【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基板生产，特别涉及一种基板产品的sims指标管控方法。
技术介绍
1、封装基板是电子产品的重要部件，在一些封装基板中，芯片与植球焊接在植球垫表面，若硫元素和氯元素含量超标，会导致植球垫存在腐蚀风险，从而影响封装基板的可靠性。二次离子质谱分析(secondary ion mass spectroscope，sims)是常用的元素分析方法，通常会在基板产品封装之前进行sims检测，确保sims指标达标，以确保封装基板的可靠性。
2、然而，sims检测虽然能够确定产品的元素含量，但是基板产品的制造工艺较为复杂，各个工艺步骤都有可能引入硫元素和氯元素，无法确定杂质的引入情况，sims指标难以得到改善。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种基板产品的sims指标管控方法，能够提高sims指标的管控，提高工艺改善的效率。
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种基板产品的sims指标管控方法，包括：
3、在进行软金电镀之前，检测并记录所述基板产品的干膜eds参数，其中，所述干膜eds参数用于指示目标干膜的含氯量；
4、在进行软金电镀的过程中，记录电镀工艺参数，其中，所述电镀工艺参数包括软金镍槽的换水频率、碳处理周期、弱电解参数和镍珠eds参数，所述碳处理周期用于指示所述软金镍槽距离上一次进行碳处理保养的时间间隔，所述镍珠eds参数用于指示镍珠的含硫量；
5、在完成
6、完成所述基板产品的制造后，对所述基板产品进行sims检测得到sims检测数据，当所述sims检测数据不达标，根据所述sims检测数据和预设的sims目标数据确定sims差异值，其中，所述sims检测数据包括氯镍元素比和硫镍元素比；
7、获取预设的干膜优化参考值、软金优化参考值和金面优化参考值，其中，所述干膜优化参考值用于指示干膜eds参数与所述氯镍元素比的相关性，所述软金优化参考值用于指示所述电镀工艺参数与所述氯镍元素比和所述硫镍元素比的相关性，所述金面优化参考值用于指示所述金面粗糙度与所述氯镍元素比和所述硫镍元素比的相关性；
8、当所述干膜优化参考值大于或等于所述sims差异值，在下一次生产所述基板产品时不使用所述目标干膜；
9、或者，当所述软金优化参考值大于或等于所述sims差异值，在下一次生产所述基板产品时调整所述电镀工艺参数；
10、或者，当所述金面优化参考值大于或等于所述sims差异值，在下一次生产所述基板产品时降低所述金面粗糙度。
11、根据本专利技术的一些实施例，所述sims目标数据包括预设的第一深度指标和第二深度指标，对所述基板产品进行sims检测得到sims检测数据，包括：
12、根据预设的第一检测深度对所述基板产品进行动态sims分析，得到第一深度检测数据；
13、根据预设的第二检测深度对所述基板产品进行动态sims分析，得到第二深度检测数据，其中，所述第二检测深度大于所述第一检测深度；
14、当所述第一深度检测数据劣于所述第一深度指标，和/或，所述第二深度检测数据劣于所述第二深度指标，确定所述sims检测数据不达标。
15、根据本专利技术的一些实施例，在进行软金电镀之前，所述方法还包括：
16、使用所述目标干膜进行软金电镀得到第一样品基板；
17、不使用所述目标干膜进行软金电镀得到第二样品基板，其中，所述第一样品基板和所述第二样品基板进行软金电镀的所述电镀工艺参数相同；
18、针对所述第一样品基板进行eds检测得到第一硫氯数据，针对所述第二样品基板进行eds检测得到第二硫氯数据；
19、基于所述第一硫氯数据和所述第二硫氯数据的差异确定所述干膜优化参考值。
20、根据本专利技术的一些实施例，所述软金优化参考值包括换水影响值，在进行软金电镀之前，所述方法还包括：
21、对软金镍槽中进行过多次软金电镀的水洗水进行含氯量检测，确定第一含氯量；
22、在所述软金镍槽中更换新的所述水洗水，进行一次软金电镀后进行含氯量检测，确定第二含氯量；
23、基于所述第一含氯量和所述第二含氯量的差异值确定所述换水影响值。
24、根据本专利技术的一些实施例，所述软金优化参考值还包括弱电解影响值，所述弱电解参数包括预设的第一时长，在进行软金电镀之前，所述方法还包括：
25、对所述软金镍槽进行碳处理操作，根据所述第一时长对所述软金镍槽进行弱电解操作；
26、将第三样品基板放入所述软金镍槽进行软金电镀并完成生产后，对所述第三样品基板进行sims检测得到第三硫氯数据；
27、再次根据所述第一时长对所述软金镍槽进行弱电解操作后，将第四样品基板放入所述软金镍槽进行软金电镀并完成生产后，对所述第四样品基板进行sims检测得到第四硫氯数据；
28、基于所述第三硫氯数据和所述第四硫氯数据确定所述弱电解影响值，所述弱电解影响值用于指示所述弱电解操作的总时长对硫元素含量和氯元素含量的相关性。
29、根据本专利技术的一些实施例，所述弱电解参数还包括预设的第一电流、第二电流、第二时长、第三时长和第四时长，所述第一电流小于所述第二电流，所述第二时长大于所述第三时长，所述第二时长和所述第三时长之和等于所述第一时长，所述弱电解操作包括：
30、将所述软金镍槽的整流器的输出电流设置为所述第一电流；
31、将多片吸附板放入所述软金镍槽，停止所述软金镍槽的打气操作和喷流操作，其中，所述打气从操作用于注入水蒸汽，所述喷流操作用于驱动所述软金镍槽内的液体流动；
32、根据所述第二时长进行弱电解后，将所述整流器的输出电流设置为预设的第二电流，根据所述第三时长再次进行弱电解；
33、更换所述软金镍槽的碳芯后，恢复所述打气操作和喷流操作，根据所述第四时长进行循环过滤。
34、根据本专利技术的一些实施例，所述软金优化参考值还包括碳处理影响值，所述碳处理影响值用于指示所述碳处理操作对硫元素含量和氯元素含量的相关性，对所述软金镍槽进行碳处理操作，包括：
35、准备干净的碳处理槽，将所述软金镍槽的镍槽药水抽入所述碳处理槽中；
36、通过所述打气操作将所述碳处理槽的所述镍槽药水升温至预设的第一温度范围，向所述碳处理槽加入双氧水后，根据第五时长保持温度恒定并过滤循环；
37、当完成所述镍槽药水的抽入后，取出所述软金镍槽的阳极钛篮和阳极镍珠，对所述阳极钛篮和所述阳极镍珠进行保养操作，清洗所述软金镍槽；
38、通过所述打气操作将所述碳处理槽的所述镍槽药水继续升温至预设的第二温度范围，加入碳粉恒温预设的第六时长后停止所述打气操作，恒温静置预设的第七时长；
39、过滤所述镍槽药水并抽至中转槽本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基板产品的SIMS指标管控方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基板产品的SIMS指标管控方法，其特征在于，所述SIMS目标数据包括预设的第一深度指标和第二深度指标，对所述基板产品进行SIMS检测得到SIMS检测数据，包括：
3.根据权利要求1所述的基板产品的SIMS指标管控方法，其特征在于，在进行软金电镀之前，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的基板产品的SIMS指标管控方法，其特征在于，所述软金优化参考值包括换水影响值，在进行软金电镀之前，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的基板产品的SIMS指标管控方法，其特征在于，所述软金优化参考值还包括弱电解影响值，所述弱电解参数包括预设的第一时长，在进行软金电镀之前，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的基板产品的SIMS指标管控方法，其特征在于，所述弱电解参数还包括预设的第一电流、第二电流、第二时长、第三时长和第四时长，所述第一电流小于所述第二电流，所述第二时长大于所述第三时长，所述第二时长和所述第三时长之和等于所述第一时长，所述弱电解操
7.根据权利要求6所述的基板产品的SIMS指标管控方法，其特征在于，所述软金优化参考值还包括碳处理影响值，所述碳处理影响值用于指示所述碳处理操作对硫元素含量和氯元素含量的相关性，对所述软金镍槽进行碳处理操作，包括：
8.根据权利要求7所述的基板产品的SIMS指标管控方法，其特征在于，所述软金优化参考值还包括镍珠影响值，对所述阳极钛篮和所述阳极镍珠进行保养操作，包括：
9.根据权利要求8所述的基板产品的SIMS指标管控方法，其特征在于，所述在下一次生产所述基板产品时调整所述电镀工艺参数，包括：
10.根据权利要求6所述的基板产品的SIMS指标管控方法，其特征在于，在进行软金电镀之前，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种基板产品的sims指标管控方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基板产品的sims指标管控方法，其特征在于，所述sims目标数据包括预设的第一深度指标和第二深度指标，对所述基板产品进行sims检测得到sims检测数据，包括：
3.根据权利要求1所述的基板产品的sims指标管控方法，其特征在于，在进行软金电镀之前，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的基板产品的sims指标管控方法，其特征在于，所述软金优化参考值包括换水影响值，在进行软金电镀之前，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的基板产品的sims指标管控方法，其特征在于，所述软金优化参考值还包括弱电解影响值，所述弱电解参数包括预设的第一时长，在进行软金电镀之前，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的基板产品的sims指标管控方法，其特征在于，所述弱电解参数还包括预设的第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：岳长来，
申请(专利权)人：深圳和美精艺半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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