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一种提高离子注入层均匀性的方法技术
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下载一种提高离子注入层均匀性的方法的技术资料
文档序号:37715059
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本申请实施例提供一种提高离子注入层均匀性的方法,通过调整离子注入设备的离子束与晶圆的夹角,来避免离子束与晶圆的晶格原子之间的间隙平行,从而可避免离子注入时产生沟道现象,确保了被注入的离子能够到达晶圆中的深度均匀,提高了晶圆离子注入层的均匀性...
该专利属于济南晶正电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过济南晶正电子科技有限公司授权不得商用。
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