【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及封装基板，尤其是涉及一种多层hdi叠孔对位方法及多层hdi基板。
技术介绍
1、封装基板是一种用于安装和连接电子元件的基础材料，它提供了一个支撑结构，用于固定和组织电子元件，将芯片、电阻器、电容器等元件组合在一起，并提供电路互连、信号传输和电源分配等功能。而hdi(high density interconnect，高密度互连)技术在封装基板领域发挥着重要作用，hdi技术使得在封装基板上实现更高的电路密度成为可能，通过使用微细线宽/线距、更小的孔径和多层设计，hdi技术可以在相对较小的尺寸上实现更多的互连通道和更复杂的电路布局，从而满足了电子产品小型化的需求；hdi技术的多层设计、盲孔、埋孔、通过孔填充等技术使得电路板上的互连更加灵活和多样化，可以满足复杂电路布局和信号传输的需求。
2、随着封装基板朝着线宽/间距越来越小、盲孔孔径的微小化、薄介质高阶层化的趋势发展，对hdi技术在设计多层板之间的盲孔、埋孔、通孔等时有着更高的精度要求，目前的多层hdi叠层结构的封装基板，存在层间偏移难以管控、多层之间的叠孔对位精度不够高的问题，进而导致最终成品尺寸公差存在超规的风险。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出了一种多层hdi叠孔对位方法及多层hdi基板，能够提高叠孔对位精度，提高基板整体对位良率。
2、一方面，根据本专利技术实施例的多层hdi叠孔对位方法，应用于多层hdi基板，所述多层hdi基板包
3、对所述内层线路设置第一预设尺寸的第一方形pad，并在所述第一方形pad的中心设置第二预设尺寸的第一圆点掏铜结构，以及在所述第一方形pad的内部设置多个第三预设尺寸的第二圆点掏铜结构；多个所述第二圆点掏铜结构环绕于所述第一圆点掏铜的外部且呈环形分布；
4、在对所述外层线路进行曝光对位时，以呈环形分布的多个所述第二圆点掏铜结构为基准进行对位；
5、对所述外层线路采用第四预设尺寸的第二方形pad和第五预设尺寸的圆形pad进行连线设计；
6、在所述多层hdi基板的最外层板的四个边角，分别设置激光盲孔阵列；
7、在所述多层hdi基板的每一层板的四个边角，分别设置孔偏检测阵列。
8、根据本专利技术的一些实施例，所述对所述内层线路设置第一预设尺寸的第一方形pad，并在所述第一方形pad的中心设置第二预设尺寸的第一圆点掏铜结构，以及在所述第一方形pad的内部设置多个第三预设尺寸的第二圆点掏铜结构；多个所述第二圆点掏铜结构环绕于所述第一圆点掏铜的外部且呈环形分布，具体包括：
9、对所述内层线路设置边长为5mm的所述第一方形pad；
10、在所述第一方形pad的中心，设置半径为500um的所述第一圆点掏铜结构；
11、在所述第一方形pad的内部，且位于所述第一圆点掏铜结构的外部，设置呈环形分布的多个半径为200um的所述第二圆点掏铜结构。
12、根据本专利技术的一些实施例，所述对所述外层线路采用第四预设尺寸的第二方形pad和第五预设尺寸的圆形pad进行连线设计，具体包括：
13、对所述外层线路采用边长为250um的所述第二方形pad和半径为260um的所述圆形pad进行连线设计；
14、将所述第二方形pad和所述圆形pad的连线线宽设置为100um。
15、根据本专利技术的一些实施例，每个所述激光盲孔阵列包括呈四行五列分布的多个激光盲孔，所述激光盲孔采用daisy-chain设计。
16、根据本专利技术的一些实施例，每个所述孔偏检测阵列包括呈阵列排布的32个孔偏检测孔，所述内层线路的铜皮到所述孔偏检测阵列的最近的所述孔偏检测孔的距离为0.025mm，所述内层线路的铜皮到所述孔偏检测阵列的最远的所述孔偏检测孔的距离为0.07mm。
17、根据本专利技术的一些实施例，所述方法还包括以下步骤：
18、将所述第一方形pad和所述第二方形pad进行错位设计；
19、将所述多层hdi基板的位于最外层的两块所述板的所述第二方形pad进行对准设计。
20、根据本专利技术的一些实施例，所述方法还包括以下步骤：
21、在所述多层hdi基板的位于最外层的两块所述板设计防焊定位点；
22、在对所述多层hdi基板设置防焊层时，通过所述防焊定位点进行定位。
23、根据本专利技术的一些实施例，所述方法还包括以下步骤：
24、在所述多层hdi基板的工艺板边设置标记点；
25、在对所述多层hdi基板进行分割时，通过所述标记点进行定位。
26、根据本专利技术的一些实施例，所述方法还包括以下步骤：
27、对所述多层hdi基板的外层盲孔和内层埋孔的孔pad进行错位设计。
28、另一方面，根据本专利技术实施例的多层hdi基板，通过上述实施例所述的多层hdi叠孔对位方法制作而成。
29、根据本专利技术实施例的多层hdi叠孔对位方法及多层hdi基板，至少具有如下有益效果：通过在内层线路设置第一预设尺寸的第一方形pad，在第一方形pad的中心，设置第二预设尺寸的第一圆点掏铜结构，在第一方形pad的内部，且位于第一圆点掏铜结构的外部，设置呈环形分布的多个第三预设尺寸的第二圆点掏铜结构。然后，在对外层线路进行曝光对位时，将内层线路的环形的第二圆点掏铜结构作为对位靶点，从而提升多层hdi叠孔产品的对位精度，将线路对位曝光偏移缩小至≤20um。
30、本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
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1.一种多层HDI叠孔对位方法，其特征在于，应用于多层HDI基板，所述多层HDI基板包括依次层叠设置的多层板，所述多层HDI基板设置有内层线路和外层线路；所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的多层HDI叠孔对位方法，其特征在于，所述对所述内层线路设置第一预设尺寸的第一方形PAD，并在所述第一方形PAD的中心设置第二预设尺寸的第一圆点掏铜结构，以及在所述第一方形PAD的内部设置多个第三预设尺寸的第二圆点掏铜结构；多个所述第二圆点掏铜结构环绕于所述第一圆点掏铜的外部且呈环形分布，具体包括：
3.根据权利要求1所述的多层HDI叠孔对位方法，其特征在于，所述对所述外层线路采用第四预设尺寸的第二方形PAD和第五预设尺寸的圆形PAD进行连线设计，具体包括：
4.根据权利要求1所述的多层HDI叠孔对位方法，其特征在于，每个所述激光盲孔阵列包括呈四行五列分布的多个激光盲孔，所述激光盲孔采用Daisy-Chain设计。
5.根据权利要求1所述的多层HDI叠孔对位方法，其特征在于，每个所述孔偏检测阵列包括呈阵列排布的32个孔偏检测孔，所述内层
6.根据权利要求1所述的多层HDI叠孔对位方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：
7.根据权利要求1所述的多层HDI叠孔对位方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：
8.根据权利要求1所述的多层HDI叠孔对位方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：
9.根据权利要求1所述的多层HDI叠孔对位方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：
10.一种多层HDI基板，其特征在于，通过如权利要求1-9任一项所述的多层HDI叠孔对位方法制作而成。
...【技术特征摘要】
1.一种多层hdi叠孔对位方法，其特征在于，应用于多层hdi基板，所述多层hdi基板包括依次层叠设置的多层板，所述多层hdi基板设置有内层线路和外层线路；所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的多层hdi叠孔对位方法，其特征在于，所述对所述内层线路设置第一预设尺寸的第一方形pad，并在所述第一方形pad的中心设置第二预设尺寸的第一圆点掏铜结构，以及在所述第一方形pad的内部设置多个第三预设尺寸的第二圆点掏铜结构；多个所述第二圆点掏铜结构环绕于所述第一圆点掏铜的外部且呈环形分布，具体包括：
3.根据权利要求1所述的多层hdi叠孔对位方法，其特征在于，所述对所述外层线路采用第四预设尺寸的第二方形pad和第五预设尺寸的圆形pad进行连线设计，具体包括：
4.根据权利要求1所述的多层hdi叠孔对位方法，其特征在于，每个所述激光盲孔阵列包括呈四行五列分布的多个激光盲孔，所述激光盲孔采...
【专利技术属性】
技术研发人员：何福权，
申请(专利权)人：深圳和美精艺半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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