本发明公开了一种切片机，涉及半导体切割技术领域。该切片机包括机架、喷淋机构和位置调节机构，位置调节机构包括升降驱动机构和平移驱动机构。升降驱动机构包括基座、升降台、第一齿条、第一齿轮、第一轴承和第一驱动轴以及第一锁紧件，且升降台的内侧开...

本发明属于硅片加工技术领域，具体的说是一种硅片切割下料装置，包括切割台，切割台的顶部固定连接有支撑架，支撑架上设置有切割机构，切割台靠近支撑架的一端侧壁固定连接有支撑座，支撑座的端部转动连接有圆柱轴，支撑座上通过圆柱轴转动连接有转动板，...

本发明的实施例提供了一种单晶硅放肩调整方法、装置、电子设备及存储介质，方法包括：获取单晶硅的棱线宽度数据，将棱线宽度数据输入至训练好的ARIMA模型，确定训练好的ARIMA模型输出的棱线数据的预测结果曲线，基于最小二乘法将预测结果曲线拟...

本发明涉及硅棒含氧量控制的技术领域，特别是涉及一种基于多参数协同控制的硅棒含氧量调控方法及系统，其能够有效解决单晶炉使用时间延长和环境变化对硅棒含氧量控制的挑战，提高硅棒的质量和性能；方法包括：获取硅棒生产要求，并对硅棒生产要求进行含氧...

本发明涉及硅片加工的技术领域，特别是涉及一种单晶硅片生产用自动脱胶设备，其包括晶托

本发明涉及石英坩埚技术领域，尤其是指一种石英坩埚检测装置，包括支撑架；放置板，放置板固接在所述支撑架的侧壁；坩埚本体，坩埚本体设置在所述放置板的上端面；连接杆，连接杆固接在所述支撑架的侧壁；LED灯具，LED灯具设置在所述连接杆的侧壁，...

本申请的实施例提供了一种抑制晶体划弧的控制方法，涉及单晶硅生产制造技术领域。该抑制晶体划弧的控制方法包括：步骤一、等时间间隔获取晶体运动时在平面内的位置坐标；步骤二、根据所述位置坐标获取晶体运动轨迹方程及晶体运动方向；步骤三、根据所述位...

本发明属于单晶硅生产技术领域，具体涉及直拉法生长单晶硅用籽晶的制备方法、籽晶和生长方法。籽晶的制备方法包括使籽晶母棒进行画线处理，得到画线的籽晶母棒，所述籽晶母棒为等径断线的单晶棒，所述籽晶母棒的等径断线端具有位错，在所述位错的边界位置...

本发明涉及一种单晶硅棒外圆加工设备。本发明涉及单晶硅棒领域，包括滑轨；所述滑轨上滑动连接有硅棒料架；所述硅棒料架的两端分别固接有第一固定架与第二固定架；所述第一固定架上转动连接有第一顶尖，且所述第二固定架上滑动连接有第二顶尖；所述滑轨的...

本发明涉及单晶炉技术领域，尤其是指一种单晶炉热场拆装装置，包括定位杆，所述定位杆的横截面呈六边形设置，所述定位杆的外侧固接有四根膨胀囊，所述定位杆的内侧设置有气压组件，所述气压组件用于给膨胀囊提供气压，所述定位杆的底部设置有下支撑杆，通...

本发明涉及单晶炉设备管理的技术领域，特别是涉及一种单晶炉底部加热器使用寿命的预测方法，其能够更加准确地预测加热器的使用寿命；包括：获取加热器的物理特性；根据加热器物理特性确定加热器温度场分析模型的模型参数；以及温度场均匀性识别用卷积神经...

本发明涉及单晶生长技术领域，尤其是指一种单晶卷毡装置，包括保护壳体，所述保护壳体的外部安装有系统控制箱，所述保护壳体内部转动连接有转动轴，所述转动轴与外部电机的输出轴固定连接，所述转动轴外部设置有多组弹性支撑板，多组所述弹性支撑板呈圆周...

本申请的实施例提供了一种降氧导流筒、单晶炉及降氧工艺方法，涉及单晶硅生产技术领域。该降氧导流筒包括导流筒主体，导流筒主体包括相连接的直筒部和收束部，收束部向内收束且具有用于朝向坩埚内液面的流通口；罩体，罩体包括气流引导部和弯曲聚热部，气...

本发明涉及一种单晶硅棒转移运输装置。本发明涉及单晶硅棒领域，包括连接柱；所述连接柱上固接有扶手；所述连接柱底部一侧转动连接有夹持组件；所述夹持组件包括底框架；通过设置横向移动的第一夹板与竖向移动的第二夹板，在对单晶硅棒夹持时，可通过横向...

本发明涉及硅单晶的制备技术领域，公开了一种生长非圆柱状硅单晶锭的装置和方法，装置包括供给多晶硅原料的送料装置、加热约束线圈、引晶和拉晶装置，形状约束线圈，其设置在所述加热约束线圈的下方，并围绕在结晶生长界面附近的熔硅池和硅单晶锭的外周围...

本申请的实施例提供了一种单晶炉、单晶炉调整方法及生产低氧晶棒的方法，涉及单晶硅棒生产技术领域。该单晶炉包括炉体、坩埚、加热器、导流筒、保温盖、上保温筒、中保温筒和下保温筒，上保温筒、中保温筒和下保温筒由上至下依次设置在炉体内，保温盖设置...

本发明涉及一种单晶炉水冷装置。本发明属于单晶体制造技术领域，包括主炉筒；所述主炉筒顶部经法兰固接有炉盖；所述炉盖顶部经法兰固接有连接筒；所述主炉筒内卡接有连接保温筒；所述保温筒内顶部卡接有水冷单元；通过设置水冷单元，采用可径向滑动的多个...

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种单晶炉双相复合换热器、单晶炉和换热方法；单晶炉双相复合换热器包括换热壳体和分隔板，换热壳体包括相互连接且间隔分布的内壳和外壳，内壳的内壁和外壳的内壁之间形成换热腔，内壳的外壁围合形成提拉通道；...

本发明涉及直拉硅单晶技术领域，尤其是指一种直拉硅单晶检测CCD相机，包括固接在单晶炉的液口窗上的支架；所述支架的顶部固接有CCD相机；所述支架的顶部固接有清洁结构；所述清洁结构包括固接在支架的顶部的外壳；所述外壳的内部两侧均开设有收纳槽...

本发明属于单晶炉单晶硅生长技术领域，具体涉及一种降氧式单晶炉和降氧式单晶生长方法，包括上炉室、下炉室、坩埚和主加热器，上保温筒及其外的上保温筒毡，中保温筒及其外的中保温筒毡、下保温筒及其外的下保温筒毡，所述主加热器具有下开缝发热区和上开...