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公开了包括离子注入的制造半导体器件的方法和半导体器件。提出了一种在具有第一表面(104)和第二表面(106)的半导体本体(102)中制造半导体器件的方法。方法包括通过第二表面(106)将质子(I1)注入到半导体本体(102)中。方法进一步包...
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