本申请公开了一种非晶硅薄膜晶体管及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域。该非晶硅薄膜晶体管的非晶硅半导体层中靠近源极和漏极的区域包含有通过离子注入工艺掺杂的离子，且非晶硅半导体层中靠近源极和漏极的表面区域内的离子的浓度大于或等于5
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：苏海东，李峰，方业周，姚磊，闫雷，王成龙，李凯，朱晓刚，杨桦，候林，高云，
申请(专利权)人：鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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