存储器存储元件及闪速存储器的写入方法技术

本发明专利技术提供一种存储器存储元件及闪速存储器的写入方法。存储器存储元件包括闪速存储器及控制器电路。闪速存储器包括多个存储单元。存储单元中的每一者包括衬底、漏极端子、源极端子及栅极端子。控制器电路耦合到闪速存储器。控制器电路被配置成对存储单元执行第一擦除操作以获得第一擦除阈值电压分布，且对存储单元执行编程操作以获得编程阈值电压分布。第一擦除阈值电压分布大于第一目标电压。编程阈值电压分布小于第二目标电压。第一目标电压大于第二目标电压。于第二目标电压。于第二目标电压。

【技术实现步骤摘要】
存储器存储元件及闪速存储器的写入方法


[0001]本专利技术涉及一种存储器存储元件及闪速存储器的写入方法。

技术介绍

[0002]对于或非(NOR)闪速存储器而言，控制器电路通过擦除操作及编程操作将存储数据写入到存储单元中。控制器电路将存储单元擦除为预设的位状态(例如“1”状态)，然后基于要存储的数据将特定位置的存储单元编程为另一位状态(例如“0”状态)。在相关技术中，擦除操作可使在同一个存储块中的存储单元的阈值电压一起降低。这些存储单元的擦除速度较慢，因此会导致同一个存储块中其他存储单元被过擦除(over erase)。
[0003]为了解决此一问题，在擦除操作之后对存储单元进行后编程操作(post
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program operation)，可避免产生过擦除漏电流。然而，如果断电发生在后编程操作完成之前，则被过擦除的存储单元可能会在下次供电之后产生位线漏电流。因此，被过擦除的存储单元可能在读取操作或编程操作期间产生位线漏电流。

技术实现思路

[0004]本专利技术涉及一种存储器存储元件及闪速存储器的写入本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪速存储器的写入方法，其中所述闪速存储器包括多个存储单元，所述写入方法包括：对所述存储单元执行第一擦除操作以获得第一擦除阈值电压分布，其中所述第一擦除阈值电压分布大于第一目标电压；以及对所述存储单元执行编程操作以获得编程阈值电压分布，其中所述编程阈值电压分布小于第二目标电压，其中所述第一目标电压大于所述第二目标电压。2.根据权利要求1所述的写入方法，其中所述存储单元中的每一者包括衬底、漏极端子、源极端子及栅极端子，且对所述存储单元执行所述第一擦除操作以获得所述第一擦除阈值电压分布的步骤包括：分别向所述衬底、所述漏极端子及所述源极端子施加负电压；以及向所述栅极端子施加正电压，其中所述负电压的绝对值与所述正电压的绝对值相同，其中所述第一擦除操作是沟道福勒
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诺德海姆隧穿擦除。3.根据权利要求1所述的写入方法，还包括：对所述存储单元执行第二擦除操作以获得第二擦除阈值电压分布，其中所述第二擦除阈值电压分布大于第三目标电压，其中所述第三目标电压大于所述第一目标电压。4.根据权利要求1所述的写入方法，其中所述存储单元中的每一者包括衬底、漏极端子、源极端子及栅极端子，且对所述存储单元执行第二擦除操作以获得所述第二擦除阈值电压分布的步骤包括：分别向所述栅极端子及所述漏极端子施加第一正电压及第二正电压，其中所述第一正电压大于所述第二正电压；以及分别向所述衬底及所述源极端子施加接地电压，其中所述第二擦除操作是沟道热电子注入擦除。5.根据权利要求1所述的写入方法，其中所述存储单元中的每一者包括衬底、漏极端子、源极端子及栅极端子，且对所述存储单元执行所述编程操作以获得所述编程阈值电压分布的步骤包括：向所述栅极端子施加负电压；向所述漏极端子施加正电压，其中所述负电压的绝对值大于所述正电压的绝对值；以及分别向所述衬底及所述源极端子施加接地电压，其中所述编程操作是沟道福勒
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诺德海姆隧穿编程。6.一种存储器存储元件，包括：闪...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄科颖，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：