U型沟槽的形成方法和MOS晶体管技术

本发明专利技术提供了一种U型沟槽的形成方法和MOS晶体管，U型沟槽的形成方法包括：形成基底；在基底上沉积一沉积层；通过第一次刻蚀，在所述沉积层中形成预设的图形；将所述图形转移至所述基底，形成沟槽雏形；对所述沟槽雏形进行等离子掺杂处理，在所述沟槽雏形内形成掺杂层；通过第二次刻蚀，去除所述掺杂层，形成U形沟槽；其中，在第二次刻蚀工艺中采用的刻蚀选择比不同于在第一次刻蚀工艺中采用的刻蚀选择比。MOS晶体管包括上述方法形成的U形沟槽。本发明专利技术对沟槽雏形进行等离子掺杂处理，在沟槽雏形内壁与底面形成掺杂层；然后，根据掺杂对硅晶材料的改变情况，确定选择比，进行刻蚀去除掺杂层得到了U形沟槽；U形状沟槽不存在转折点。点。点。

【技术实现步骤摘要】
U型沟槽的形成方法和MOS晶体管


[0001]本专利技术涉及半导体器件制备工艺
，特别涉及一种U型沟槽的形成方法和MOS晶体管。

技术介绍

[0002]CMOS技术的微缩发展需要更大的驱动电流以提高电路的响应速度，为了同时增加NMOS和PMOS的驱动电流，一般采用晶向的晶圆，并在沟道施加不同应力的方式来分别提高NMOS和PMOS场效应管的性能。
[0003]在半导体器件制备工艺中，对于单晶硅(Si)衬底上的侧向刻蚀，如图2所示，只能用湿式刻蚀(wet etch)形成截面为Σ(sigma)形状的沟槽，即此沟槽形状为多线段依次连接成的折线形，相邻线段的连接处形成转折点。Σ沟槽刻蚀后的关键尺寸要求控制在原子级别的标准差，所以在干法刻蚀/湿法清洗/湿法刻蚀等三道工艺生产中，对于机台维护等本身能力的参数卡控中都有着极其严苛的标准。硅的干法刻蚀过程中会在硅沟槽表面产生大量的高分子副产物，在此后的表面清洗过程中又会有造成表面粗糙的表面氧化层，这些微观到原子级别的因素，使得Σ沟槽的湿法刻蚀难以得到稳定的关键尺寸结果，并且最终影响到锗硅外延出现各种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种U型沟槽的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：形成基底；在基底上沉积一沉积层；通过第一次刻蚀，在所述沉积层中形成预设的图形；将所述图形转移至所述基底，形成沟槽雏形；对所述沟槽雏形进行等离子掺杂处理，在所述沟槽雏形内形成掺杂层；通过第二次刻蚀，去除所述掺杂层，形成U形沟槽；其中，在第二次刻蚀工艺中采用的刻蚀选择比不同于在第一次刻蚀工艺中采用的刻蚀选择比。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子掺杂处理采用等离子体离子注入工艺，所述等离子体离子注入工艺注入的元素为硼。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述硼的注入计量不少于10^19atom/cm2，注入深度为1nm～5nm。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗杰，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：