一种锗中高N型掺杂浅结的方法及其应用技术

本发明专利技术公开了一种锗中高N型掺杂浅结的方法及其应用，本发明专利技术针对Gen

【技术实现步骤摘要】
一种锗中高N型掺杂浅结的方法及其应用


[0001]本专利技术属于微电子
，公开了一种锗中高N型掺杂浅结的方法及其应用。

技术介绍

[0002]锗(Ge)材料具有比硅材料更高的电子和空穴迁移率、更低的熔点、在光纤通信波段更大的吸收系数、其器件工艺与标准硅CMOS工艺相兼容等优势，可有效减小栅延时、降低功耗，使得Ge材料广泛应用于高速电子器件、光子器件以及光电器件，逐渐成为最具应用前景的材料之一。目前，硅基光电集成Ge材料及其单元器件已经取得了许多进展，但是随着器件横向和纵向尺寸不断减小、集成化程度不断提高，对器件性能及能耗的要求越来越高，从而对器件制备的关键工艺技术提出了许多挑战。
[0003]在硅基光电集成电路中，互补－金属－氧化物－半导体(CMOS)是其中的一个非常重要的组成部分，依据现今和未来的COMS工艺节点，晶体管的源/漏的临界接触尺寸不断缩小(降低至25nm)，不断缩小的接触面积极大增加了接触电阻，超低比接触电阻率的源漏欧姆接触以及超浅结源漏是保证高性能晶体管的关键因素之一，成为目前硅基CMOS工艺亟待解决的关键问题。目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种锗中高N型掺杂浅结的方法，包括：清洗p
‑
Ge(100)衬底；对p
‑
Ge(100)衬底进行磷离子注入；向掺杂了磷离子注入层的衬底沉积金属镍；对沉积金属镍的衬底进行脉冲激光退火，形成镍锗化合物；镍锗化合物通过圆形传输线模型，即得。2.根据权利要求1所述的掺杂浅结的方法，其中：所述清洗p
‑
Ge(100)衬底包括：丙酮、乙醇依次对p
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Ge(100)衬底进行10min超声清洗，随后以冷去离子水清洗；清洗后的p
‑
Ge(100)衬底采用酸性溶液分两次浸泡清洗，最后氮气吹干，备用。3.根据权利要求2所述的掺杂浅结的方法，其中：所述p
‑
Ge(100)衬底电阻率为0.088Ωcm。4.根据权利要求2所述的掺杂浅结的方法，其中：所述酸性溶液分两次浸泡清洗包括：首先采用盐酸溶液浸泡30s，以冷去离子水清洗；重复清洗及冲洗5次；随后再用氢...

【专利技术属性】
技术研发人员：王尘，许怡红，蔡艺军，左石凯，陈铖颖，李成，
申请(专利权)人：厦门理工学院，
类型：发明
国别省市：