单晶炉双相复合换热器、单晶炉和换热方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种单晶炉双相复合换热器、单晶炉和换热方法；单晶炉双相复合换热器包括换热壳体和分隔板，换热壳体包括相互连接且间隔分布的内壳和外壳，内壳的内壁和外壳的内壁之间形成换热腔，内壳的外壁围合形成提拉通道；分隔板连接于内壳的内壁和外壳的内壁之间，用于将换热腔分隔为水冷换热腔和相变换热腔，其中，水冷换热腔位于相变换热腔的上方，水冷换热腔用于循环冷却水，相变换热腔用于盛装有机换热介质、并用于容纳有机换热介质挥发形成的气相换热介质。本发明专利技术的单晶炉双相复合换热器和换热方法能够稳定、可靠地控制纵向温度梯度，以保证晶体在高拉速下稳定地生长，提高晶体生产效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
单晶炉双相复合换热器、单晶炉和换热方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种单晶炉双相复合换热器、单晶炉和换热方法。

技术介绍

[0002]直拉法生长单晶硅是目前应用较广的一种单晶硅生产技术。用直拉法生长单晶硅时，单晶炉为核心生产设备之一；现有技术提供的单晶炉包括加热器、坩埚和提拉头；加热器设置在坩埚的外侧，用于对坩埚加热，而硅料则在坩埚内受热熔化形成硅熔体；提拉头将籽晶浸入硅熔体中，在籽晶下方生长并提拉单晶棒。
[0003]采用直拉法生长单晶硅时，降低成本最直接的方式即为提高生产效率；而提高晶体生长的速度是提高生产效率最主要的方法之一。又有相关技术为了提高晶体生长的速度，给单晶炉配置了换热器，以利用换热器带走结晶释放的潜热，增加晶体纵向温度梯度，以提高晶体生长速度。
[0004]但是，相关技术提供的换热器对于纵向温度梯度的提高效果有限，且不便于稳定地控制纵向温度梯度，难以保证晶体在高拉速下稳定地生长，即难以保证晶体高质量的快速生长。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉双相复合换热器，其特征在于，包括：换热壳体，所述换热壳体包括相互连接且间隔分布的内壳和外壳，所述内壳的内壁和所述外壳的内壁之间形成换热腔，所述内壳的外壁围合形成提拉通道；分隔板，所述分隔板连接于所述内壳的内壁和所述外壳的内壁之间，用于将所述换热腔分隔为水冷换热腔和相变换热腔，其中，所述水冷换热腔位于所述相变换热腔的上方，所述水冷换热腔用于循环冷却水，所述相变换热腔用于盛装有机换热介质、并用于容纳所述有机换热介质挥发形成的气相换热介质。2.根据权利要求1所述的单晶炉双相复合换热器，其特征在于，所述分隔板朝向所述相变换热腔的一侧设置有多个凹槽。3.根据权利要求2所述的单晶炉双相复合换热器，其特征在于，多个所述凹槽的总面积占所述分隔板朝向所述相变换热腔的一侧的表面积的60
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70%。4.根据权利要求1
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3任一项所述的单晶炉双相复合换热器，其特征在于，所述单晶炉双相复合换热器还包括底板，所述底板连接于所述内壳和所述外壳之间，且所述底板分布于所述相变换热腔远离所述分隔板的一端；所述底板朝向所述相变换热腔的一侧连接有多个凸起。5.根据权利要求4所述的单晶炉双相复合换热器，其特征在于，多个所述凸起的总面积占所述底板朝向所述相变换热腔的一侧的表面积的50
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60%。6.根据权利要求4所述的单晶炉双相复合换热器，其特征在于，所述凸起的高度大于或等于0.1mm。7.根据权利要求4所述的单晶炉双相复合换热器，其特征在于，所述凸起由疏水材料制备，所述底板由亲水材料制备。8.根据权利要求1所述的单晶炉双相复合换热器，其特征在于，所述相变换热腔包括从上至下依次连通的气相区和液相区，所述内壳包括依次连接的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李林东，魏子涵，陈伟，陈志军，吴超慧，张鹏，丁云飞，许堃，
申请(专利权)人：苏州晨晖智能设备有限公司，
类型：发明
国别省市：