芯片数据保持时间的预测方法、装置及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种芯片数据保持时间的预测方法及装置、存储介质、终端，涉及芯片检测技术领域，主要目的在于解决现有芯片数据保持时间预测的不够准确的问题。包括：获取芯片的物理参数和第一数据保持时间，所述物理参数用于标识所述芯片当前运行状态，所述第一数据保持时间为当前芯片经历数据保持时间；根据所述物理参数和标准参数计算与所述芯片对应的错误值；基于预先训练的数据保持时间预测模型，根据所述物理参数、所述错误值和所述第一数据保持时间预测所述芯片的第二数据保持时间，所述第二数据保持时间为所述芯片剩余数据保持时间。主要用于预测芯片数据保持时间。间。主要用于预测芯片数据保持时间。间。主要用于预测芯片数据保持时间。

【技术实现步骤摘要】
芯片数据保持时间的预测方法、装置及存储介质


[0001]本专利技术涉及芯片检测
，特别是涉及一种芯片数据保持时间的预测方法、装置及存储介质。

技术介绍

[0002]随着科学技术和数字时代的不断发展，非易失性半导体存储器技术支撑了数字消费电子市场的爆炸式增长，其中，闪存便是一种非易失性存储器，具有写入操作之后长时间内保持存储信息不变的能力，即数据保持能力。数据在保持过程中，电子的逐渐丢失会缓慢导致数据的读取失败，且在使用过程中经历大量的编程/擦除(Program/Erase，P/E)周期，会加速数据读取失败。通过预测闪存芯片的数据保持时间，可以让使用者在数据读取失败之前，将读出的数据重新写入闪存，避免数据丢失。
[0003]目前，现有对芯片数据保持时间进行预测时，通常是基于多次历史测量数据建立预测模型，并利用预测模型和芯片的错误数来预测芯片的总数据保持时间或已经经历的数据保持时间，进而对芯片剩余数据保持时间进行预判，也就是说，这种预测方式不能够反映出闪存芯片的当前状态，且只基于芯片的错误数进行预测，从而使得数据保持时间预测的不够准确。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供一种芯片数据保持时间的预测方法及装置、存储介质、终端，主要目的在于解决现有芯片数据保持时间预测方式不能够反映出闪存芯片的当前状态，且只基于芯片的错误数进行预测，从而使得数据保持时间预测的不够准确的问题。
[0005]依据本专利技术一个方面，提供了一种芯片数据保持时间的预测方法，包括：
[0006]获取芯片的物理参数和第一数据保持时间，所述物理参数用于标识所述芯片当前运行状态，所述第一数据保持时间为当前芯片经历数据保持时间；
[0007]根据所述物理参数和标准参数计算与所述芯片对应的错误值；
[0008]基于预先训练的数据保持时间预测模型，根据所述物理参数、所述错误值和所述第一数据保持时间预测所述芯片的第二数据保持时间，所述第二数据保持时间为所述芯片剩余数据保持时间。
[0009]进一步地，所述芯片的物理参数至少包含有所述芯片的操作时间、操作电流、存储单元阈值电压分布状态中的一种或多种。
[0010]进一步地，所述获取芯片的物理参数包括：
[0011]获取所述芯片响应擦除操作和写数据操作时的操作时间和操作电流；
[0012]获取所述芯片响应读数据操作时的操作时间和操作电流；
[0013]采集所述芯片响应预设命令集时所述各个存储单元阈值电压分布状态。
[0014]进一步地，所述获取芯片的物理参数和第一数据保持时间之前，所述方法还包括：
[0015]按照预置时间间隔采集样本物理参数，并按照交叉验证算法将所述样本物理参数
划分为训练集、验证集和测试集，所述样本物理参数具有相应的采集时间标识和芯片经历数据保持时间标识；
[0016]根据所述训练集对初始模型进行训练，并结合所述验证集和所述测试集对训练得到的模型进行验证，得到所述数据保持时间预测模型。
[0017]进一步地，所述按照预置时间间隔采集样本物理参数，并按照交叉验证算法将所述样本物理参数划分为训练集、验证集和测试集包括：
[0018]按照预置时间间隔采集样本物理参数，并将所述样本物理参数按照采集时间标识、所述芯片经历数据保持时间标识和物理参数属性进行标记，得到多个样本物理参数集；
[0019]根据预先设定的模型训练原则从所述多个样本物理参数集中提取入模数据，并将所述入模数据按照交叉验证算法划分为所述训练集、验证集合测试集。
[0020]进一步地，所述基于预先训练的数据保持时间预测模型，根据所述物理参数、所述错误值和所述第一数据保持时间预测所述芯片的第二数据保持时间包括：
[0021]当所述错误值为所述芯片的纠错码上限阈值时，则根据所述错误值并基于所述数据保持时间预测模型计算所述芯片的第三数据保持时间，所述第三数据保持时间为所述芯片的数据保持时间上限值；
[0022]将所述第三数据保持时间和所述第一数据保持时间之间的差值，确定为所述第二数据保持时间。
[0023]进一步地，所述方法还包括：
[0024]判断所述第二数据保持时间是否低于预设告警阈值；
[0025]若是，则输入数据保持时间告警信息。
[0026]依据本专利技术另一个方面，提供了一种芯片数据保持时间的预测装置，包括：
[0027]获取模块，用于获取芯片的物理参数和第一数据保持时间，所述物理参数用于标识所述芯片当前运行状态，所述第一数据保持时间为当前芯片经历数据保持时间；
[0028]计算模块，用于根据所述物理参数和标准参数计算与所述芯片对应的错误值；
[0029]预测模块，用于基于预先训练的数据保持时间预测模型，根据所述物理参数、所述错误值和所述第一数据保持时间预测所述芯片的第二数据保持时间，所述第二数据保持时间为所述芯片剩余数据保持时间。
[0030]进一步地，所述芯片的物理参数至少包含有所述芯片的操作时间、操作电流、存储单元阈值电压分布状态中的一种或多种。
[0031]进一步地，所述获取模块，具体用于获取所述芯片响应擦除操作和写数据操作时的操作时间和操作电流；获取所述芯片响应读数据操作时的操作时间和操作电流；和采集所述芯片响应预设命令集时所述各个存储单元阈值电压分布状态。
[0032]进一步地，所述装置还包括：
[0033]采集模块，用于按照预置时间间隔采集样本物理参数；
[0034]划分模块，用于按照交叉验证算法将所述样本物理参数划分为训练集、验证集和测试集，所述样本物理参数具有相应的采集时间标识和芯片经历数据保持时间标识；
[0035]训练模块，用于根据所述训练集对初始模型进行训练，并结合所述验证集和所述测试集对训练得到的模型进行验证，得到所述数据保持时间预测模型。
[0036]进一步地，所述划分模块包括：
[0037]标记单元，用于将所述样本物理参数按照采集时间标识、所述芯片经历数据保持时间标识和物理参数属性进行标记，得到多个样本物理参数集；
[0038]提取单元，用于根据预先设定的模型训练原则从所述多个样本物理参数集中提取入模数据；
[0039]划分单元，用于将所述入模数据按照交叉验证算法划分为所述训练集、验证集合测试集。
[0040]进一步地，所述预测模块包括：
[0041]计算单元，用于当所述错误值为所述芯片的纠错码上限阈值时，则根据所述错误值并基于所述数据保持时间预测模型计算所述芯片的第三数据保持时间，所述第三数据保持时间为所述芯片的数据保持时间上限值；
[0042]确定单元，用于将所述第三数据保持时间和所述第一数据保持时间之间的差值，确定为所述第二数据保持时间。
[0043]进一步地，所述装置还包括：
[0044]判断模块，用于判断所述第二数据保持时间是否低于预设告警阈值；
[0045]输出模块，用于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片数据保持时间的预测方法，其特征在于，包括：获取芯片的物理参数和第一数据保持时间，所述物理参数用于标识所述芯片当前运行状态，所述第一数据保持时间为当前芯片经历数据保持时间；根据所述物理参数和标准参数计算与所述芯片对应的错误值；基于预先训练的数据保持时间预测模型，根据所述物理参数、所述错误值和所述第一数据保持时间预测所述芯片的第二数据保持时间，所述第二数据保持时间为所述芯片剩余数据保持时间。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片的物理参数至少包含有所述芯片的操作时间、操作电流、存储单元阈值电压分布状态中的一种或多种。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取芯片的物理参数包括：获取所述芯片响应擦除操作和写数据操作时的操作时间和操作电流；获取所述芯片响应读数据操作时的操作时间和操作电流；采集所述芯片响应预设命令集时所述各个存储单元阈值电压分布状态。4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述获取芯片的物理参数和第一数据保持时间之前，所述方法还包括：按照预置时间间隔采集样本物理参数，并按照交叉验证算法将所述样本物理参数划分为训练集、验证集和测试集，所述样本物理参数具有相应的采集时间标识和芯片经历数据保持时间标识；根据所述训练集对初始模型进行训练，并结合所述验证集和所述测试集对训练得到的模型进行验证，得到所述数据保持时间预测模型。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述按照预置时间间隔采集样本物理参数，并按照交叉验证算法将所述样本物理参数划分为训练集、验证集和测试集包括：按照预置时间间隔采集样本物理参数，并将所述样本物理参数按照采集时间标识、所述芯片经历数据保持时间标识和物理参数属性进行标记，得到多个样本物理参数集；根据预先设定的模型训练原则从所述多个样本物理参数集中提取入模数据，并将所述入模数据...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘政林，张婵婵，张浩明，
申请(专利权)人：武汉置富半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：