IC基板、制备方法及应用其的电子封装件技术

本发明专利技术属于集成电路封装技术领域，具体涉及一种IC基板，其包括重布线层，承载所述重布线层的基板，和形成于所述重布线层上的金属凸块，采用如下的步骤制成：在所述基板上围绕将要形成金属凸块的位置形成基板槽；在所述基板槽上形成高出基板上表面的支撑体；在基板上由支撑体围绕的将要形成金属凸块的位置形成金属凸块；从支撑体上表面切割支撑体槽；在所述支撑体槽内形成介电墙块；并且其中所述介电墙块在高度方向上不低于所述金属凸块并且不与所述金属凸块接触。本发明专利技术还公开了一种应用上述IC基板的电子封装件，本发明专利技术有更好的机械和电学可靠性，并降低制造难度。并降低制造难度。并降低制造难度。

【技术实现步骤摘要】
IC基板、制备方法及应用其的电子封装件


[0001]本专利技术涉及集成电路（IC）封装
，尤其涉及一种IC基板、制备方法及应用其的电子封装件。

技术介绍

[0002]IC封装技术中，经常用到重布线层（Redistribution layer, RDL）。RDL上形成多个间隙极小（微米级）但彼此独立的金属凸块（BUMP）。在不同的测试和使用环境中，金属凸块可能发生氧化或变形，使凸块之间的绝缘性能降低以至发生电子迁移或微漏电（mirco e
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leaking）等故障，使封装失效。
[0003]已经出现了一些保护重布线层结构的方案，如中国授权专利CN 111128755 B，其在RDL基板的金属块上方形成了覆盖保护的种子层和介电层。并公开了上述微观结构的形成方法。然而该方案从其步骤而言，是先使种子层与介电层完全覆盖重布线层的微观结构，然后切削出深槽使其外轮廓仍恢复到重布线层原本的分离凸块形结构。金属块之间的间隙本来是非常小的，在被种子层和介电层完全覆盖之后，失去了对间隙位置的观察和参照，仍在原间隙所在位置切割出沟槽成本大大提高，同时意外损坏凸块的可能性大大提高，使整体的封装良率降低。

技术实现思路

[0004]（一）技术问题 针对上述现有技术现状，本专利技术针对以下技术问题： 降低重布线层保护结构的制造难度和成品良率。
[0005]（二）技术方案 为解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：一种IC基板，其包括重布线层，承载所述重布线层的基板，和形成于所述重布线层上的金属凸块，采用如下的步骤制成： S1、在所述基板上围绕将要形成金属凸块的位置形成基板槽； S2、在所述基板槽上形成高出基板上表面的支撑体； S3、在基板上由支撑体围绕的将要形成金属凸块的位置形成金属凸块； S4、从支撑体上表面切割支撑体槽； S5、在所述支撑体槽内形成介电墙块；并且其中所述介电墙块在高度方向上不低于所述金属凸块并且不与所述金属凸块接触。
[0006]作为本专利技术所述的一种IC基板的优选方案，其中：所述金属凸块的侧面紧密接触所述支撑体。
[0007]作为本专利技术所述的一种IC基板的优选方案，其中：所述支撑体为不导电的绝缘体。
[0008]作为本专利技术所述的一种IC基板的优选方案，其中：所述支撑体采用化学气相沉积、
物理气相沉积、离子注入等方式中的一种形成。
[0009]作为本专利技术所述的一种IC基板的优选方案，其中：所述金属凸块为铜块，并采用电镀法、沉积法或激光熔化法中的一种形成。
[0010]作为本专利技术所述的一种IC基板的优选方案，其中：所述介电墙块侧面与支撑体槽内壁紧密接触。
[0011]一种上述的IC基板的制备方法，采用如下的步骤制成： S1、在所述基板上围绕将要形成金属凸块的位置形成基板槽； S2、在所述基板槽上形成高出基板上表面的支撑体； S3、在基板上由支撑体围绕的将要形成金属凸块的位置形成金属凸块； S4、从支撑体上表面切割支撑体槽； S5、在所述支撑体槽内形成介电墙块；所述IC基板包括重布线层，承载所述重布线层的基板，和形成于所述重布线层上的金属凸块，并且其中所述介电墙块在高度方向上不低于所述金属凸块并且不与所述金属凸块接触。
[0012]本专利技术还公开了一种应用上述IC封装基板的电子封装件。
[0013]（三）有益效果 本专利技术涉及一种IC基板、制备方法及应用其的电子封装件，IC基板包括重布线层，承载所述重布线层的基板，和形成于所述重布线层上的金属凸块，采用如下的步骤制成：在所述基板上围绕将要形成金属凸块的位置形成基板槽；在所述基板槽上形成高出基板上表面的支撑体；在基板上由支撑体围绕的将要形成金属凸块的位置形成金属凸块；从支撑体上表面切割支撑体槽；在所述支撑体槽内形成介电墙块；并且其中所述介电墙块在高度方向上不低于所述金属凸块并且不与所述金属凸块接触。本专利技术有更好的机械和电学可靠性，并降低制造难度。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0015]图1为本专利技术的带保护结构的IC基板结构示意图；图2为本专利技术的IC基板的制备方法分步骤示意图； 附图标记： 1
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基板 2
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基板槽 3
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支撑体 4
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金属凸块 5
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支撑体槽 6
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介电墙块。
具体实施方式
[0016]下面将结合实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0017]需要说明的是，本专利技术实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。下面结合实施例对本专利技术做进一步说明。
[0018]如图1
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图2所示，根据本专利技术的一种IC基板，其包括重布线层，承载所述重布线层的基板1，和形成于所述重布线层上的金属凸块4，采用如下的步骤制成： S1、在所述基板1上围绕将要形成金属凸块4的位置形成基板槽2； S2、在所述基板槽2上形成高出基板上表面的支撑体3； S3、在基板1上由支撑体3围绕的将要形成金属凸块4的位置形成金属凸块4； S4、从支撑体3上表面切割支撑体槽5； S5、在所述支撑体槽5内形成介电墙块6；并且其中所述介电墙块6在高度方向上不低于所述金属凸块4并且不与所述金属凸块4接触。
[0019]本实施例是针对采用介电层覆盖基板上表面后，实际无法再定位金属凸块的位置以进行切槽，并且在切割中如果有偏移，将是整体的偏移，使金属块之间的电学性能不可靠的难点。
[0020]本实施例中，先以机械切削等工艺在基板上表面、将要形成金属凸块的位置的外周围形成环槽，该槽是方便支撑体形成之用。在极细小的基板图案表面，形成结构的方式可以有氧化物沉积（化学气相沉积CVD、物理气相沉积PVD）、电化学沉积等，如在要形成支撑体的位置先切割支撑体槽，将大大简化上述工艺的流程，并且可以使支撑体先于金属凸块形成，更易定位。
[0021]在支撑体已经围绕出的位置，形成现有技术中的RDL中的金属凸块，如采用现有技术中常用的电镀法或沉积法、激光熔化法等，因其形成的位置已经由支撑体围成，不需要再进行刻蚀，因此工艺得以简化，并且在进一步地实施例中：所述金属凸块的侧面紧密接触所述支撑体。
[0022]这就使得无法是何种方式形成的金属凸块，其与基板的主体有更多的结合面，相比于在金属凸块上形成覆盖层的方案，其使金属凸块更牢固不易脱落。
[0023]所述支撑体为不导电的绝缘体，主要起加强结构强度的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IC基板，其包括重布线层，承载所述重布线层的基板，和形成于所述重布线层上的金属凸块，其特征在于，采用如下的步骤制成：S1、在所述基板上围绕将要形成金属凸块的位置形成基板槽；S2、在所述基板槽上形成高出基板上表面的支撑体；S3、在基板上由支撑体围绕的将要形成金属凸块的位置形成金属凸块；S4、从支撑体上表面切割支撑体槽；S5、在所述支撑体槽内形成介电墙块；并且其中所述介电墙块在高度方向上不低于所述金属凸块并且不与所述金属凸块接触。2.根据权利要求1所述的IC基板，其特征在于：所述金属凸块的侧面紧密接触所述支撑体。3.根据权利要求1所述的IC基板，其特征在于：所述支撑体为不导电的绝缘体。4.根据权利要求1所述的IC基板，其特征在于：所述支撑体采用化学气相沉积、物理气相沉积、离子注入方式中的一种形成。5.根据权利要求1所述的IC基板，其特征在于：所述金属凸块为铜块，并采用电镀法、沉积法...

【专利技术属性】
技术研发人员：何福权，
申请(专利权)人：深圳和美精艺半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：