存储芯片颗粒及存储器件制造技术

本公开提供一种存储芯片颗粒及存储器件，涉及半导体技术领域，用于解决现有的存储芯片颗粒中的封装基板兼容性较差的技术问题。该存储芯片颗粒包括封装基板、多个第一焊球和/或多个第二焊球、第一存储芯片和/或第二存储芯片，封装基板包括第一区域和第二区域，其中多个第一焊球设置在第一区域内；多个第二焊球设置在第二区域内；第一存储芯片配置为其与第一焊球信号连接时，形成第一类型存储链路；第二存储芯片配置为其与第一焊球、第二焊球信号连接时，形成第二类型存储链路。本公开实施例提供的存储芯片颗粒及存储器件，其能够满足不同存储芯片安装至同一个封装基板，无需改变封装基板的封装尺寸，从而提升封装基板的兼容性。从而提升封装基板的兼容性。从而提升封装基板的兼容性。

【技术实现步骤摘要】
存储芯片颗粒及存储器件


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种存储芯片颗粒及存储器件。

技术介绍

[0002]随着双倍速率同步动态随机存储器(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，DDR SDRAM，简称DDR)技术发展，其提高了访存速度与带宽，满足了高速数据传输的需求。然而，随着DDR技术的不断更新换代，对于不同位宽的存储芯片需要不同封装尺寸的封装基板，导致封装基板适用性差。

技术实现思路

[0003]鉴于上述问题，本公开实施例提供一种存储芯片颗粒及存储器件，其能够满足不同位宽的存储芯片安装至同一个封装基板，无需改变封装基板的封装尺寸，从而提升封装基板的兼容性及适用性。
[0004]本公开实施例的第一方面提供了一种存储芯片颗粒包括：封装基板，所述封装基板包括第一区域和第二区域；多个第一焊球和/或多个第二焊球，所述多个第一焊球设置在所述第一区域内；所述多个第二焊球设置在所述第二区域内；第一存储芯片或第二存储芯片，所述第一存储芯片配置为其与所述第一焊球信号连接时，形成第一类型存储链路；所述第二存储芯片配置为其分别与所述第一焊球、所述第二焊球信号连接时，形成第二类型存储链路。
[0005]本公开实施例提供的存储芯片颗粒至少具有如下优点：
[0006]本公开实施例提供的存储芯片颗粒中，其该封装基板通过在其第一区域设置多个第一焊球，在其第二区域设置多个第二焊球，以使该封装基板能够选择性安装第一存储芯片或第二存储芯片。例如，该封装基板需安装第一存储芯片时，第一存储芯片与第一焊球信号连接时，能够建立第一类型存储链路；以及，该封装基板需安装第二存储芯片时，第二存储芯片分别与第一焊球、第二焊球信号连接时，能够建立第二类型存储链路。
[0007]如此设置，上述存储芯片颗粒中的封装基板能够适应性安装不同类型的第一存储芯片和第二存储芯片，以使第一存储芯片和第二存储芯片共用一个封装基板，进而无需改变封装基板的封装尺寸，从而提升封装基板的兼容性及适用性。
[0008]如上所述的存储芯片颗粒中，所述第一焊球配置为常设焊球，并固定连接在所述封装基板上；所述第二焊球配置为选择性焊球，其可拆卸连接至所述封装基板上；所述第二焊球配置为当所述封装基板安装所述第二存储芯片时，所述第二焊球安装至所述封装基板上。如此设置，可根据封装基板所安装的芯片类型，选择性地将第二焊球安装至封装基板，以提升封装基板的兼容性。
[0009]如上所述的存储芯片颗粒中，所述封装基板包括两个所述第一区域、两个所述第二区域以及第三区域；所述第三区域用于安装所述第一存储芯片或所述第二存储芯片；沿第一方向，两个所述第一区域分别布置在所述第三区域的两侧，两个所述第二区域分别布
置在所述第三区域的两侧，且所述第二区域位于所述第一区域远离所述第三区域的一侧。
[0010]如上所述的存储芯片颗粒中，所述封装基板为矩形基板，且具有沿第二方向延伸的对称线，其中所述第二方向与所述第一方向垂直；所述第三区域布置在所述封装基板的中心区域，且关于所述对称线对称设置；两个所述第一区域关于所述对称线对称设置，两个所述第二区域关于所述对称线对称设置。如此设置，优化封装基板各区域布局，以便于对第一焊球、第二焊球进行安装，可对各焊球与芯片之间的信号走线的布局进行优化。
[0011]如上所述的存储芯片颗粒中，每个所述第一区域内分别具有多个呈阵列布置的所述第一焊球，两个所述第一区域内的所述第一焊球关于对称线呈对称布置。
[0012]如上所述的存储芯片颗粒中，每个所述第二区域内分别设置有多个沿第二方向排布成至少一列的所述第二焊球；且两个所述第二区域内的第二焊球关于所述对称线对称布置。
[0013]如上所述的存储芯片颗粒中，所述存储芯片颗粒还包括多个固定焊球，所述固定焊球配置为用于将所述封装基板固定至电路板上；所述多个固定焊球分别布置在所述第二区域内，且沿第二方向，各所述固定焊球分别位于同一列所述第二焊球的两端。如此设置，封装基板可通过固定焊球焊接至电路板上，从而提升封装基板与电路板之间的连接可靠性。
[0014]如上所述的存储芯片颗粒中，所述封装基板还设置有用于安装所述第一存储芯片或所述第二存储芯片的芯片焊盘；所述芯片焊盘位于所述封装基板朝向所述第一存储芯片或所述第二存储芯片的第一表面；所述芯片焊盘设置有多个信号连接位点，所述封装基板设置有信号线；多个所述信号连接位点通过所述信号线分别与所述第一焊球、所述第二焊球连接。如此设置，在存储芯片颗粒中增设芯片焊盘，芯片焊盘具有多个信号连接位点，以便于芯片与电路板、与各焊球连接的信号线信号连接。
[0015]如上所述的存储芯片颗粒中，所述第一存储芯片和所述第二存储芯片为不同位宽的芯片；所述第二存储芯片的位宽大于所述第一存储芯片的位宽。例如，第一存储芯片为X4或X8类型芯片，第二存储芯片为X16类型芯片。
[0016]本公开实施例第二方面提供了一种存储器件，包括电路板、控制模块及多个第一方面所述的存储芯片颗粒；所述电路板设置有连接电路，所述连接电路与所述控制模块信号连接；多个所述存储芯片颗粒呈阵列布置在所述电路板上，每个所述存储芯片颗粒包括多个第一焊球和多个第二焊球，所述存储芯片颗粒通过所述第一焊球与所述连接电路连接，以及通过所述第二焊球与所述连接电路连接；所述控制模块配置为控制其与所述第一焊球、所述第一存储芯片建立第一类型存储链路；以及控制其与所述第一焊球、所述第二焊球、所述第二存储芯片建立第二类型存储链路。
[0017]需要说明的是，本公开实施例第二方面所提供的存储器件所具有的优点与本公开实施例第一方面所述的存储芯片颗粒所具有的优点基本相同，此处不再赘述。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根
据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本公开实施例提供的存储器件的结构示意图；
[0020]图2为本公开实施例提供的封装基板各区域分布示意图；
[0021]图3为本公开实施例提供的具有第一存储芯片的芯片颗粒的整体结构示意图；
[0022]图4为本公开实施例提供的具有第二存储芯片的芯片颗粒的整体结构示意图；
[0023]图5为本公开实施例提供的芯片焊盘、部分第一焊球、部分第二焊球在封装基板的第一表面布置示意图；
[0024]图6为本公开实施例中第二区域内第二焊球的设计示意图。
[0025]附图标记说明：
[0026]10
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封装基板；
[0027]11
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第一区域；12
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第二区域；13
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第三区域；14
‑<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储芯片颗粒，其特征在于，包括：封装基板，所述封装基板包括第一区域和第二区域；多个第一焊球和/或多个第二焊球，所述多个第一焊球设置在所述第一区域内；所述多个第二焊球设置在所述第二区域内；第一存储芯片或第二存储芯片，所述第一存储芯片配置为其与所述第一焊球信号连接时，形成第一类型存储链路；所述第二存储芯片配置为其分别与所述第一焊球、所述第二焊球信号连接时，形成第二类型存储链路。2.根据权利要求1所述的存储芯片颗粒，其特征在于，所述第一焊球配置为常设焊球，并固定连接在所述封装基板上；所述第二焊球配置为选择性焊球，其可拆卸连接至所述封装基板上；所述第二焊球配置为当所述封装基板安装所述第二存储芯片时，所述第二焊球安装至所述封装基板上。3.根据权利要求2所述的存储芯片颗粒，其特征在于，所述封装基板包括两个所述第一区域、两个所述第二区域以及第三区域；所述第三区域用于安装所述第一存储芯片或所述第二存储芯片；沿第一方向，两个所述第一区域分别布置在所述第三区域的两侧，两个所述第二区域分别布置在所述第三区域的两侧，且所述第二区域位于所述第一区域远离所述第三区域的一侧。4.根据权利要求3所述的存储芯片颗粒，其特征在于，所述封装基板为矩形基板，且具有沿第二方向延伸的对称线，其中所述第二方向与所述第一方向垂直；所述第三区域布置在所述封装基板的中心区域，且关于所述对称线对称设置；两个所述第一区域关于所述对称线对称设置，两个所述第二区域关于所述对称线对称设置。5.根据权利要求4所述的存储芯片颗粒，其特征在于，每个所述第一区域内分别具有多个呈阵列布置的所述第一焊球；两个所述第一区域内的所述第一焊球关于对称线呈对称布置。6.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：石宏龙，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：