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本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。在本申请实施例所提供的半导体器件的制造方法中，形成栅极后再形成第一电极，从而能够降低栅极与第一电极出现短接的几率。而且，通过在任意相邻两个第一电极之间形成空隙，能够降低相邻两个第一电极之间介质的...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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