一种共晶方法及设备技术

本发明专利技术涉及共晶技术领域，特别涉及一种共晶方法及设备，本方法应用于共晶设备上进行共晶，共晶设备上具有至少两个联动的共晶盘，本方法提供第一物料，在预设的上下料工位将第一物料转移到其中一共晶盘上；将共晶盘按照第一预设路径转移到预设的共晶工位；同时，另一共晶盘被同步联动按照第一预设路径相对的第二预设路径转移到上下料工位；在预设的转移工位提供第二物料，将第二物料转移到位于共晶工位的共晶盘并将第二物料贴放于第一物料上；通过共晶工位的共晶盘对第一物料与第二物料进行共晶；同时，同步对向位于上下料工位的共晶盘提供第一物料和/或进行下料操作，进行多工位循环工作。循环工作。循环工作。

【技术实现步骤摘要】
一种共晶方法及设备


[0001]本专利技术涉及共晶
，特别涉及一种共晶方法及设备。

技术介绍

[0002]随着现代社会科技及电子技术的不断进步，电子设备的制备和生产都朝着高精度的方向发展，而共晶机是电子
中的一种高精度共晶的重要设备。
[0003]现有的共晶设备在焊接高精度芯片时，先抓取一个基板放到共晶台，再抓取一个芯片放置到基板上的预定位置进行共晶，在进行多个芯片焊接时，需要一直重复这个工作，且在这个重复性的过程中针对不同芯片还需要不断更换吸嘴，导致在整个共晶过程中，非共晶所占用的时间较长，导致共晶设备的生产效率低下。

技术实现思路

[0004]为解决在对芯片和基板上下料时无法与芯片共晶并行的技术问题，本专利技术提供了一种共晶方法及设备。
[0005]本专利技术解决技术问题的方案是提供一种共晶方法，所述共晶设备上具有至少两个联动的共晶盘，包括以下步骤：
[0006]提供第一物料，在预设的上下料工位将所述第一物料转移到其中一共晶盘上；
[0007]将所述共晶盘按照第一预设路径转移到预设的共晶工位；同时，另一共晶盘被同步联动按照第一预设路径相对的第二预设路径转移到上下料工位；
[0008]在预设的转移工位提供第二物料，将所述第二物料转移到位于共晶工位的共晶盘并将所述第二物料贴放于所述第一物料上；
[0009]通过共晶工位的所述共晶盘对所述第一物料与所述第二物料进行共晶；同时，同步对向位于上下料工位的所述共晶盘提供第一物料和/或进行下料操作，进行多工位循环工作。
[0010]优选地，所述第一预设路径为围绕至少两共晶盘的中心轴旋转预设角度；
[0011]所述预设角度的范围为0
°
至180
°
；
[0012]所述第二预设路径为第一预设路径同平面的并且跟第一预设路径旋转方向同方向的路径。
[0013]优选地，所述预设角度为180
°
；
[0014]旋转方向为同一方向，或正向、反向交替。
[0015]优选地，在预设的转移工位提供第二物料，具体需要包括以下步骤：
[0016]提供第二物料并放置至预设的上料工位；
[0017]识别校准所述第二物料的位置；
[0018]将所述第二物料转移到转移工位。
[0019]优选地，在所述第一物料上设有待贴放所述第二物料的区域，在共晶工位的所述第一物料与所述第二物料通过预定的贴放区域上先贴合后共晶。
[0020]优选地，共晶方法还包括以下步骤：
[0021]提供惰性气体，对位于共晶工位的共晶盘上所述第一物料和所述第二物料加热，加热时，惰性气体用于保证所述共晶台的含氧量；
[0022]加热完毕后继续提供惰性气体，在共晶需要冷却时，对所述共晶盘降温，完成共晶。
[0023]优选地，在上下料工位和共晶工位上通过真空气路组件对所述工位上的物料进行稳定。
[0024]本专利技术还提供一种共晶设备，实现如上所述的共晶方法，包括共晶模块、中转承载模块及机械臂模块，所述机械臂模块实现所述中转承载模块与所述共晶模块的相互配合。
[0025]优选地，所述共晶模块包括共晶台和第一驱动件；
[0026]所述共晶台包括对称且间隔设置于所述共晶台的至少两共晶盘；
[0027]所述第一驱动件与所述共晶台传动连接，以控制所述共晶盘旋转使共晶盘之间保持预设间隔实现在共晶台平面上旋转预设角度。
[0028]优选地，所述机械臂模块包括至少三个机械臂和第三驱动件，所述第三驱动件控制一部分机械臂抓取和/或放置物料，控制另一部分机械臂转移物料和/或完成共晶。
[0029]与现有技术相比，本专利技术提供的一种共晶方法及设备，具有以下优点：
[0030]1、本专利技术的实施例提供的一种共晶方法，应用于共晶设备上进行共晶，共晶设备上具有至少两个联动的共晶盘，包括以下步骤：提供第一物料，在预设的上下料工位将第一物料转移到其中一共晶盘上；将共晶盘按照第一预设路径转移到预设的共晶工位；同时，另一共晶盘被同步联动按照第一预设路径相对的第二预设路径转移到上下料工位；在预设的转移工位提供第二物料，将第二物料转移到位于共晶工位的共晶盘并将第二物料贴放于第一物料上；通过共晶工位的共晶盘对第一物料与第二物料进行共晶；同时，同步对向位于上下料工位的共晶盘提供第一物料和/或进行下料操作，进行多工位循环工作。
[0031]可以理解地，在现有技术中制作产品的时间等于共晶时间加上非共晶时间，设置共晶盘并实现对向的共晶盘按照其预设的路径转移，可在芯片与基板贴合后进行共晶时并行将基板的上料和/或产品的下料工作完成；通过此设计，可以大幅度缩短非共晶的时间，提高了生产效率。
[0032]2、本专利技术的实施例提供的一种共晶方法，第一预设路径为围绕至少两共晶盘的中心轴旋转预设角度；预设角度的范围为0
°
至180
°
；第二预设路径为第一预设路径同平面的并且跟第一预设路径旋转方向同方向的路径。
[0033]可以理解地，一共晶盘在旋转的同时，另一共晶盘也随之跟着旋转，保证在不同的共晶盘上分别进行共晶、基板的上料和/或产品的下料，通过此设计，能够使该共晶设备在芯片进行共晶时，并行将基板的上料和/或产品的下料工作完成，大大缩短了不必要的非共晶时间，使生产线保持在一个相对较高且稳定的效率下工作。
[0034]3、本专利技术的实施例提供的一种共晶方法，预设角度为180
°
；旋转方向为同一方向，或正向、反向交替。可以理解地，每旋转180
°
时，一共晶盘就会由上下料工位转移至共晶工位，对应的，其对向的另一共晶盘也随之由共晶工位转移至上下料工位。
[0035]4、本专利技术的实施例提供的一种共晶方法，在预设的转移工位提供第二物料，具体需要包括以下步骤：提供第二物料并放置至预设的上料工位；识别校准第二物料的位置；将
第二物料转移到转移工位。
[0036]可以理解地，承载部是在上料工位和转移工位之间移动的，可以在芯片被转移至共晶工位的同时进行上料操作继续提供第二物料，缩短了非共晶的时间，提高整体的效率。通过此设计，还可以对放置的芯片进行定位，并实现校准，避免影响共晶的效果。
[0037]5、本专利技术的实施例提供的一种共晶方法，在第一物料上设有待贴放第二物料的区域，在共晶工位的第一物料与第二物料通过预定的贴放区域上先贴合后共晶。可以理解地，使用机器进行物料之间贴合的精准度可以通过自动对焦相机及辅助机械臂进行调整，通过预定的贴放区域进行贴合，可以使得芯片与基板贴合的精准度更高。
[0038][0039]6、本专利技术的实施例提供的一种共晶方法，共晶具体包括以下步骤：提供惰性气体，对位于共晶工位的共晶盘上的第一物料和第二物料加热，加热时，惰性气体用于保证共晶台的含氧量；加热完毕后继续提供惰性气体，在共晶需要冷却时，对共晶盘降温，完成共晶。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种共晶方法，应用于共晶设备上进行共晶，所述共晶设备上具有至少两个联动的共晶盘，其特征在于，包括以下步骤：提供第一物料，在预设的上下料工位将所述第一物料转移到其中一共晶盘上；将所述共晶盘按照第一预设路径转移到预设的共晶工位；同时，另一共晶盘被同步联动按照第一预设路径相对的第二预设路径转移到上下料工位；在预设的转移工位提供第二物料，将所述第二物料转移到位于共晶工位的共晶盘并将所述第二物料贴放于所述第一物料上；通过共晶工位的所述共晶盘对所述第一物料与所述第二物料进行共晶；同时，同步对向位于上下料工位的所述共晶盘提供第一物料和/或进行下料操作，进行多工位循环工作。2.如权利要求1所述的共晶方法，其特征在于：所述第一预设路径为围绕至少两共晶盘的中心轴旋转预设角度；所述预设角度的范围为0
°
至180
°
；所述第二预设路径为第一预设路径同平面的并且跟第一预设路径旋转方向同方向的路径。3.如权利要求2所述的共晶方法，其特征在于：所述预设角度为180
°
；旋转方向为同一方向，或正向、反向交替。4.如权利要求2所述的共晶方法，其特征在于，在预设的转移工位提供第二物料，具体需要包括以下步骤：提供第二物料并放置至预设的上料工位；识别校准所述第二物料的位置；将所述第二物料转移到转移工位。5.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘建喜，
申请(专利权)人：微见智能封装技术深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：