包括离子注入的制造半导体器件的方法和半导体器件技术

公开了包括离子注入的制造半导体器件的方法和半导体器件。提出了一种在具有第一表面(104)和第二表面(106)的半导体本体(102)中制造半导体器件的方法。方法包括通过第二表面(106)将质子(I1)注入到半导体本体(102)中。方法进一步包括通过第二表面(106)将离子(I2)注入到半导体本体(102)中。离子是具有至少为9的原子序数的非掺杂元素的离子。此后，方法进一步包括通过热退火对半导体本体(102)进行处理。理。理。

【技术实现步骤摘要】
包括离子注入的制造半导体器件的方法和半导体器件


[0001]本公开涉及制造半导体器件的方法，特别是涉及包括离子注入的制造半导体器件的方法。

技术介绍

[0002]新一代半导体器件——例如二极管或绝缘栅场效应晶体管(IGFET)，诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，或者绝缘栅双极晶体管(IGBT)——的技术发展的目的在于通过缩小器件几何尺寸来改进电器件特性并且降低成本。虽然可以通过缩小器件几何尺寸来降低成本，但是当增加每单位面积的器件功能时，不得不满足各种折衷和挑战。例如，半导体本体的厚度减小对于静态和动态电损耗的减小可能是有益的。然而，厚度减小典型地以例如击穿电压和宇宙射线性能为代价。因此，半导体器件可以包括场停止区以用于在电开关期间提供足够的软度。场停止区目的在于保护一定量的电荷载流子等离子体，从而这些电荷可以在反向恢复结束期间承载负载电流。
[0003]存在针对改进半导体器件的电特性的需要。

技术实现思路

[0004]本公开的示例涉及在具有第一表面和第二表面的半导体本体中制造半导体器件的方法。方法包括通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在具有第一表面(104)和第二表面(106)的半导体本体(102)中制造半导体器件的方法，包括：通过第二表面(106)将质子(I1)注入到半导体本体(102)中；通过第二表面(106)将离子(I2)注入到半导体本体(102)中，其中离子是具有至少为9的原子序数的非掺杂元素的离子；并且此后通过热退火来处理半导体本体(102)。2.根据权利要求1所述的方法，其中热退火是在从350℃到430℃的温度范围内在从30分钟到4小时的时段内执行的。3.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中半导体本体(102)是硅半导体本体，并且离子包括硅、氩、氪、氙、氖、氟、锗的离子。4.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中以小于10
13
cm
‑2的剂量注入离子。5.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，进一步包括，在通过第二表面(106)将质子(I1)注入到半导体本体(102)中之前，通过在第一表面(104)处对半导体本体(102)进行处理来形成半导体器件元件。6.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中质子的穿透深度(p1)被设置为小于离子的穿透深度(p2)。7.根据权利要求1至5中的任何一项所述的方法，其中质子的穿透深度(p1)被设置为大于离子的穿透深度(p2)。8.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中离子的穿透深度(p2)和质子的穿透深度(p1)之间的比率在从0.1到3的范围内。9.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中质子的穿透深度(p1)被设置为实质上等于离子的穿透深度(p2)。10.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中通过第二表面(106)将离子(I2)注入到半导体本体(102)中包括基于至少两种不同的离子注入能量来注入离子(I2)。11.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中通过第二表面(106)将离子(I2)注入到半导体本体(102)中包括基于至少两个不同的离子注入倾斜角度来注入离子(I2)。12.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中通过第二表面(106)将质子(I1)注入到半导体本体(102)中包括基于至少两个不同的质子注入倾斜角度注入质子(I1)。13.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中沿着与半导体本体(102)的主晶轴偏离至多1.5
°

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：