【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于硅片加工，具体的说是一种硅片切割下料装置。
技术介绍
1、单晶硅棒是通过区熔或直拉工艺在炉膛中整形或提拉形成的硅单晶体棒。
2、在硅片的生产过程中，是通过将单晶硅棒进行固定，然后通过切割装置对单晶硅棒进行切割，以便形成硅片。
3、目前在对硅棒切割成硅片后进行下料的过程中，一方面硅片的表面吸附残留有粉末碎料，导致在下料传送等过程中，粉末碎料洒落扩散，影响加工环境，另一方面硅片在下落的过程中，硅片与下料滑道接触碰撞导致碎裂。
4、为此，本专利技术提供一种硅片切割下料装置。
技术实现思路
1、为了弥补现有技术的不足，解决
技术介绍
中所提出的至少一个技术问题。
2、本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：本专利技术所述的一种硅片切割下料装置，包括切割台，切割台的顶面开设有放置槽，放置槽内放置有硅棒，切割台的顶部固定连接有支撑架，支撑架上设置有用于切割硅棒的切割机构，切割台靠近支撑架的一端侧壁固定连接有支撑座，支撑座的端部转动连接有圆柱...
【技术保护点】
1.一种硅片切割下料装置，其特征在于：包括切割台（1），切割台（1）的顶面开设有放置槽（2），放置槽（2）内放置有硅棒，切割台（1）的顶部固定连接有支撑架（8），支撑架（8）上设置有用于切割硅棒的切割机构，切割台（1）靠近支撑架（8）的一端侧壁固定连接有支撑座（9），支撑座（9）的端部转动连接有圆柱轴（15），支撑座（9）上通过圆柱轴（15）转动连接有转动板（10），支撑座（9）上设置用于驱动转动板（10）的驱动机构，转动板（10）远离支撑座（9）的一端固定连接有防护罩（11），防护罩（11）的侧壁上设置有夹持硅片的夹持机构和用于硅片冲洗的清理机构。
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【技术特征摘要】
1.一种硅片切割下料装置，其特征在于：包括切割台（1），切割台（1）的顶面开设有放置槽（2），放置槽（2）内放置有硅棒，切割台（1）的顶部固定连接有支撑架（8），支撑架（8）上设置有用于切割硅棒的切割机构，切割台（1）靠近支撑架（8）的一端侧壁固定连接有支撑座（9），支撑座（9）的端部转动连接有圆柱轴（15），支撑座（9）上通过圆柱轴（15）转动连接有转动板（10），支撑座（9）上设置用于驱动转动板（10）的驱动机构，转动板（10）远离支撑座（9）的一端固定连接有防护罩（11），防护罩（11）的侧壁上设置有夹持硅片的夹持机构和用于硅片冲洗的清理机构。
2.根据权利要求1所述的一种硅片切割下料装置，其特征在于：所述切割机构包括升降槽（3）和气缸一（4），升降槽（3）开设在支撑架（8）的中间，升降槽（3）内滑动连接有升降座（5），气缸一（4）固定连接在支撑架（8）的顶部，气缸一（4）的伸缩杆贯穿支撑架（8）的顶部后与升降座（5）固定连接，升降座（5）内固定连接有电机一（6），电机一（6）的转动轴上固定连接有切割盘（7）。
3.根据权利要求2所述的一种硅片切割下料装置，其特征在于：所述驱动机构包括电机二（12）和齿轮二（14），电机二（12）固定连接在支撑座（9）内，电机二（12）的转动轴贯穿支撑座（9）的侧壁后固定连接有齿轮一（13），齿轮二（14）固定连接在圆柱轴（15）的端部，齿轮二（14）与齿轮一（13）相互啮合。
4.根据权利要求3所述的一种硅片切割下料装置，其特征在于：所述夹持机构包括四个夹持块（22），四个夹持块（22）均滑动连接在防护罩（11）上，四个夹持块（22）置于防护罩（11）内的一端均设置有引导面（23），四个夹持块（22）置于防护罩（11）外的一端均固定连接有两个弹簧（24），弹簧（24）靠近防护罩（11）的一端均固定连接在防护罩（11）的侧壁上。
5.根据权利要求4所述的一种硅片切割下料装置，其特征在于：所述清理机构包括输送环一（16）、输送环二（17）、喷管（18）和出水管（19），输送环一（16）和输送环二（17）均固定连接在防护罩（11）的外表面...
【专利技术属性】
技术研发人员：王全志，李林东，陈伟，毛亮亮，陈志军，胡晶，
申请(专利权)人：苏州晨晖智能设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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