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本发明提供了一种U型沟槽的形成方法和MOS晶体管，U型沟槽的形成方法包括：形成基底；在基底上沉积一沉积层；通过第一次刻蚀，在所述沉积层中形成预设的图形；将所述图形转移至所述基底，形成沟槽雏形；对所述沟槽雏形进行等离子掺杂处理，在所述沟槽雏形...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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