【技术实现步骤摘要】
一种闪存存储器数据保持能力的测试方法及装置
[0001]本申请涉及存储器测试
，尤其是涉及到一种闪存存储器数据保持能力的测试方法及装置、存储介质、计算机设备。
技术介绍
[0002]随着集成电路工艺的快速发展，存储器作为存储数据的主要单元在现代电子设备中的地位越来越重要。当前常用的存储器包括硬盘存储器、软盘存储器、移动存储器以及闪存存储器。
[0003]数据保持能力是衡量存储器可靠性的重要指标，它代表存储器能够正确存储数据的能力。闪存存储器在使用过程中，随着编程
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擦除操作次数的增加，一些电子在编程
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擦除操作的间隔期间(即停留时间)内逐渐脱离，这种电子脱离的现象(即脱陷阱)被称为自恢复效应。这种自恢复效应会影响闪存存储器在擦除
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编程操作后的数据保持能力。现有测试方法均将被测闪存存储器的存储单元磨损至相同程度，不考虑操作次数及自恢复效应的影响，通过这种方法对具有自恢复效应的闪存存储器的数据保持能力进行测试时，测试准确度较低，严重影响后续数据存储的安全性。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本申请提供了一种闪存存储器数据保持能力的测试方法及装置、存储介质、计算机设备，通过设置断电放置的步骤，能够充分考虑闪存存储器的自恢复效应，使得闪存存储器数据保持能力的测试准确度更高，有利于提升闪存存储器的数据存储安全性。
[0005]根据本申请的一个方面，提供了一种闪存存储器数据保持能力的测试方法，包括：
[0006]从待测试闪存...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种闪存存储器数据保持能力的测试方法，其特征在于，包括：从待测试闪存存储器中确定待测试存储单元，并对所述待测试存储单元进行擦除
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编程操作；当所述擦除
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编程操作的操作次数达到预设操作次数阈值时，对所述待测试闪存存储器进行断电处理；当断电时间达到第一时长时，恢复所述待测试闪存存储器的供电，对所述待测试存储单元进行擦除
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编程
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读取操作，其中，每个所述待测试存储单元在执行所述擦除
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编程
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读取操作时写入目标图形；再次对所述待测试闪存存储器进行断电处理，并在断电后对所述待测试闪存存储器进行变温处理操作；当所述变温处理操作结束后，对所述待测试存储单元进行读取操作，并基于读取结果，确定所述待测试闪存存储器的数据保持能力。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在断电后对所述待测试闪存存储器进行变温处理操作，具体包括：在断电后基于预设变温装置对所述待测试闪存存储器进行升温处理，并当所述预设变温装置的温度达到第一预设温度阈值时，使所述预设变温装置的温度保持在所述第一预设温度阈值；当所述预设变温装置在所述第一预设温度阈值下保持的时间超过第二时长时，对所述预设变温装置进行降温处理，并当所述预设变温装置的温度达到第二预设温度阈值时，结束变温处理操作。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述待测试存储单元进行擦除
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编程操作，具体包括：确定所述待测试闪存存储器对应的所述擦除
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编程操作的预设操作次数阈值以及第一操作次数，并对每个所述待测试存储单元进行所述第一操作次数的所述擦除
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编程操作；当所述第一操作次数小于所述预设操作次数阈值时，记录所述第一操作次数的所述擦除
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编程操作的操作结束时间，当所述操作结束时间距离当前时间超过第三时长时，对所述待测试存储单元进行第二操作次数的所述擦除
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编程操作，并记录所述待测试存储单元的所述擦除
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编程操作的总操作次数；当所述总操作次数小于所述预设操作次数阈值时，记录所述第二操作次数的所述擦除
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编程操作的操作结束时间，当所述操作结束时间距离当前时间超过所述第三时长时，再次对所述待测试存储单元进行所述第二操作次数的所述擦除
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编程操作，并更新所述待测试存储单元的所述擦除
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编程操作的总操作次数，直至更新后的总操作次数等于所述预设操作次数阈值。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从待测试闪存存储器中确定待测试存储单元，并对所述待测试存储单元进行擦除
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编程操作，具体包括：将所述待测试闪存存储器中的存储单元进行划分，得到多个存储区间；分别从每个所述存储区间中确定第一数量的所述待测试存储单元，对所述待测试存储单元进行分组，得到待测试单元组，其中，每个所述待测试单元组中包括各个所述存储区间中相同数量的所述待测试存储单元，每个所述待测试单元组中的待测试存储单元数量相
同；分别确定各个所述待测试单元组对应的所述预设操作次数阈值，并对每个所述待测试单元组中的所述待测试存储单元进行所述擦除
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编程操作。5.根据权利要求4所述的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘政林，潘玉茜，张婵婵，张浩明，
申请(专利权)人：武汉置富半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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