半导体器件及其制造方法技术

本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。在本申请实施例所提供的半导体器件的制造方法中，形成栅极后再形成第一电极，从而能够降低栅极与第一电极出现短接的几率。而且，通过在任意相邻两个第一电极之间形成空隙，能够降低相邻两个第一电极之间介质的介电常数，从而能够降低相邻两个第一电极之间寄生电容的电容值，有利于提高半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体而言，本申请涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

1、随着半导体技术的发展，具有垂直沟道的晶体管的半导体器件得到越来越多的应用。

2、目前，在具有垂直沟道晶体管的半导体器件的制造过程中，通常是先形成晶体管的源极和/或漏极，然后形成栅极，从而容易出现源极或漏极与栅极连接，导致源极或漏极与栅极出现短接的问题，从而影响半导体器件的成品率以及性能。

技术实现思路

1、本申请针对现有方式的缺点，提出一种半导体器件及其制造方法，用以解决现有技术中半导体器件的制造过程中，容易导致晶体管的源极或漏极容易与栅极出现短接的技术问题。

2、第一个方面，本申请实施例提供了一种半导体器件的制造方法，包括：

3、在衬底的一侧形成多个阵列排布的半导体柱；

4、在半导体柱远离衬底的一端的侧壁形成栅极；

5、在形成有栅极的衬底上形成沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排列的第一沟槽和第一介质结构；半导体柱的顶面露出在第一沟槽内，第一方向与第二方向相交，且均平行于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述第一沟槽内，形成与所述半导体柱的顶面连接的第一电极，使得沿所述第一方向上任意相邻两个所述第一电极之间形成有空隙，包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述第一沟槽内，形成与所述半导体柱的顶面连接的第一电极，使得沿所述第一方向上任意相邻两个所述第一电极之间形成有空隙，还包括：

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述半导体柱远离所述衬底的一端的侧壁形成栅极之前，包括：</p>

5.根据...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述第一沟槽内，形成与所述半导体柱的顶面连接的第一电极，使得沿所述第一方向上任意相邻两个所述第一电极之间形成有空隙，包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述第一沟槽内，形成与所述半导体柱的顶面连接的第一电极，使得沿所述第一方向上任意相邻两个所述第一电极之间形成有空隙，还包括：

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述半导体柱远离所述衬底的一端的侧壁形成栅极之前，包括：

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成填充在所述半导体柱之间的第一介质层，包括：

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，以所述第三介质结构为掩膜，刻蚀所述第一介质层，使得所述半导体柱的部分侧壁露出，包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：刘朝，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：