本发明专利技术公开了一种闪存芯片的可靠性测试方法、装置、存储介质及计算机设备，涉及存储器测试技术领域。其中方法包括：将待测闪存芯片的测试温度调整为预定温度，并利用第一测试图样对待测闪存芯片进行第一运行次数的闪存操作；对待测闪存芯片进行烘焙处理，并在烘焙完成后利用第二测试图样对待测闪存芯片进行第二运行次数的闪存操作，其中，第二测试图样与第一测试图样为不相同的测试图样；采集待测闪存芯片在当前状态下的多个特征量；将待测闪存芯片在当前状态下的多个特征量与多个参考特征量进行一一比对，得到待测闪存芯片的可靠性测试结果。上述方法可以提高闪存芯片可靠性测试的准确性。试的准确性。试的准确性。
【技术实现步骤摘要】
闪存芯片的可靠性测试方法、装置、存储介质及设备
[0001]本专利技术涉及存储器测试
，尤其是涉及一种闪存芯片的可靠性测试方法、装置、存储介质及计算机设备。
技术介绍
[0002]闪存芯片是一种非易失性存储器，具有数据传输速度快、存储容量大以及在断电的情况下也不会丢失数据等优点。基于此，闪存芯片已经被广泛的应用到日常生活中的各个领域中。
[0003]在工业和航天航空等高尖端
中，受工作环境等因素的影响，对于闪存芯片在高温以及低温下的可靠性有着十分严苛的要求，但是，由于不同的闪存芯片生产厂商采用的制造工艺不同，使得闪存芯片在单元结构以及阵列架构上存在较大差异，具体表现在不同的闪存芯片在高温和低温下的可靠性以及使用寿命的长短参差不齐。
[0004]现有的闪存芯片的可靠性测试方法是单独针对某一种闪存芯片进行测试，这样的测试方法通用性不强，且在测试多种型号的闪存芯片时，闪存芯片时所激发的错误类型较少，因此导致对于闪存芯片可靠性测试的准确性较低。
技术实现思路
[0005]有鉴于此，本申请提供了一种闪存芯片的可靠性测试方法、装置、存储介质及计算机设备，主要目的在于解决闪存芯片的可靠性测试方法通用性不强，测试的准确性较低的技术问题。
[0006]根据本专利技术的第一个方面，提供了一种闪存芯片的可靠性测试方法，该方法包括：
[0007]将待测闪存芯片的测试温度调整为预定温度，并利用第一测试图样对待测闪存芯片进行第一运行次数的闪存操作；
[0008]对待测闪存芯片进行烘焙处理，并在烘焙完成后利用第二测试图样对待测闪存芯片进行第二运行次数的闪存操作，其中，第二测试图样与第一测试图样为不相同的测试图样；
[0009]采集待测闪存芯片在当前状态下的多个特征量；
[0010]将待测闪存芯片在当前状态下的多个特征量与多个参考特征量进行一一比对，得到待测闪存芯片的可靠性测试结果。
[0011]可选的，将待测闪存芯片的测试温度调整为预定温度包括：在目标型号的多块闪存芯片中选取一块闪存芯片作为待测闪存芯片；将待测闪存芯片放置在温箱内；当待测闪存芯片进行高温测试时，将温箱的温度最高调整至85℃；当待测闪存芯片进行低温测试时，将温箱的温度最低调整至
‑
40℃。
[0012]可选的，并利用第一测试图样对待测闪存芯片进行第一运行次数的闪存操作包括：在待测闪存芯片中写入第一测试图样，并采集待测闪存芯片的编程时间和编程电流，其中，第一测试图样为伪随机测试图、全1测试图、全0测试图、全A测试图和棋盘格测试图中的
其中一种；读取待测闪存芯片中的测试数据，并采集待测闪存芯片的存储单元阈值电压分布、读取时间和读取电流，将待测闪存芯片中的测试数据与预设测试数据进行比较，得到测试数据的比较结果；根据测试数据的比较结果，得到闪存芯片的错误率；擦除待测闪存芯片中的测试数据，并采集待测闪存芯片的擦除时间和擦除电流，待测闪存芯片完成一次闪存操作；待测闪存芯片进行多次闪存操作，记录待测闪存芯片历经闪存操作的次数，作为闪存操作的第一运行次数。
[0013]可选的，采集待测闪存芯片在当前状态下的多个特征量包括：在利用第一测试图样和第二测试图样对待测闪存芯片进行闪存操作的过程中，每间隔n次闪存操作对待测闪存芯片的多个特征量进行一次采集，其中，n为不小于0的自然数；获取最后一次采集到的待测闪存芯片的多个特征量作为待测闪存芯片在当前状态下的多个特征量；待测闪存芯片在当前状态下的多个特征量包括待测闪存芯片的编程时间、读取时间、擦除时间、操作电流、存储单元阈值电压分布和错误率，其中，待测闪存芯片的操作电流包括待测闪存芯片的编程电流、读取电流和擦除电流。
[0014]可选的，采集待测闪存芯片在当前状态下的多个特征量还包括：根据预设分类标准，对待测闪存芯片在当前状态下的多个特征量进行分类标记，其中，预设分类标准包括：待测闪存芯片的多个特征量的名称、待测闪存芯片历经闪存操作的次数和待测闪存芯片所属的目标型号。
[0015]可选的，将待测闪存芯片在当前状态下的多个特征量与多个参考特征量进行一一比对，得到待测闪存芯片的可靠性测试结果包括：将待测闪存芯片在当前状态下的多个特征量中的每一特征量与多个参考特征量中对应的每一参考特征量进行一一比对；若多个特征量中的每一特征量均未超过多个参考特征量中对应的参考特征量，则待测闪存芯片的可靠性测试结果为成功；若多个特征量中存在至少一个特征量超过多个参考特征量中对应的参考特征量，则待测闪存芯片的可靠性测试结果为失败。
[0016]可选的，在采集所述待测闪存芯片在当前状态下的多个特征量之前，闪存芯片的可靠性测试方法还包括：将所述第一运行次数和所述第二运行次数之和与预设运行次数进行比对；当所述第一运行次数和所述第二运行次数之和大于等于所述预设运行次数时，停止对所述待测闪存芯片进行闪存操作。
[0017]根据本专利技术的第二个方面，提供了一种闪存芯片的可靠性测试装置，该装置包括：
[0018]第一测试模块，用于将待测闪存芯片的测试温度调整为预定温度，并利用第一测试图样对待测闪存芯片进行第一运行次数的闪存操作；
[0019]第二测试模块，用于对待测闪存芯片进行烘焙处理，并在烘焙完成后利用第二测试图样对待测闪存芯片进行第二运行次数的闪存操作，其中，第二测试图样与第一测试图样为不相同的测试图样；
[0020]数据获取模块，用于采集待测闪存芯片在当前状态下的多个特征量；
[0021]结果输出模块，用于将待测闪存芯片在当前状态下的多个特征量与多个参考特征量进行一一比对，得到待测闪存芯片的可靠性测试结果。
[0022]根据本专利技术的第三个方面，提供了一种存储介质，其上存储有计算机程序，程序被处理器执行时实现上述闪存芯片的可靠性测试方法。
[0023]根据本专利技术的第四个方面，提供了一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在
存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行程序时实现上述闪存芯片的可靠性测试方法。
[0024]本专利技术提供的一种闪存芯片的可靠性测试方法、装置、存储介质及计算机设备，通过将待测闪存芯片的测试温度调整为预定温度，并利用第一测试图样对待测闪存芯片进行第一运行次数的闪存操作，然后对待测闪存芯片进行烘焙处理，并在烘焙完成后利用第二测试图样对待测闪存芯片进行第二运行次数的闪存操作，其中，第二测试图样与第一测试图样为不相同的测试图样，继而采集待测闪存芯片在当前状态下的多个特征量，最后将待测闪存芯片在当前状态下的多个特征量与多个参考特征量进行一一比对，得到待测闪存芯片的可靠性测试结果。上述方法通过将闪存芯片的测试温度调整至预定温度，使得闪存芯片测试可以在较宽的温度范围下进行，使得闪存芯片的可靠性测试的适用范围更广，并且具有较好的通用性。此外，上述方法通过采用不同的测试图样对闪存芯片进行闪存操作，相比只支持单一测试图样的测试方法，可以激发闪存芯片更多的错误类型，使得闪存芯片可靠性的准确率更高。因此，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种闪存芯片的可靠性测试方法，其特征在于，所述方法包括：将待测闪存芯片的测试温度调整为预定温度，并利用第一测试图样对所述待测闪存芯片进行第一运行次数的闪存操作；对所述待测闪存芯片进行烘焙处理，并在烘焙完成后利用第二测试图样对所述待测闪存芯片进行第二运行次数的闪存操作，其中，所述第二测试图样与所述第一测试图样为不相同的测试图样；采集所述待测闪存芯片在当前状态下的多个特征量；将所述待测闪存芯片在当前状态下的多个特征量与多个参考特征量进行一一比对，得到所述待测闪存芯片的可靠性测试结果。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将待测闪存芯片的测试温度调整为预定温度，包括：在目标型号的多块闪存芯片中选取一块闪存芯片作为待测闪存芯片；将所述待测闪存芯片放置在温箱内；当所述待测闪存芯片进行高温测试时，将所述温箱的温度最高调整至85℃；当所述待测闪存芯片进行低温测试时，将所述温箱的温度最低调整至
‑
40℃。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述并利用第一测试图样对所述待测闪存芯片进行第一运行次数的闪存操作，包括：在所述待测闪存芯片中写入第一测试图样，并采集所述待测闪存芯片的编程时间和编程电流，其中，所述第一测试图样为伪随机测试图、全1测试图、全0测试图、全A测试图和棋盘格测试图中的其中一种；读取所述待测闪存芯片中的测试数据，并采集所述待测闪存芯片的存储单元阈值电压分布、读取时间和读取电流，将所述待测闪存芯片中的测试数据与预设测试数据进行比较，得到测试数据的比较结果；根据所述测试数据的比较结果，得到所述闪存芯片的错误率；擦除所述待测闪存芯片中的测试数据，并采集所述待测闪存芯片的擦除时间和擦除电流，所述待测闪存芯片完成一次闪存操作；所述待测闪存芯片进行多次闪存操作，记录所述待测闪存芯片历经闪存操作的次数，作为所述闪存操作的第一运行次数。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采集所述待测闪存芯片在当前状态下的多个特征量，包括：在利用所述第一测试图样和所述第二测试图样对所述待测闪存芯片进行闪存操作的过程中，每间隔n次闪存操作对所述待测闪存芯片的多个特征量进行一次采集，其中，n为不小于0的自然数；获取最后一次采集到的所述待测闪存芯片的多个特征量作为所述待测闪存芯片在当前状态下的多个特征量；所述待测闪存芯片在当前状态下的多个特征量包括所述待测闪存芯片的编程时间、读取时间、擦除时间、操作电流、存储单元阈值电压分...
【专利技术属性】
技术研发人员：张婵婵，张浩明，潘玉茜，熊建林，
申请(专利权)人：武汉置富半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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