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本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法，该形成方法包括：提供衬底，衬底包括待掺杂区；在衬底表面依次形成保护层、阻挡层以及光阻层；保护层的电子密度小于光阻层的电子密度，阻挡层的电子密度大于光阻层的电子密度；以保护层为蚀刻停...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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