【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于单晶材料制备的
,特别涉及不同形状的Cso纳米单晶组 装体的制备方法。
技术介绍
Cso是由Kroto (Nature, Vol.318, 162, 1985)等科学家在1985年首先研 究发现的,之后被Kratechmer等科学家(Nature, Vol.347, 354, 1990)改进并大量生产。Ceo是半导体材料,禁带宽度为1.69eV, Ceo具有优异的超导电性、 超硬特性以及发光性质。C6C)纳米材料在纳米器件方面存在着巨大的潜在的应用 价值,这导致制备不同形状的Ceo晶体,特别是具有不同形状和结构的C6o单晶 组装体成为研究的热点和努力的目标。早期有关C60纳米晶的制备方法主要为模板法,将氧化铝模板进入到C60 溶液中,经过加热和去除模板等处理过程制备Ceo纳米线/管,但是这种方法得 不到高纯度和结晶度的样品。(Huibiao Liu et. al,丄Am. Chem. Soc. 2002, 124,13370);现有的报道中采用液液界面法将C60饱和溶液与异丙醇混合放置数天,(Kun'ichi Miyazawa,丄Nanos ...
【技术保护点】
一种不同形状的C↓[60]纳米单晶组装体材料,其特征是,所述的C↓[60]纳米单晶组装体的基本组成单元是C↓[60]纳米棒,C↓[60]纳米棒的直径为200~400nm;所述的C↓[60]纳米单晶具有面心立方结构;C↓[60]纳米单晶组装体组装在硅片或玻璃片的基底上,其形状是由C↓[60]纳米棒构成的微米管状、微米棒状、纳米花簇状、纳米扫把状或纳米棒平行阵列。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:刘冰冰,刘德弟,崔雯,李全军,李冬妹,邹广田,
申请(专利权)人:吉林大学,
类型:发明
国别省市:82[]
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