NM卡的HDI封装基板加工方法技术

技术编号:41203634 阅读:27 留言:0更新日期:2024-05-07 22:29
本发明专利技术提出了NM卡的HDI封装基板加工方法,该方法包括:对内层的覆铜基板的底铜进行减铜,实现了内层的底铜的铜厚控制,在内层完成钻孔电镀后,对填孔的内层填孔层进行减铜,实现了填孔处的电镀铜厚控制,压合基板外层后进行减铜,实现了外层的底铜的铜厚控制,通过多次的减铜降低了HDI封装基板铜厚;对两面的防焊油墨的油墨厚度进行控制,增加插拔手指的油墨厚度,降低插拔手指和油面落差。根据本实施例的技术方案,能够通过降低内层填孔处的铜厚,提高在高温、高压、高湿环境下的封装基板的稳定性和可靠性,同时,减少了插拔手指和防焊油墨之间的高度落差,能够有效降低封装NM卡产品时插拔手指面出现鼓包的风险,提高NM卡产品的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及nm卡生产,特别涉及一种nm卡的hdi封装基板加工方法。


技术介绍

1、随着电子产品的结构越来越复杂,对存储卡的体积要求越来越严格,超微型存储卡(nano memory card,nm卡)的存储体积比常见的micro sd存储卡更小,具有小尺寸、大容量和高速传输的特点,在电子产品行业得到广泛应用。

2、然而,nk卡的封装基板通常采用多层的高密度互连(high densityinterconnector,hdi)板,现有工艺生产的hdi封装基板的插拔手指与油面落差较大,在封装nm卡产品时,需要进行表面组装技术(surface mounted technology,smt)过炉、引线邦定(wire bonding,wb)打线和注塑(molding decoration,md)等高温工序,当wb打线完成转序到md工序后,有一定几率出现插拔手指面有插拔手指鼓包凸起的现象,导致进行内置测试(built in test,bit)时出现电流断开的现象,影响nm卡的良率。


技术实现思路>

1、本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种NM卡的HDI封装基板加工方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的NM卡的HDI封装基板加工方法,其特征在于,对所述内层孔进行填孔电镀得到内层填孔层,包括:

3.根据权利要求1所述的NM卡的HDI封装基板加工方法,其特征在于,所述继续完成所述覆铜基板的内层线路制作,包括:

4.根据权利要求1所述的NM卡的HDI封装基板加工方法,其特征在于,在所述覆铜基板的顶面和底面压合基板外层,包括:

5.根据权利要求4所述的NM卡的HDI封装基板加工方法,其特征在于,所述完成所述基板外层的制作,包括:

6.根据权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.一种nm卡的hdi封装基板加工方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的nm卡的hdi封装基板加工方法,其特征在于,对所述内层孔进行填孔电镀得到内层填孔层,包括:

3.根据权利要求1所述的nm卡的hdi封装基板加工方法,其特征在于,所述继续完成所述覆铜基板的内层线路制作,包括:

4.根据权利要求1所述的nm卡的hdi封装基板加工方法,其特征在于,在所述覆铜基板的顶面和底面压合基板外层,包括:

5.根据权利要求4所述的nm卡的hdi封装基板加工方法,其特征在于,所述完成所述基板外层的制作,包括:

6.根据权利要求1所述的nm卡的hdi封装基板加工方法,其特征在于,所述防焊工艺包括:前处理、涂布、预烤、真空压平、曝光、显影、烘烤uv。

7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:岳长来
申请(专利权)人:深圳和美精艺半导体科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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