏转很小，由于晶格阻力的存在，离子便无法到达更深的位置。若离子从晶格原子之间穿过，不与晶格原子发生碰撞，则不存在晶格阻力，该离子可以穿透至晶体中较深的距离，这种现象称为沟道现象，该种现象如图1所示。目前，单晶铌酸锂薄膜或单晶钽酸锂薄膜的制备方法主要有外延生长法，减薄抛光体材料法以及离子注入法。其中，由于铌酸锂和钽酸锂与衬底材料之间的晶格失配比较大、膨胀系数不一样等原因，采用外延生长法很难获得大面积的，均匀完整的薄膜。其中，减薄抛光体材料法不仅很难获得纳米级厚度的薄本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高离子注入层均匀性的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：将晶圆设置在离子注入设备的晶圆承载盘上，且所述晶圆的切边竖直向上，以确定晶圆的初始位置；使离子注入设备的离子束与所述晶圆表面的法线方向具有7
°
的夹角；调整好所述晶圆与离子束的相对角度后，通过所述离子束对所述晶圆进行离子注入。2.根据权利要求1所述的提高离子注入层均匀性的方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述晶圆为沿晶圆柱X轴方向切割获得时，将所述晶圆逆时针旋转90度，或者顺时针方向旋转270度；其中，所述晶圆柱X轴方向为所述晶圆柱的晶轴中的X轴方向。3.根据权利要求1所述的提高离子注入层均匀性的方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述晶圆为沿晶圆柱Y轴方向切割获得时，将所述晶圆顺时针或者逆时针旋转180度；其中，所述晶圆柱Y轴方向为所述晶圆柱的晶轴中的Y轴方向。4.根据权利要求2或3所述的提高离子注入层均匀性的方法，其特征在于，当所述晶圆的材质为铌酸锂时，所述晶圆为沿铌酸锂晶圆柱的切割方向切割获得，所述切割方向包括X切、Y切和F1切，其中，X切为对所述铌酸锂晶圆柱的晶轴中的X轴进行切割，Y切为对所述铌酸锂晶圆柱的晶轴中的Y轴进行切割，F1切为所述铌酸锂晶圆柱的晶轴中Y轴绕X轴旋转第一预设角度后对Y轴进行切割，所述第一预设角度包括15度、30度、64度、120度和128度。5.根据权利要求2或3所述的提高离子注入层均匀性的方法，其特征在于，当所述晶圆的材质为钽酸锂时，所述晶圆为沿钽酸锂晶圆柱的切割方向切割...

【专利技术属性】
技术研发人员：张涛，胡卉，胡文，连坤，董玉爽，王金翠，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：