选择栅极可靠性制造技术

本申请案涉及选择栅极可靠性。一种方法包含确定存储器串的选择栅极的经编程阈值电压，以及基于所述经编程阈值电压向所述选择栅极指派经编程可靠性等级。所述经编程可靠性等级指示热数据、温数据和/或冷数据可编程到所述存储器串。所述方法进一步包含将质量特性计数递增到第一校验电压值，在所述第一校验电压值下确定所述选择栅极的第一经校验阈值电压，以及基于所述第一经校验阈值电压向所述选择栅极指派第一可靠性等级。所述第一可靠性等级指示所述温数据或所述冷数据或这两者可编程到所述存储器串。所述存储器串。所述存储器串。

【技术实现步骤摘要】
选择栅极可靠性


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更特定地涉及选择栅极可靠性。

技术介绍

[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据和从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]本公开的一实施例提供一种用于选择栅极可靠性的方法，其包括：确定存储器串的选择栅极的经编程阈值电压；基于所述经编程阈值电压向所述选择栅极指派经编程可靠性等级，其中所述经编程可靠性等级指示热数据、温数据或冷数据或其任何组合可编程到所述存储器串；将质量特性计数递增到第一校验电压值；在所述第一校验电压值下确定所述选择栅极的第一经校验阈值电压；以及基于所述第一经校验阈值电压向所述选择栅极指派第一可靠性等级，其中所述第一可靠性等级指示所述温数据或所述冷数据或这两者可编程到所述存储器串。
[0004]本公开的另一实施例提供一种用于选择栅极可靠性的设备，其包括：存储器单元块，其包括多个存储器串；以及存储器子系统可靠性组件，其耦合到所述存储器单元块，其中所述存储器子系统可靠性组件用于：基于所述多个存储器串中的存储器串的第一选择栅极和第二选择栅极的相应经编程阈值电压向所述第一选择栅极和所述第二选择栅极指派相应第一选择栅极经编程可靠性等级和第二选择栅极经编程可靠性等级，其中所述经编程可靠性等级指示热数据、温数据或冷数据或其任何组合可编程到所述存储器串；将所述第一选择栅极和所述第二选择栅极的质量特性计数递增到第一校验电压值；在所述第一校验电压值下确定第一选择栅极第一经校验阈值电压和第二选择栅极第一经校验阈值电压；比较所述第一选择栅极第一经校验阈值电压和所述第二选择栅极第一经校验阈值电压以确定所述第一选择栅极和所述第二选择栅极具有共同第一经校验阈值电压可靠性；以及基于所述第一经校验阈值电压向所述第一选择栅极和所述第二选择栅极指派第一可靠性等级，其中所述第一可靠性等级指示所述温数据或所述冷数据或这两者可编程到所述存储器串。
[0005]本公开的又一实施例提供一种用于选择栅极可靠性的系统，其包括：存储器单元块，其包括多个存储器串；以及处理器，其耦合到所述存储器单元块，其中所述处理器用于：基于所述多个存储器串中的存储器串的第一选择栅极和第二选择栅极的相应经编程阈值电压向所述第一选择栅极和所述第二选择栅极指派相应第一选择栅极经编程可靠性等级、第二选择栅极经编程可靠性等级，其中所述经编程可靠性等级指示热数据、温数据或冷数据或其任何组合可编程到所述存储器串；将所述第一选择栅极和所述第二选择栅极的质量特性计数递增到第一校验电压值；在所述第一校验电压值下确定第一选择栅极第一经校验阈值电压和第二选择栅极第一经校验阈值电压；比较所述第一选择栅极第一经校验阈值电
压和所述第二选择栅极第一经校验阈值电压以确定所述第一选择栅极和所述第二选择栅极不具有共同第一经校验阈值电压可靠性；以及基于较低第一经校验阈值电压可靠性向所述第一选择栅极或所述第二选择栅极指派第一可靠性等级，其中所述第一可靠性等级指示所述温数据或所述冷数据或这两者可编程到所述存储器串。
附图说明
[0006]将从下文所给出的具体实施方式并从本公开的各种实施例的随附图式更充分地理解本公开。
[0007]图1示出根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
[0008]图2示出根据本公开的一些实施例的包含选择栅极的存储器串的实例。
[0009]图3示出根据本公开的一些实施例的用于选择栅极的阈值电压(V
T
)分布绘图的实例。
[0010]图4是根据本公开的一些实施例的对应于用于选择栅极可靠性的方法的流程图。
[0011]图5是其中可操作本公开的实施例的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0012]本公开的各方面涉及存储器子系统中的选择栅极可靠性，尤其是涉及包含存储器串的存储器子系统，其中每一存储器串包含多个选择栅极。存储器子系统可为存储系统、存储装置、存储器模块，或此类各者的组合。存储器子系统的实例是例如固态驱动器(SSD)的存储系统。下文结合图1以及其它图描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含一或多个组件的存储器子系统，例如存储数据(例如存储器对象)的存储器装置。主机系统可提供待存储在存储器子系统处的数据，且可请求待从存储器子系统检索的数据。
[0013]存储器装置可为非易失性存储器装置。非易失性存储器装置的一个实例是与非(NAND)存储器装置(也被称为快闪技术)。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置是一或多个裸片的封装。每一裸片可由一或多个平面组成。平面可被分组为逻辑单元(LUN)。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如NAND装置)，每一平面由一组物理块组成。每一块由一组页组成。每一页由一组存储器单元(“单元”)组成。单元是存储信息的电子电路。块在下文中是指用于存储数据的存储器装置的单元，且可包含存储器单元群组、字线群组、字线或个别存储器单元。对于一些存储器装置，块(在下文中也被称为“存储器块”)是可被擦除的最小区域。页不能被个别地擦除，且仅整个块可被擦除。
[0014]每一存储器装置可包含一或多个存储器单元阵列。取决于单元类型，单元可存储一或多个二进制信息位，且具有与正被存储的位的数目相关的各种逻辑状态。逻辑状态可由例如“0”和“1”的二进制值或此类值的组合表示。存在各种类型的单元，例如单层级单元(SLC)、多层级单元(MLC)、三层级单元(TLC)和四层级单元(QLC)。举例来说，SLC可存储一个信息位且具有两种逻辑状态。
[0015]一些NAND存储器装置采用浮动栅极架构，其中基于位线和字线之间的相对电压改变来控制存储器存取。NAND存储器装置的其它实例可采用可包含字线布局的用途的替换栅极架构，所述字线布局可允许基于用于构造字线的材料的性质而在存储器单元内捕获对应
于数据值的电荷。虽然浮动栅极架构和替换栅极架构两者采用选择栅极(例如选择栅极晶体管)的用途，但替换栅极架构可包含耦合到NAND存储器单元串的多个选择栅极。此外，替换栅极架构可包含可编程选择栅极，而浮动栅极架构通常不允许对选择栅极进行编程。实施例规定，选择栅极是可编程的，且因此可部署在替换栅极存储器架构中。
[0016]因为替换栅极NAND架构的选择栅极可被编程(例如可被偏置到逻辑高(HIGH)或逻辑低(LOW)状态，或其间的状态)，所以此类选择栅极可能易遭受对应于编程到选择栅极的状态的电压的移位或“漂移”。举例来说，归因于来自编程
‑
擦除循环(PEC)的量和/或由与选择栅极相关联的存储器串执行的感测操作的量的物理降级，替换栅极NAND架构的选择栅极的阈值电压(V
T
)分布可能会移位或“漂移”。也就是说，替换栅极架构的选择栅极的V
T
可随时间而改变，使得对应于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于选择栅极可靠性的方法(450)，其包括：确定(451)存储器串(231)的选择栅极(232、233)的经编程阈值电压；基于所述经编程阈值电压向所述选择栅极指派(452)经编程可靠性等级，其中所述经编程可靠性等级指示热数据、温数据或冷数据或其任何组合能够编程到所述存储器串；将质量特性计数递增(453)到第一校验电压值(343)；在所述第一校验电压值下确定(454)所述选择栅极的第一经校验阈值电压；以及基于所述第一经校验阈值电压向所述选择栅极指派(455)第一可靠性等级，其中所述第一可靠性等级指示所述温数据或所述冷数据或这两者能够编程到所述存储器串。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：将所述质量特性计数递增到第二校验电压值(344)；在所述第二经校验电压值下确定所述选择栅极的第二经校验阈值电压；以及基于所述第二经校验阈值电压向所述选择栅极指派第二可靠性等级，其中所述第二可靠性等级指示所述冷数据能够编程到所述存储器串。3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：将所述质量特性计数递增到第三经校验电压值(345)；在所述第三经校验电压值下确定所述选择栅极的第三经校验阈值电压；以及基于所述第三经校验阈值电压向所述选择栅极指派第三可靠性等级，其中所述第三可靠性等级指示所述热数据、所述温数据或所述冷数据或其任何组合不能够编程到所述存储器串。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一经校验阈值电压大于所述经编程阈值电压，所述第二经校验阈值电压大于所述第一经校验阈值电压，且所述第三经校验阈值电压大于所述第二经校验阈值电压。5.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一经校验阈值电压小于所述经编程阈值电压，所述第二经校验阈值电压小于所述第一经校验阈值电压，且所述第三经校验阈值电压小于所述第二经校验阈值电压。6.一种用于选择栅极可靠性的设备，其包括：存储器单元块，其包括多个存储器串(231)；以及存储器子系统(110)可靠性组件(113)，其耦合到所述存储器单元块，其中所述存储器子系统可靠性组件用于：基于所述多个存储器串中的存储器串的第一选择栅极(232、233)和第二选择栅极(232、233)的相应经编程阈值电压，向所述第一选择栅极和所述第二选择栅极指派相应第一选择栅极经编程可靠性等级和第二选择栅极经编程可靠性等级，其中所述经编程可靠性等级指示热数据、温数据或冷数据或其任何组合能够编程到所述存储器串；将所述第一选择栅极和所述第二选择栅极的质量特性计数递增到第一校验电压值(343)；在所述第一校验电压值下确定第一选择栅极第一经校验阈值电压和第二选择栅极第一经校验阈值电压；比较所述第一选择栅极第一经校验阈值电压和所述第二选择栅极第一经校验阈值电压以确定所述第一选择栅极和所述第二选择栅极具有共同第一经校验阈值电压可靠性；以
及基于所述第一经校验阈值电压向所述第一选择栅极和所述第二选择栅极指派第一可靠性等级，其中所述第一可靠性等级指示所述温数据或所述冷数据或这两者能够编程到所述存储器串。7.根据权利要求6所述的设备，其中所述第一可靠性等级指示所述存储器串的所述第一选择栅极和所述第二选择栅极相较于具有所述相应第一选择栅极经编程可靠性等级和所述第二选择栅极经编程可靠性等级的所述第一选择栅极和所述第二选择栅极已降级。8.根据权利要求6所述的设备，其中所述存储器子系统可靠性组件用于将所述第一选择栅极和所述第二选择栅极的所述质量特性计数递增到第二校验电压值(344)；在所述第二经校验电压值下确定第一选择栅极第二经校验阈值电压和第二选择栅极第二经校验阈值电压；比较所述第一选择栅极第二经校验阈值电压和所述第二选择栅极第二经校验阈值电压以确定所述第一选择栅极和所述第二选择栅极具有共同第二经校验阈值电压可靠性；以及基于所述第二经校验阈值电压向所述第一选择栅极和所述第二选择栅极指派第二可靠性等级，其中所述第二可靠性等级指示所述冷数据能够编程到所述存储器串。9.根据权利要求8所述的设备，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：F，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：