温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种非晶硅薄膜晶体管及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域。该非晶硅薄膜晶体管的非晶硅半导体层中靠近源极和漏极的区域包含有通过离子注入工艺掺杂的离子，且非晶硅半导体层中靠近源极和漏极的表面区域内的离子的浓度大于或等于5
该专利属于鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。